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手把手教你讀懂FET(圖文解說)

作者: 時(shí)間:2011-05-05 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
現(xiàn)在;一臺(tái)臺(tái)電源,幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個(gè)電源工程師都用過這東西,或用來逆變;或用來整流;或就當(dāng)個(gè)開關(guān)。

  由于用處不同;每個(gè)廠家都對(duì)不同用處FET做了專門優(yōu)化。以致同樣耐壓/電流的FET;有多個(gè)型號(hào)。自然;每個(gè)廠家都有其獨(dú)特的特點(diǎn)。高低貴賤;百花齊放,可見;作為工程師,讀懂FET;選取最合適的器件,是多重要!

  FET管是由一大群小FET在硅片上并聯(lián)的大規(guī)模集成功率開關(guān)。每個(gè)小FET叫胞,每個(gè)胞的電流并不大,只有百毫安級(jí)。設(shè)計(jì)師采用螞蟻捍樹的辦法;多多的數(shù)量FET并聯(lián);達(dá)到開關(guān)大電流。也就是同樣大小硅片和耐壓下;胞越多;允許電流越大。

  得益于多胞結(jié)構(gòu);FET的寄身二極管擁有了耐受電壓擊穿的能力。即所謂的雪崩耐量。在數(shù)據(jù)表中;以EAR(可重復(fù)雪崩耐量)和EAS(單次雪崩耐量)表示。它表征了FET抗電壓(過壓)沖擊的能力。因此;許多小功率反激電源可以不用RCD吸收,F(xiàn)ET自己吸收就夠了。

  用在過壓比較嚴(yán)重的場(chǎng)合,這點(diǎn)要千萬注意啊!大的雪崩耐受力;能提高系統(tǒng)的可靠性!FET的這個(gè)能力和電壓;終身不會(huì)改變。

  


  紅色指示的是FET開關(guān)的溝道,蘭色的是寄生的體二極管。

  平時(shí);FET是關(guān)斷的。當(dāng)柵上加正壓時(shí);在鄰近柵的位置;會(huì)吸引許多電子。這樣;鄰近的P型半導(dǎo)體就變成了N型;形成了連接兩個(gè)N取的通道(N溝道),F(xiàn)ET就通了。顯然;FET的耐壓越高;溝道越長(zhǎng);電阻越大。這就是高壓FET的RDSON大的原因,反之;P溝FET也是一樣的,這里不在敘述。

  所以;功率FET,常被等效為:

  

  FET是實(shí)實(shí)在在的物質(zhì)構(gòu)成的;里面有導(dǎo)體/半導(dǎo)體/絕緣體。這些物質(zhì)的相互搭配;做成了FET。那么;任何兩個(gè)絕緣的導(dǎo)體,自然構(gòu)成了物理電容——寄生電容

  

手把手教你讀懂FET(圖文解說)

  紅色的就是DS間的寄生電容Coss。藍(lán)色的就是密勒電容Cgd。黑色的就是柵原電容Cgs

  下面;分析這些電荷在開/關(guān)狀態(tài)下,是如何影響FET工作的。FET靜態(tài)關(guān)斷時(shí),Cgd/Cgs充電狀態(tài)如圖示:

  

手把手教你讀懂FET(圖文解說)

  柵電壓為零,Qgs=0。Qgd被充滿,Vgd=Vds。

  注:由于Cds通常和其它雜散電容并聯(lián)在一起;共同對(duì)電源施加影響,因此;這里暫時(shí)不做分析。問題將在后面和雜散參數(shù)一起一并討論。

  給FET的柵極施加正脈沖。由于Cgd在承受正壓時(shí),電容量非常小(Cgd雖然小;但是Qgd=Cgd*Ugd,Qgd仍然是很大的),Cgs遠(yuǎn)大于Cgd。因此;脈沖初期,驅(qū)動(dòng)脈沖主要為Cgs充電,直到FET開始開啟為止。開啟時(shí);FET的柵電壓就是門檻電壓Vth。

  

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  當(dāng)FET柵電壓達(dá)到Vth,F(xiàn)ET開始導(dǎo)電。無論負(fù)載在漏極還是在源極,都將因有電流流過而承受部分或全部電壓。這樣FET將經(jīng)歷由阻斷狀態(tài)時(shí)承受全部電壓逐漸變到短路而幾乎沒有電壓降落為止的過程。

  這個(gè)過程中,Cgd同步經(jīng)歷了放電過程。放電電流為I=Qgd/ton。

  

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  Igd——密勒電流分流了FET的驅(qū)動(dòng)電流!使得FET的柵電壓上升變緩。

  

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  彌勒電荷越大;這個(gè)斜坡越長(zhǎng)。

  彌勒電荷不僅和器件有關(guān)還和漏極電壓有關(guān)。一般;電壓越高;電荷量越大。

  FET的柵電壓達(dá)到Vth后;電流流過FET的溝道,此時(shí);FET工作在線性區(qū)。FET視在斜率隨Id大小變化而變。但;從Vg、Id的變化量看,兩者之比就是FET跨到S。即S=(Id2-Id1)/(Vgs2-Vgs1)。

  

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  由于在FET開的過程中,柵電壓變緩,是彌勒電容分流引起的,所以;也叫彌勒效應(yīng)區(qū)。

  因此;在斷續(xù)反激電源里,彌勒效應(yīng)區(qū)的柵電壓斜率基本不變。而正激、半/全橋等;斜率隨負(fù)載而變

  彌勒效應(yīng)時(shí)間(開關(guān)時(shí)間)ton/off=Qgd/Ig

  注:1)Ig指FET的柵驅(qū)動(dòng)電流。

  FET “ON” Ig=(Vb-Vth)/Rg

  2)Vb:穩(wěn)態(tài)柵驅(qū)動(dòng)電壓

  FET經(jīng)過彌勒區(qū)后;完全導(dǎo)通。原先阻斷D-S的PN結(jié)被開啟的溝道短路。由于失去了部分絕緣層,Cgd變大;以至和Cgs相當(dāng)。并且;Cgd通過低阻抗的開啟溝道;和Cgs實(shí)現(xiàn)物理上的并聯(lián)。這樣;使得后期的驅(qū)動(dòng)?xùn)烹妷貉匕l(fā)生了變化。如圖示

  

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  FET的關(guān)斷過程和開啟過程的物理變化是一樣的,只是過程剛好相反

  

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  如前面介紹,完整周期的驅(qū)動(dòng)波型如圖示

  

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  貼個(gè)典型實(shí)測(cè)柵VD的波型,體驗(yàn)一下其中的奧妙。

  

手把手教你讀懂FET(圖文解說)

  EAR/EAS這兩個(gè)量描述的是FET抗雪崩擊穿的能力。

  EAR描述的是可重復(fù)的雪崩耐量。EAS描述的是單次耐量。

  如在小功率反激里;取消RCD吸收后,大電流負(fù)載時(shí)的漏極電壓就需要EAR這個(gè)量來考核安全。再如大電流半/全橋電路里,橋短路時(shí)電流非常大;即便在安全工作區(qū)能關(guān)斷FET;仍會(huì)因引線等雜散寄生電感的作用而產(chǎn)生過壓,當(dāng)關(guān)的比較快時(shí);過壓就會(huì)超過FET耐壓極限而擊穿。EAS是衡量FET此時(shí)是否安全的參量...這里只列舉了這兩個(gè)量的概念了兩個(gè)實(shí)際工程中的應(yīng)用實(shí)例。它們的意義遠(yuǎn)非這些。

  這是這兩個(gè)量的典型圖表:

  

手把手教你讀懂FET(圖文解說)
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  安全工作區(qū)SOA,先看這兩張圖

  

手把手教你讀懂FET(圖文解說)

  這是兩個(gè)同為600V的MOSFET,都能在600V下承受最大飽和電流。即在15V柵壓時(shí);MOSFET能流過的最大電流(MOSFET進(jìn)入了線性區(qū);呈恒流狀態(tài)),此時(shí)的電流不隨電壓增高而增加!

  狀態(tài)位置見圖中蘭圈內(nèi)的紅線區(qū)域

  

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