交錯并聯(lián)對稱半橋全波整流電路

圖9 對稱半橋全波整流電路及QSW工作波形

圖10 交錯并聯(lián)對稱半橋全波整流電路

圖11為對稱半橋倍流整流拓?fù)?，兩個輸出濾波電感的電流相位相差180°，與雙通道交錯并聯(lián)拓?fù)浯嬖谙嗨频碾姼须娏骷y波互消作用，對應(yīng)D=0.5時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)完全的電流紋波互消作用（輸出電流紋波為零）。在應(yīng)用于負(fù)載對動態(tài)響應(yīng)要求不高的場合時(shí)，可以把穩(wěn)態(tài)占空比選定為0.5，從而大大減小輸出濾波器的體積。但對于數(shù)據(jù)處理器這類對動態(tài)響應(yīng)有較高要求的負(fù)載時(shí)，不能把0.5這一滿占空比作為穩(wěn)態(tài)占空比。但當(dāng)D偏離0.5時(shí)，其紋波互消作用則會大大削弱，限制了輸出濾波器參數(shù)的取小，降低了功率級的能量傳輸速度。在這種情況下利用交錯并聯(lián)技術(shù)，把兩個對稱半橋倍流整流拓?fù)溥M(jìn)行交錯并聯(lián)，如圖12所示，則可實(shí)現(xiàn)與四通道交錯并聯(lián)QSW電路相似的紋波互消作用（Dmax0.5）此時(shí)，若把穩(wěn)態(tài)占空比定在0.25，則可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)態(tài)時(shí)完全的紋波互消作用，輸出濾波電感也可以取得很小，從而在負(fù)載突升(D：0.25→0.5)和突降(D：0.25→0)時(shí)，具有對稱的快動態(tài)響應(yīng)。

圖11 對稱半橋倍流整流拓?fù)?

圖12 交錯并聯(lián)對稱半橋倍流整流拓?fù)浼捌湓聿ㄐ?

值得指出的是，這些交錯并聯(lián)結(jié)構(gòu)的拓?fù)涮貏e適合于應(yīng)用磁集成技術(shù)?？刹捎枚嗤ǖ离姼屑煞桨讣半姼泻妥儔浩鞯募煞桨竅7][8]。從而大大減小磁性元件所占的總體積，簡化電路布局、封裝設(shè)計(jì)，與分立磁性元件相比，具有顯著的優(yōu)越性。