MEMS光開關(guān)的優(yōu)勢(shì)有發(fā)展動(dòng)態(tài)簡(jiǎn)介

摘要 本文介紹了基于MEMS(微電子機(jī)械系統(tǒng))技術(shù)的光開關(guān)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)及主要制造商情況，并概要分析了MEMS技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域。

　　關(guān)鍵詞 MEMS，MOEMS，光開關(guān)，表面犧牲層

1.概述

　　微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）就是將幾何尺寸或操作尺寸僅在微米、亞微米甚至納米量級(jí)的微機(jī)電裝置（如微機(jī)構(gòu)、微驅(qū)動(dòng)器等）與控制電路高度集成在硅基或非硅基材料上的一個(gè)非常小的空間里，構(gòu)成一個(gè)機(jī)電一體化的器件或系統(tǒng)。MEMS器件具有體積小、重量輕、能耗低、慣性小、響應(yīng)時(shí)間短，可把多個(gè)不同功能、不同敏感方向或致動(dòng)方向的微機(jī)構(gòu)大規(guī)模地集成在一起，并且可以通過微電鑄的方法進(jìn)行批量復(fù)制和大規(guī)模生產(chǎn)。

　　MEMS加工技術(shù)主要分為三類：非硅基材料上以X光深度光刻的LIGA技術(shù)；硅基或非硅基材料上的精密機(jī)械刻劃技術(shù)；在半導(dǎo)體集成電路技術(shù)之上發(fā)展起來的硅MEMS加工技術(shù)。

　　硅MEMS加工技術(shù)最早出現(xiàn)于二十世紀(jì)六十年代，所采用的主要技術(shù)是單晶硅各向異性腐蝕技術(shù)（體硅微機(jī)械），其代表產(chǎn)品是硅壓力傳感器。八十年代美國(guó)率先開發(fā)出以多晶硅為結(jié)構(gòu)層、二氧化硅為犧牲層的表面犧牲層技術(shù)（表面微機(jī)械），并開發(fā)出微硅靜電馬達(dá)，使得MEMS技術(shù)得到質(zhì)的飛躍發(fā)展。表面微機(jī)械加工技術(shù)與半導(dǎo)體集成電路技術(shù)最為相近，其主要特點(diǎn)是在薄膜淀積的基礎(chǔ)上，利用光刻、刻蝕等集成電路常用工藝制備微機(jī)械結(jié)構(gòu)，最終利用選擇腐蝕技術(shù)釋放結(jié)構(gòu)單元，獲得可微動(dòng)結(jié)構(gòu)。進(jìn)入九十年代，隨著深槽刻蝕技術(shù)、鍵合技術(shù)及其它關(guān)鍵技術(shù)的成功應(yīng)用，體硅微機(jī)械又得到了飛速發(fā)展，并發(fā)展出多種體硅工藝與表面微機(jī)械工藝相互結(jié)合的新工藝。特別是開發(fā)出利用感應(yīng)耦合等離子體（ICP）和側(cè)壁鈍化（SPP）的先進(jìn)硅刻蝕工藝（ASE），可對(duì)硅材料進(jìn)行很大深寬比的三維微加工，其加工厚度可達(dá)幾百微米，側(cè)壁垂直度可接近九十度。這使得MEMS技術(shù)不僅在傳感器領(lǐng)域的應(yīng)用得到迅速發(fā)展，而且在光纖通信、微型化學(xué)分析系統(tǒng)、DNA分析及微型機(jī)器人等領(lǐng)域的應(yīng)用研究也得到空前發(fā)展。

　　光纖通信在實(shí)現(xiàn)了高速、大容量點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的傳輸后，上世紀(jì)末已進(jìn)入了光纖網(wǎng)絡(luò)時(shí)代。MEMS在光纖通信領(lǐng)域的應(yīng)用范圍十分寬廣，幾乎所有光網(wǎng)絡(luò)中的各個(gè)組成單元都能采用MEMS制作器件，并由此產(chǎn)生了一個(gè)新名詞：微光電子機(jī)械系統(tǒng)（MOEMS），它是機(jī)、電、光、磁、化學(xué)、自動(dòng)控制、傳感技術(shù)與信息處理等多種技術(shù)的綜合。綜觀光纖通信器件的發(fā)展歷程，可以看出器件的發(fā)展趨勢(shì)為：塊狀堆集型?光纖型?MOEMS型?集成型。前兩種已經(jīng)形成產(chǎn)業(yè)化，并正在向小型化方向發(fā)展。在目前集成型器件還不十分成熟的情況下，MEMS（或MOEMS）型光器件已出現(xiàn)了商業(yè)化的產(chǎn)品。利用MEMS技術(shù)可以制作光纖通信傳輸網(wǎng)中的許多器件，如：光分插復(fù)用器（OADM）、光交叉連接開關(guān)矩陣（OXC-AS）、光調(diào)制器、光濾波器、波分復(fù)用解復(fù)用器、可調(diào)諧微型垂直腔表面發(fā)射半導(dǎo)體激光器（VCSEL）、可變光衰減器、增益均衡器及用于光路分配和耦合的微透鏡陣列等多種微型化光器件。

2.MEMS光開關(guān)的優(yōu)勢(shì)

　　MEMS技術(shù)在光纖通信網(wǎng)絡(luò)中的一個(gè)重要應(yīng)用就是利用微動(dòng)微鏡制作光開關(guān)矩陣，微動(dòng)微鏡可以采用上下折疊方式、左右移動(dòng)方式或旋轉(zhuǎn)方式來實(shí)現(xiàn)開關(guān)的導(dǎo)通和斷開功能。MEMS技術(shù)制作的光開關(guān)是將機(jī)械結(jié)構(gòu)、微觸動(dòng)器和微光元件在同一襯底上集成，結(jié)構(gòu)緊湊、重量輕，易于擴(kuò)展。它比機(jī)械式光開關(guān)和波導(dǎo)型光開關(guān)具有很好的性能，如：低插損、小串音、高消光比、重復(fù)性好、響應(yīng)速度適中，與波長(zhǎng)、偏振、速率及調(diào)制方式無關(guān)，壽命長(zhǎng)、可靠性高，并可擴(kuò)展成大規(guī)模光交叉連接開關(guān)矩陣。

　　MEMS光開關(guān)有2D(二維)數(shù)字和3D(三維)模擬兩種結(jié)構(gòu)。在2D結(jié)構(gòu)中，所有微反射鏡和輸入輸出光纖位于同一平面上，通過靜電致動(dòng)器使微鏡直立和倒下或使微鏡以“翹翹板”的方式處于光路和彈出光路的工作方式來實(shí)現(xiàn)“開”和“關(guān)”的功能，如圖1所示，所以2D結(jié)構(gòu)又稱為數(shù)字型。一個(gè)N′N的2D光開關(guān)需要N2個(gè)微反射鏡，2D結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是控制簡(jiǎn)單，缺點(diǎn)是由于受光程和微鏡面積的限制，交換端口數(shù)不能做得很大。在3D結(jié)構(gòu)中，所有微反射鏡處于相向的兩個(gè)平面上，通過改變每個(gè)微鏡的不同位置來實(shí)現(xiàn)光路的切換，如圖2所示。一個(gè)N′N的3D光開關(guān)只需要2N個(gè)微反射鏡，但每個(gè)微反射鏡至少需要N個(gè)可精確控制的可動(dòng)位置，所以3D結(jié)構(gòu)又稱為模擬型。與2D結(jié)構(gòu)相反，3D結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是交換端口數(shù)能做得很大，可實(shí)現(xiàn)上千端口數(shù)的交換能力，缺點(diǎn)是控制機(jī)理和驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)相當(dāng)復(fù)雜，控制部分的成本很高。

　　MEMS光開關(guān)的優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在性能、功能、規(guī)模、可靠性和成本等幾個(gè)方面。在關(guān)鍵的性能指標(biāo)如插入損耗、波長(zhǎng)平坦度、PDL（偏振相關(guān)損耗）和串?dāng)_方面，MEMS技術(shù)能達(dá)到的性能可與其他技術(shù)所能達(dá)到的最高性能相比。比如基于MEMS技術(shù)制作的2×2光開關(guān)模塊的插入損耗可達(dá)0.4dB，PDL小于0.1dB，串?dāng)_小于-70dB。在功能方面，微鏡具有可靠的閉鎖功能，能夠保證光路切換的準(zhǔn)確性。在規(guī)模方面，采用2D結(jié)構(gòu)的MEMS光開關(guān)已有64′64的商用產(chǎn)品，采用3D結(jié)構(gòu)的MEMS光開關(guān)也有上千端口數(shù)的樣品，從而使構(gòu)建中等規(guī)模和大規(guī)模光纖網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)成為可能。在可靠性方面，單晶硅極好的機(jī)械性能可使制成的器件能夠抗疲勞，由于單晶硅中沒有位錯(cuò)，所以從本質(zhì)上它不會(huì)產(chǎn)生疲勞，是一種完美的彈性材料。MEMS光開關(guān)的壽命已超過3800萬次，并且在溫度循環(huán)、沖擊、振動(dòng)和長(zhǎng)期高溫貯存等可靠性指標(biāo)方面，均滿足Telcordia GR-1073-Core標(biāo)準(zhǔn)。在成本方面，MEMS光開關(guān)為降低系統(tǒng)成本提供了多種可能，MEMS芯片的功能度使得更低成本的網(wǎng)絡(luò)設(shè)置和架構(gòu)以及光纖層的保護(hù)成為可能。MEMS尺寸小和功耗低的特性使得系統(tǒng)的外形可以縮小，節(jié)省了中繼器和終端節(jié)點(diǎn)占用的地盤。MEMS器件的單批產(chǎn)量很高，經(jīng)濟(jì)性好，而且器件與器件之間重復(fù)性好。執(zhí)行器與光器件集成在單個(gè)芯片上，可以在一個(gè)硅片上重復(fù)多次，從而可以提供價(jià)格更低的光器件。這些在成本方面的節(jié)約將使器件價(jià)格下降，最終降低設(shè)備和營(yíng)運(yùn)成本。

3.發(fā)展動(dòng)態(tài)

　　盡管率先將MEMS光開關(guān)商用化的OMM公司在今年（2003）3月因最后獲得資金的希望破滅而暫時(shí)關(guān)閉，去年（2002）Onix關(guān)門、IMMI轉(zhuǎn)向以及采用3D-MEMS技術(shù)曾研制出1152′1152光開關(guān)的Xros前年（2001）被Nortel收購(gòu)。目前仍有不少的機(jī)構(gòu)（包括Dicon、Luncent、Jdsu、Nortel等）在進(jìn)行MEMS光開關(guān)的應(yīng)用開發(fā)。 目前全球有60家左右的MEMS制造工廠，上百家MEMS領(lǐng)域的新興公司以及更多的大學(xué)和研究機(jī)構(gòu)。世界領(lǐng)先的Coventor公司的MEMS 計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)（CAD）軟件工具，目前全球的用戶已超過300家。除MEMS光開關(guān)外，據(jù)筆者不完全統(tǒng)計(jì)，目前擁有MEMS技術(shù)設(shè)備并能提供相關(guān)光器件的公司主要有：JDSU、Santec、Memscap、Intpax、Umachines、Baynet、Avanex、Agere、InLight、Bandwidth9、Fujitsu、Go4fiber、lucent、networkelements、nortel、Olympus、NetworkPhotonics、Siemens、Teraoptix、Finisar、MCI、chromux、AXSUN、MegaSense、Sercalo、Molecular、Bookham、LIGHTech、Dicon、Lightconnect、Cypress、Novera等。最近Fujitsu宣布將發(fā)展一項(xiàng)采用MEMS技術(shù)的80通道的光開關(guān)，其切換速度將是1微秒，這是截至目前多通道光開關(guān)的最高切換速度。此外，日本Olympus也開始進(jìn)行MEMS研發(fā)部門新的整合計(jì)劃，其計(jì)劃不僅包括可變光衰減器、光MEMS開關(guān)等光通信MEMS芯片，而且還包括設(shè)計(jì)、制造和封裝用于光網(wǎng)絡(luò)、生物、醫(yī)藥和工業(yè)用途的MEMS產(chǎn)品。目前，全球已有數(shù)十家公司將MEMS技術(shù)作為光器件的基本開發(fā)技術(shù)，現(xiàn)已有的產(chǎn)品包括光開關(guān)、可變光衰減器、可調(diào)濾波器、可調(diào)激光器、共振腔探測(cè)器、增益均衡器、調(diào)制器及光斬波器等。據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司CIR預(yù)測(cè)：光MEMS市場(chǎng)將從2003年的5.6億美元增加到2007年的17億美元，其中，基于MEMS的小型光開關(guān)將取代傳統(tǒng)的機(jī)械式光開關(guān)，而依賴光MEMS構(gòu)建的設(shè)備的實(shí)際市場(chǎng)總額則將達(dá)到數(shù)十億美元。

4.結(jié)語

　　全球光纖通信市場(chǎng)在經(jīng)歷了近三年的冬眠期之后，隨著朗訊市場(chǎng)份額的好轉(zhuǎn)和市值的抬頭，使人們重新燃起了春天的希望。盡管近年來MEMS光器件制造商風(fēng)云變幻，潮起潮落，但MEMS技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域不僅僅是光通信，依然保持著強(qiáng)勁的生命力。以其研究方向多元化、加工工藝多樣化、系統(tǒng)單片集成化、制造與封裝統(tǒng)一化、應(yīng)用領(lǐng)域全面化為標(biāo)志的固有特征和先天優(yōu)勢(shì)，必將在通信、導(dǎo)航、傳感、醫(yī)用、交通、航空航天等軍事和民用領(lǐng)域得到廣泛的推廣和應(yīng)用。

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