安森美加速碳化硅創(chuàng)新，助力推進(jìn)電氣化轉(zhuǎn)型

新聞要點(diǎn)

●   最新一代EliteSiC M3e MOSFET能將電氣化應(yīng)用的關(guān)斷損耗降低多達(dá) 50%

●   該平臺采用經(jīng)過實(shí)際驗證的平面架構(gòu)，以獨(dú)特方式降低了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗

●   與安森美(onsemi) 智能電源產(chǎn)品組合搭配使用時，EliteSiC M3e 可以提供更優(yōu)化的系統(tǒng)方案并縮短產(chǎn)品上市時間

●   安森美宣布計劃在 2030 年前加速推出多款新一代碳化硅產(chǎn)品      

面對不斷升級的氣候危機(jī)和急劇增長的全球能源需求，世界各地的政府和企業(yè)都在為宏大的氣候目標(biāo)而攜手努力，致力于減輕環(huán)境影響，實(shí)現(xiàn)可持續(xù)未來。其中的關(guān)鍵在于推進(jìn)電氣化轉(zhuǎn)型以減少碳排放，并積極利用可再生能源。為加速達(dá)成這個全球轉(zhuǎn)型目標(biāo)，安森美近日推出了最新一代碳化硅技術(shù)平臺 EliteSiC M3e MOSFET，并計劃將在 2030 年前推出多代新產(chǎn)品。

安森美電源方案事業(yè)群總裁Simon Keeton表示：“電氣化的未來依賴于先進(jìn)的功率半導(dǎo)體，而電源創(chuàng)新對于實(shí)現(xiàn)全球電氣化和阻止氣候變化至關(guān)重要。如果電源技術(shù)沒有重大創(chuàng)新，現(xiàn)有的基礎(chǔ)設(shè)施將無法滿足全球日益增長的智能化和電氣化出行需求。我們正在積極推動技術(shù)創(chuàng)新，計劃到 2030 年大幅提升碳化硅技術(shù)的功率密度，以滿足日益增長的能源需求，并助力全球電氣化轉(zhuǎn)型。”

在這一過程中，EliteSiC M3e MOSFET 將發(fā)揮關(guān)鍵作用，以更低的千瓦成本實(shí)現(xiàn)下一代電氣系統(tǒng)的性能和可靠性，從而加速普及電氣化并強(qiáng)化實(shí)施效果。由于能夠在更高的開關(guān)頻率和電壓下運(yùn)行，該平臺可有效降低電源轉(zhuǎn)換損耗，這對于電動汽車動力系統(tǒng)、直流快速充電樁、太陽能逆變器和儲能方案等廣泛的汽車和工業(yè)應(yīng)用至關(guān)重要。此外，EliteSiC M3e MOSFET 將促進(jìn)數(shù)據(jù)中心向更高效、更高功率轉(zhuǎn)變，以滿足可持續(xù)人工智能引擎指數(shù)級增長的能源需求。

可信賴平臺實(shí)現(xiàn)效率代際飛躍

憑借安森美獨(dú)特的設(shè)計和制造能力，EliteSiC M3e MOSFET 在可靠且經(jīng)過實(shí)際驗證的平面架構(gòu)上顯著降低了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。與前幾代產(chǎn)品相比，該平臺能夠?qū)?dǎo)通損耗降低 30%，并將關(guān)斷損耗降低多達(dá) 50%^[1]。通過延長 SiC 平面 MOSFET 的壽命并利用 EliteSiC M3e 技術(shù)實(shí)現(xiàn)出色的性能，安森美可以確保該平臺的堅固性和穩(wěn)定性，使其成為關(guān)鍵電氣化應(yīng)用的首選技術(shù)。

EliteSiC M3e MOSFET 還提供超低導(dǎo)通電阻 (RSP) 和抗短路能力，這對于占據(jù) SiC 市場主導(dǎo)地位的主驅(qū)逆變器應(yīng)用來說至關(guān)重要。采用安森美先進(jìn)的分立和功率模塊封裝，1200V M3e 裸片與之前的 EliteSiC 技術(shù)相比，能夠提供更大的相電流，使同等尺寸主驅(qū)逆變器的輸出功率提升約 20%。換句話說，在保持輸出功率不變的情況下，新設(shè)計所需的 SiC 材料可以減少 20%，成本更低，并且能夠?qū)崿F(xiàn)更小、更輕、更可靠的系統(tǒng)設(shè)計。

此外，安森美還提供更廣泛的智能電源技術(shù)，包括柵極驅(qū)動器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電子保險絲等，并均可與 EliteSiC M3e 平臺配合使用。通過這些安森美優(yōu)化和協(xié)同設(shè)計的功率開關(guān)、驅(qū)動器和控制器的端到端一體化技術(shù)組合，可實(shí)現(xiàn)多項先進(jìn)特性集成，并降低整體系統(tǒng)成本。

加速未來電源技術(shù)發(fā)展

未來十年，全球能源需求預(yù)計會急劇增加，因此提高半導(dǎo)體的功率密度變得至關(guān)重要。安森美正積極遵循其碳化硅技術(shù)發(fā)展藍(lán)圖，從裸片架構(gòu)到新型封裝技術(shù)全面引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新，以此持續(xù)滿足行業(yè)對更高功率密度的需求。

每一代新的碳化硅技術(shù)都會優(yōu)化單元結(jié)構(gòu)，以在更小的面積上高效傳輸更大的電流，從而提高功率密度。結(jié)合公司自有的先進(jìn)封裝技術(shù)，安森美能最大化提升性能并減小封裝尺寸。通過將摩爾定律引入碳化硅技術(shù)的開發(fā)，安森美可以并行研發(fā)多代產(chǎn)品，從而加速實(shí)現(xiàn)其發(fā)展路線圖，以在 2030 年前加速推出多款 EliteSiC 新產(chǎn)品。

“憑借數(shù)十年來在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域積累的深厚經(jīng)驗，我們不斷突破工程和制造能力的邊界，以滿足全球日益增長的能源需求?！鞍采离娫捶桨甘聵I(yè)群技術(shù)營銷高級總監(jiān) Mrinal Das 表示，”碳化硅的材料、器件和封裝技術(shù)之間存在很強(qiáng)的相互依賴性。對這些關(guān)鍵環(huán)節(jié)的完全掌控，使安森美能夠更好地把握設(shè)計和制造過程，從而更快地推出新一代產(chǎn)品?！?/p>

EliteSiC M3e MOSFET 采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 TO-247-4L 封裝，樣品現(xiàn)已上市。

[1] 基于內(nèi)部與EliteSiC M3T MOSFET的對比測試