安森美半導(dǎo)體發(fā)布創(chuàng)新溝槽處理技術(shù)，具有業(yè)界最佳導(dǎo)通電阻性能

該公司計(jì)劃于年底之前推出采用此項(xiàng)創(chuàng)新溝槽處理技術(shù)的P型通道和N型通道MOSFET完整系列。最初幾款器件將于本季度推出，針對(duì)便攜和無線產(chǎn)品中的負(fù)載管理、電路充電、電池保護(hù)和直流-直流轉(zhuǎn)換等應(yīng)用。接下來將推出面向計(jì)算機(jī)和汽車應(yīng)用的高性能溝槽為本的器件。

安森美半導(dǎo)體副總裁兼集成電源產(chǎn)品總經(jīng)理Ramesh Ramchandani說：“將更完善的芯片幾何學(xué)與安森美半導(dǎo)體的溝槽技術(shù)相結(jié)合，可發(fā)揮極佳的導(dǎo)通電阻特性——產(chǎn)生的直接效果是延長(zhǎng)電池壽命、提升功率轉(zhuǎn)換性能并提高熱效率。當(dāng)前市場(chǎng)上有廣泛的溝槽MOSFET可供選擇，而安森美半導(dǎo)體將憑借著采用先進(jìn)溝槽處理技術(shù)的優(yōu)越器件進(jìn)軍市場(chǎng)。”

尖端技術(shù)
安森美半導(dǎo)體獨(dú)有的溝槽處理技術(shù)實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最高的通道密度，在給定的封裝占位面積下具有極佳的導(dǎo)通電阻（Rds(on)）性能。例如，安森美半導(dǎo)體將生產(chǎn)的ChipFET封裝（1.8 mm x 3.3 mm）8伏（V）P型通道和20伏P型通道產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻分別為19毫歐（mOhms）和21毫歐。與目前相同封裝尺寸的產(chǎn)品相比，在4.5伏柵極電壓下這些電阻值平均改進(jìn)了40%。而安森美半導(dǎo)體將推出的Micro-8LL（3.3 mm x 3.3 mm）、TSOP-6（3 mm x 3 mm）與SC-88（2.0 mm x 2.0 mm）封裝MOSFET的導(dǎo)通電阻也有相同比例的改進(jìn)。

安森美半導(dǎo)體的首批溝槽半導(dǎo)體器件將于3月開始提供樣品。