高速數(shù)據(jù)應(yīng)用中ESD抑制技術(shù)

　　通過采用間隙技術(shù)(gap technology)，特別是采用空氣作為間隙，已經(jīng)在低電容抑制器、更低漏電流、更低鉗位電壓等方面實現(xiàn)了可觀的性能提升?？傊?，在重復(fù)多次或持續(xù)的ESD事件后，聚合物間隙抑制器會降級，而空氣間隙器件仍將保持非常低的電容、漏電流和觸發(fā)電壓，即使在1s事件間隔內(nèi)經(jīng)過1000次ESD事件，也能保持良好的性能。

　　靜電放電保護方案概覽

　　對于數(shù)據(jù)速率在350Mb/s或低于350Mb/s的應(yīng)用，瞬態(tài)抑制二極管和多層壓敏電阻是提供保護的極好選擇。這些應(yīng)用包括標(biāo)清LCD顯示器、TFT顯示器，以及大多數(shù)的計算機周邊接口及連接。這些信號天生就允許高的插入損耗、高鉗位電壓和觸發(fā)電壓。鑒于電源引腳上并沒有任何信號，因此，高速抑制相應(yīng)并不是必需的。瞬態(tài)抑制二極管和多層壓敏電阻也可以有效地保護像USB 2.0以及其他更高速率的接口電源引腳。但是，對于像DVI、HDMI、USB 3.0以及最新的IEEE 1394 A和B標(biāo)準(zhǔn)下的數(shù)據(jù)通信線路，實現(xiàn)最小信號失真的高速抑制響應(yīng)對于系統(tǒng)性能和電路保護是至關(guān)重要的。這些應(yīng)用包括數(shù)字視頻設(shè)備、MP3播放器、手機、PDA、網(wǎng)絡(luò)交換器、有線和衛(wèi)星電視機頂盒、打印機、掃描儀、復(fù)印機以及筆記本電腦和上網(wǎng)本等計算機設(shè)備。歡迎轉(zhuǎn)載，本文來自電子發(fā)燒友網(wǎng)(http://www.elecfans.com )

　　圖1 不同數(shù)據(jù)速率對應(yīng)的靜電放電抑制技術(shù)

　　抑制器技術(shù)比較

　　表1給出了在靜電放電抑制器件中常用的幾種核心技術(shù)的優(yōu)點和缺點對比。聚合物靜電放電抑制器件在各種技術(shù)中可提供最低的漏電流，可承受非常高的靜電放電電壓脈沖，但在多次靜電放電事件后器件會開始降級。除此之外，該類器件相對高的觸發(fā)電壓和鉗位電壓(比空氣間隙放電產(chǎn)品高出50～100倍)則意味著更多的靜電放電脈沖能量可以通過被保護的電路。

　　表1 幾種不同抑制器技術(shù)比較

　　多年以來，在多種電器設(shè)備中廣泛應(yīng)用多層壓敏電阻來提供有效的靜電放電抑制。多層壓敏電阻相對較低的擊穿電壓和觸發(fā)電壓以及能經(jīng)受多次脈沖的能力是相當(dāng)令人滿意的?？墒牵鄬訅好綦娮杈哂休^高的漏電流和電容，并且降低電容帶來的有害影響導(dǎo)致其無法勝任高速數(shù)據(jù)的應(yīng)用。

　　基于硅的瞬態(tài)電壓抑制器件工作在標(biāo)準(zhǔn)P/N結(jié)的擊穿狀態(tài)，相比基于聚合物-間隙(polymer-gapbased)的器件可提供相對低的觸發(fā)電壓和鉗位電壓。該類器件的泄漏電流比空氣間隙器件(air-gap device)的高10～20倍，其相對較高的固有電容導(dǎo)致高信號失真和插入損耗?；诳諝忾g隙的器件在以上討論過的所有技術(shù)中可提供最低的電容和鉗位電壓，其工作在兩個電極間的惰性氣體擊穿狀態(tài)?；诳諝忾g隙的器件可以防止高達15kV的脈沖，它們在經(jīng)歷1000次脈沖沖擊后性能特點也相當(dāng)穩(wěn)定(如圖2所示)。基于空氣間隙的器件泄漏電流略高于基于聚合物-間隙的器件，但是其電容和插入損耗與聚合物器件相當(dāng)或者稍好一些，并且其鉗位電壓和觸發(fā)電壓要低得多。

　　圖2 基于空氣-間隙的器件在經(jīng)歷1000次脈沖沖擊后性能特點也相當(dāng)穩(wěn)定

　　應(yīng)用及終端產(chǎn)品

　　許多高速數(shù)據(jù)應(yīng)用和終端產(chǎn)品采用混合式保護方式，在數(shù)據(jù)和時鐘線上采用基于間隙的器件，在電源連接部分采用多層壓敏電阻或基于硅的瞬態(tài)電壓抑制二極管。例如，USB接口的D+和D–線要求高速保護，這可以采用分立的芯片利用附加的多層壓敏電阻或瞬態(tài)電壓抑制器件用于VDD電源保護。PC、筆記本電腦、上網(wǎng)本等產(chǎn)品中常常需要多個USB接口連接。

　　對于這些設(shè)備，兩個分離的端口的數(shù)據(jù)線對(data line pairs)可以采用在USB控制器和端口之間的一個單芯片陣列來實現(xiàn)保護功能(如圖3所示)。理想情況下，靜電放電抑制器件應(yīng)該盡可能地在物理上靠近USB端口，以保證提供合適的電路保護。

　　圖3 兩個分離的端口的數(shù)據(jù)線對可以采用在USB控制器和端口之間的一個單芯片陣列來實現(xiàn)保護功能

　　現(xiàn)在，在高清電視和顯示器中，HDMI連接已經(jīng)非常普遍。這些連接器共擁有19個引腳，包括：3個數(shù)據(jù)通道對(data channel pairs)(每個帶一個地)、一個TMDS對(加上地)、DDC數(shù)據(jù)、時鐘、CE遠程線，所有這些都需要高速保護。通過將2個數(shù)據(jù)通道對采用一個陣列，另一個數(shù)據(jù)通道對與TMDS時鐘對采用一個陣列，則只需要兩個靜電放電抑制陣列，即可對8個高速連接提供有效的保護，剩下的3個(DDC數(shù)據(jù)、時鐘、CE遠程線)可以采用分立的靜電放電抑制芯片來實現(xiàn)保護功能。

　　數(shù)碼相機、手機、PDA中常用的小型存儲卡的保護相對來說就比較簡單了，唯一不同的一點要求是器件的尺寸要小，像0402尺寸的器件就可以很好地滿足要求。

　　雖然0201尺寸的器件還不能確定什么時候會面市，但可以預(yù)見將來會出現(xiàn)0201尺寸的器件。對這些SIM卡，常用分立的高速抑制芯片來保護I/O、時鐘、復(fù)位引腳，而VCC電源引腳則采用多層壓敏電阻或瞬態(tài)抑制器件來實現(xiàn)保護功能。

　　由USB、HDMI、DVI以及其他的高速接口帶來的更快的數(shù)據(jù)通信速率，使得過去傳統(tǒng)的ESD解決方案不再有效。多層壓敏電阻和基于硅的瞬態(tài)電壓抑制器件具有太高的電容，導(dǎo)致無法保證高速數(shù)據(jù)通信時的不失真和插入損耗。新型的基于間隙的器件將有效電容大大降低，達到0.05pF或者更低。此外，基于間隙的器件可提供非常低的漏電流和極高的穩(wěn)定性，甚至可以經(jīng)受上千次的ESD事件。近期的技術(shù)突破使得比聚合物器件具有更低電容和更低觸發(fā)電壓，以及鉗位電壓的基于空氣間隙的ESD抑制器件成為現(xiàn)實。低觸發(fā)電壓和低鉗位電壓意味著可實現(xiàn)更精確的保護，以及更少的來自ESD的能量到達敏感器件，以得到更長久的可靠性。