低電壓大電流同步整流技術(shù)的現(xiàn)狀及發(fā)展

1引言

隨著電子技術(shù)的迅速發(fā)展，以及各種微處理器、IC芯片和數(shù)字信號處理器的普及應(yīng)用，使低電壓大電流輸出變換器的研究成為十分重要的課題之一。在低電壓大電流輸出的情況下，使用一般的二極管整流，整流損耗占了變換器總損耗的一半以上，很難達到高效率。使用同步整流技術(shù)則可以較大地減少整流損耗，從而提高變換器的效率。

同步整流技術(shù)按其驅(qū)動信號類型可分為電壓驅(qū)動和電流驅(qū)動。而電壓驅(qū)動的同步整流器按驅(qū)動方式又可分為自驅(qū)動和外驅(qū)動兩種。下面將分別對以上不同的同步整流技術(shù)進行分析比較。

2MOSFET模型及損耗分析

使用同步整流技術(shù)是為了減少整流損耗，提高效率。不管采用那種同步整流技術(shù)，都是通過使用低通態(tài)電阻的MOSFET替代輸出側(cè)的整流二極管，以最大限度地降低整流損耗。因此必須先討論MOSFET的模型和損耗。MOSFET的模型[1]如圖1所示。

MOSFET的主要損耗為

1）寄生電容充放電所造成的損耗Pc

Pc=2f∫C(v)vdv（1）

式中：f為開關(guān)頻率；

C(v)為寄生電容值；

v為加在電容兩端的電壓。

2）MOSFET的導(dǎo)通損耗PRds

PRds=Io2Rds（2）

式中：Io為輸出負載電流；

Rds為通態(tài)電阻，Rds=Rcha＋Rd，其中Rcha為MOSFET的導(dǎo)通溝道和表面電荷積累層形成的電阻，Rd是由MOSFET的JFET區(qū)和高阻外延層形成的電阻[1]。

由式（1）、式（2）可見，寄生電容造成的損耗與頻率相關(guān)，在低頻率時較小，整流損耗主要由導(dǎo)通損耗決定。因此可利用MOSFET的自動均流性將多個

圖1MOSFET模型

（a）自驅(qū)動同步整流電路原理圖

（b）變壓器副邊電壓波形

圖2自驅(qū)動同步整流技術(shù)

（a）電路原理圖

（b）工作波形圖

圖3使用了Active?clamp的自驅(qū)動同步整流技術(shù)

MOSFET并聯(lián)使用，以減少通態(tài)電阻，從而減少導(dǎo)通損耗；但在高頻率時，并聯(lián)使用MOSFET雖然可以減少導(dǎo)通損耗，但是在通態(tài)電阻成倍減少的同時，寄生電容卻成倍地增加，所造成的損耗可能會遠大于減少的導(dǎo)通損耗。因此在使用同步整流技術(shù)時，應(yīng)協(xié)調(diào)處理這兩種損耗。

3）MOSFET器件存在著寄生二極管，此二極管造成的通態(tài)損耗Pd

Pd=IoVd（3）

式中：Vd為寄生二極管導(dǎo)通壓降。

由于寄生二極管的導(dǎo)通壓降Vd一般在1V以上，遠大于MOSFET的導(dǎo)通壓降。因此應(yīng)盡量避免負載電流流過寄生二極管或盡量縮短流過寄生二極管的時間，以減少不必要的損耗。

3自驅(qū)動電壓型同步整流技術(shù)

3?1傳統(tǒng)的自驅(qū)動同步整流技術(shù)

自驅(qū)動電壓型同步整流技術(shù)是由變換器中的變壓器次級電壓直接驅(qū)動相應(yīng)的MOSFET，如圖2（a）所示。這是一種傳統(tǒng)的同步整流技術(shù)，其優(yōu)點是不需要附加的驅(qū)動電路，結(jié)構(gòu)簡單。缺點是兩個MOSFET的驅(qū)動電壓時序不夠精確，MOSFET不能在整個周期內(nèi)代替二極管整流，使得負載電流流經(jīng)寄生二極管的時間[如圖2（b）中的toff所示]較長，造成了較大的損耗，限制了效率的提高[4]。

3.2應(yīng)用有源嵌位技術(shù)的自驅(qū)動同步整流技術(shù)

針對自驅(qū)動電壓型同步整流器的不足，提出了有源嵌位（Active?clamp）技術(shù)[2]，如圖3(a)所示。電容Ca以及控制開關(guān)S2的引入，使得兩個MOSFET輪流導(dǎo)通，避免了負載電流流過寄生二極管，從而減少了損耗。在t1至t2時，開關(guān)S1導(dǎo)通，由電源向變壓器供電；在t2時刻，S1關(guān)斷，變壓器原邊自感電勢反向，并通過S2的寄生二極管向電容Ca充電；到t3時刻，S2導(dǎo)通，變壓器原邊通過S2向Ca繼續(xù)充電直到原邊電流為零，然后電容開始向變壓器原邊放電，產(chǎn)生反向電流；在t4時刻，S2關(guān)斷，變壓器原邊產(chǎn)生正向電壓以維持電流；到t5時刻，開始下一周期。由圖3（b）可見，變壓器原邊電壓波形中沒有出現(xiàn)如圖2（b）中的toff，從而避免兩MOSFET寄生二極管的導(dǎo)通，減少了整流損耗，較大地提高了效率。

3.3應(yīng)用諧振技術(shù)的同步整流技術(shù)

使用方波電壓驅(qū)動MOSFET時，由式（1）知MOSFET的寄生電容充放電造成的損耗與fCv2成正比。因此在高頻情況下，如f>1MHz，這一損耗將成為主要的損耗。使用傳統(tǒng)的自驅(qū)動同步整流技術(shù)[4]，寄生電容引起的損耗將會很大，而使用諧振技術(shù)，用正弦波來驅(qū)動MOSFET，則可以大大減少整流損耗。使用了諧振技術(shù)的一種同步整流電路[1]如圖4所示。由于諧振電容Cs的加入，使得Q1的寄生電容Cgd在整個周期內(nèi)與Cs并聯(lián)：在Q1導(dǎo)通時Cgs與Cs并聯(lián)，在Q1關(guān)斷時Cds與Cs并聯(lián)[1]，Q2也是如此。于是，Q1、Q2所有寄生電容均在一周期內(nèi)與Cs并聯(lián)，即寄生電容被諧振電容Cs“吸

圖6電流驅(qū)動同步整流技術(shù)

圖7能量恢復(fù)電流驅(qū)動同步整流技術(shù)

低電壓大電流同步整流技術(shù)的現(xiàn)狀及發(fā)展

圖4諧振同步整流技術(shù)

收”了，變壓器次級產(chǎn)生的正弦波能通過Cs和MOSFET（Q1、Q2）的寄生電容，從而減少了同步整流器的損耗。（其中Cgd、Cgs、Cds分別是MOSFET管的門?漏、門?源以及漏?源極之間的寄生電容）。

4外驅(qū)動（電壓驅(qū)動型）同步整流技術(shù)[1]

外驅(qū)動同步整流技術(shù)中MOSFET的驅(qū)動信號需從附加的外驅(qū)動電路獲得。為了實現(xiàn)驅(qū)動同步，附加驅(qū)動電路須由變換器主開關(guān)管的驅(qū)動信號控制。如圖5所示。為了盡量減少負載電流流過寄生二極管的時間，須使次級中的兩MOSFET能在一周期內(nèi)均衡地輪流導(dǎo)通，即兩個MOSFET的驅(qū)動信號的占空比為50％的互補驅(qū)動波形。外驅(qū)動電路可以提供精確的時序，以達到上述要求。但為了避免兩MOSFET同時導(dǎo)通而引起的次級短路現(xiàn)象，應(yīng)留有一定的死區(qū)時間。雖然外驅(qū)動同步整流比起傳統(tǒng)的自驅(qū)動同步整流具有較高的效率，但它卻要求附加復(fù)雜的驅(qū)動電路，而且會帶來驅(qū)動損耗。特別在開關(guān)頻率較高時，驅(qū)動電路的復(fù)雜程度和成本都較高，因此外驅(qū)動同步整流技術(shù)并不適用于開關(guān)頻率很高的變換器。

5電流驅(qū)動同步整流技術(shù)

電流驅(qū)動同步整流是通過檢測流過自身的電流來獲得MOSFET驅(qū)動信號[3]，如圖6所示。MOSFET在流過正向電流時導(dǎo)通，在電流為零時關(guān)斷，使反向電流不能流過MOSFET[7]。整流器就和二極管一樣只能單向?qū)?，于是它的使用就像二極管整流器一樣，可應(yīng)用在各類變換器拓撲電路中，而不像電壓驅(qū)動型同步整流技術(shù)，對不同的變換器拓撲需要不同的驅(qū)動電路或結(jié)構(gòu)。因此電流驅(qū)動同步整流器是十分有發(fā)展前景的。但是，電流驅(qū)動同步整流技術(shù)中由檢測電流而造成的功率損耗很大，影響了它的應(yīng)用。

為了解決檢測電流所引起的高損耗問題，提出了如圖7所示電路[7]。該電路將電流檢測的損耗部分能量送到輸出端，使得電流檢測損耗的能量得到一定的減少，從而較大地提高了效率[7]，為電流驅(qū)動同步整流技術(shù)得到廣泛的應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。

6使用同步整流技術(shù)的一些問題

同步整流技術(shù)的基礎(chǔ)是應(yīng)用MOSFET替代二極管整流器，但MOSFET如用為開關(guān)時具有雙向?qū)ǖ奶匦訹5]。這一特性使得含有同步整流技術(shù)的變換器的使用產(chǎn)生了下述問題。

1）具有同步整流技術(shù)的變換器的并聯(lián)運行問題

同步整流技術(shù)一般應(yīng)用在低電壓大電流（一般要達到幾十安培甚至上百安培）情況下，因而往往將多個具有同步整流技術(shù)的變換器并聯(lián)使用。但具有同步整流技術(shù)的變換器在并聯(lián)使用時遇到了如下問題。

——反向電流問題

當并聯(lián)的兩個變換器的輸出電壓不同，且差值達到一定值時，輸出電壓低的變換器的輸出電流將反向，輸出電壓較高的變換器就需要既提供負載電流又為輸出電壓低的變換器供電，從而加大了輸出電壓高的變換器的負荷[5]，結(jié)果便沒有達到并聯(lián)變換器增大負載電流的目的。

圖5外驅(qū)動同步整流技術(shù)

圖8輸出電壓低的變換器等效電路圖

——自振蕩問題

當并聯(lián)的變換器輸出電壓不同，且相差很大時，電壓小的變換器的PWM信號的占空比被電壓反饋控制器置零,電壓大的變換器相當于一個DC電源向電壓小的變換器供電，此時電壓小的變換器等效電路如圖8所示。圖中虛線框內(nèi)部分與一個交叉耦合振蕩器結(jié)構(gòu)相當，于是在這個變換器中發(fā)生自振蕩現(xiàn)象[5][6]。這樣的自振蕩會在MOSFET中產(chǎn)生電壓應(yīng)力，使MOSFET性能降低，并且會給其它與其并聯(lián)的變換器輸出帶來諧波干擾[5]。

2）輕載問題

在輕載條件下，使用傳統(tǒng)的二極管整流器的變換器會進入電流不連續(xù)工作模式（DCM），但對于使用了同步整流技術(shù)的變換器，由于MOSFET的雙向?qū)ㄐ裕沟秘撦d電流繼續(xù)反向流過輸出電感，并形成環(huán)路電流，造成了多余的損耗，限制了變換器在輕載條件下實現(xiàn)高效率。

上述問題都是對應(yīng)用電壓驅(qū)動同步整流技術(shù)的變換器而言的，因而應(yīng)用了電壓驅(qū)動同步整流技術(shù)的變換器在并聯(lián)使用時較復(fù)雜，需要使用各種較復(fù)雜的附加電路來控制，以避免MOSFET反向?qū)ǎ⒁鎸p載時的低效率問題。具有電流驅(qū)動同步整流技術(shù)的變換器，由于電流驅(qū)動同步整流是單向?qū)ǖ?，因此不會出現(xiàn)上述問題。只要適當調(diào)節(jié)各變換器的參數(shù)，就可以很方便地并聯(lián)使用了。

7結(jié)語

在各種同步整流技術(shù)中，自驅(qū)動電壓型同步整流技術(shù)的驅(qū)動方式最簡單，利用其它技術(shù)（如諧振技術(shù)，有源嵌位等）完善后也能達到很好的效果，并可在各種高低頻情況下使用，可見通過繼續(xù)開發(fā)和利用新技術(shù)來完善的自驅(qū)動同步整流技術(shù)將很有競爭力。外驅(qū)動電壓型同步整流技術(shù)在提高效率方面效果較好，但驅(qū)動復(fù)雜，成本較高，且不適于高頻應(yīng)用，缺乏吸引力。電流驅(qū)動同步整流技術(shù)驅(qū)動的復(fù)雜程度介于前兩者之間，應(yīng)用在各種變換器拓撲中也十分方便，而且在變換器并聯(lián)使用時不會出現(xiàn)反向?qū)ìF(xiàn)象，它將是今后同步整流技術(shù)發(fā)展的新方向。

同步整流技術(shù)在近十年來有了很大的發(fā)展，許多早年提出的拓撲都有了較大改善和提高，特別是諧振技術(shù)在自驅(qū)動同步整流中的應(yīng)用和電流驅(qū)動同步整流技術(shù)的完善，使得同步整流技術(shù)在應(yīng)用的頻率范圍、拓撲電路的種類以及變換器并聯(lián)使用等方面有了很大改善?？梢哉f，同步整流技術(shù)必將會更具有生命力和吸引力，并向頻率更高、驅(qū)動更簡易、性能更優(yōu)越的方向發(fā)展。

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