鋰電池保護(hù)IC的功能原理
鋰離子電池的保護(hù)電路就是要確保這樣的過(guò)度充電及放電狀態(tài)時(shí)的安全性,并防止特性的劣化。鋰離子電池的保護(hù)電路是由保護(hù)IC、及兩顆Power-MOSFET所構(gòu)成。其中保護(hù)IC為監(jiān)視電池電壓;當(dāng)有過(guò)度充電及放電狀態(tài)時(shí),則切換以外掛的Power-MOSFET來(lái)保護(hù)電池,保護(hù)IC的功能為: (1)過(guò)度充電保護(hù)、(2)過(guò)度放電保護(hù)、(3)過(guò)電流/短路保護(hù)。以下就這三項(xiàng)功能的保護(hù)動(dòng)作加以說(shuō)明。
(1) 過(guò)度充電:
當(dāng)鋰電池發(fā)生過(guò)度充電時(shí),電池內(nèi)電解質(zhì)會(huì)被分解,使得溫度上升并產(chǎn)生氣體,使得壓力上升而可能引起自燃或爆裂的危機(jī),鋰電池保護(hù)IC用意就是要防止過(guò)充電的情形發(fā)生。
過(guò)度充電保護(hù)IC原理:
當(dāng)外部充電器對(duì)鋰電池充電時(shí),為防止因溫度上升所導(dǎo)致的內(nèi)壓上升,需終止充電狀況,此時(shí)保護(hù)IC需檢測(cè)電池電壓,當(dāng)?shù)竭_(dá)4.25V時(shí)(假設(shè)電池過(guò)充點(diǎn)為4.25V)及激活過(guò)充電保護(hù),將Power MOS由ON'OFF,進(jìn)而截止充電。
另外,過(guò)充電檢出,因噪聲所產(chǎn)生的誤動(dòng)作也是必須要注意的,以免判定為過(guò)充保護(hù),因此需要延遲時(shí)間的設(shè)定,而delay time也不能短于噪聲的時(shí)間。
(2) 過(guò)度放電:
在過(guò)度放電的情形下,電解液因分解而導(dǎo)致電池特性劣化,并造成充電次數(shù)的降低,鋰電池保護(hù)IC用以保護(hù)其過(guò)放電的狀況發(fā)生, 達(dá)成保護(hù)動(dòng)作。
過(guò)度放電保護(hù)IC原理:
為了防止鋰電池過(guò)度放電之狀態(tài),假設(shè)鋰電池接上負(fù)載,當(dāng)鋰電池電壓低于其過(guò)放電電壓檢測(cè)點(diǎn)(假設(shè)設(shè)定為2.3V),將激活過(guò)放電保護(hù),將Power MOS由ON'OFF,進(jìn)而截止放電,達(dá)成保護(hù)以避免電池過(guò)放電現(xiàn)象發(fā)生, 并將電池保持在低靜態(tài)電流的狀態(tài)(standby mode),此時(shí)耗電為0.1uA
當(dāng)鋰電池接上充電器,且此時(shí)鋰電池電壓高于過(guò)放電電壓時(shí),過(guò)放電保護(hù)功能方可解除。
另外,為了對(duì)于脈沖放電之情形,過(guò)放偵測(cè)設(shè)有延遲時(shí)間用以預(yù)防此種誤動(dòng)作的發(fā)生。
(3) 過(guò)電流及短路電流:
因?yàn)椴幻髟?放電時(shí)或正負(fù)極遭金屬物誤觸)造成過(guò)電流或短路電流發(fā)生,為確保安全,使其停止放電。
電流保護(hù)IC原理:
當(dāng)放電電流過(guò)大或短路情況發(fā)生時(shí),保護(hù)IC將激活過(guò)(短路)電流保護(hù),此時(shí)過(guò)電流的檢測(cè)是將Power MOS的Rds(on)當(dāng)成感應(yīng)阻抗用以監(jiān)測(cè)其電壓的下降情形,若比所定的過(guò)電流檢測(cè)電壓還高則停止放電,
公式為:
V-(過(guò)電流檢測(cè)電壓)=I(放電電流)*Rds(on)*2
假設(shè)V-=0.2V, Rds(on)=25mΩ,則保護(hù)電流的大小為I=4A
同樣的,過(guò)電流檢出也必須要設(shè)有延遲時(shí)間以防有突然的電流流入時(shí),會(huì)發(fā)生誤動(dòng)作,使其發(fā)生保護(hù)的誤動(dòng)作。
通常在過(guò)電流發(fā)生后,若能移除過(guò)電流之因素(例如:馬上與負(fù)載脫離..),就會(huì)回復(fù)其正常狀態(tài),可以再實(shí)行正常的充放電動(dòng)作。
鋰電池保護(hù)IC的新功能:
除了上述的鋰電池保護(hù)IC功能之外,現(xiàn)在還有一些新的功能值得我們注意,以東瑞電子所獨(dú)家代理的"Ricoh"鋰電池保護(hù)IC為例---R5426
(1) 充電時(shí),過(guò)電流之保護(hù):
當(dāng)連接充電器在充電時(shí)突然有過(guò)電流發(fā)生(充電器損壞),即發(fā)生充電時(shí)過(guò)電流檢測(cè),此時(shí)將Cout將由High'Low,Power MOS由ON'OFF,達(dá)成保護(hù)之動(dòng)作.
V-(Vdet4過(guò)電流檢測(cè)電壓)=I(充電電流)*Rds(on)*2
注:Vdet4為-0.1V
(2) 縮短測(cè)試時(shí)間:
假設(shè)測(cè)完一片PCB所需要花的時(shí)間為1秒,那100萬(wàn)片則需要100萬(wàn)秒,非常的耗時(shí),同樣的也很沒(méi)有效率,故我們可以利用以下之功能來(lái)縮短測(cè)試時(shí)間.
(A) 當(dāng)我們將R5426之DS pin open時(shí),此時(shí)delay time為規(guī)格書上所示
(B) 當(dāng)我們將R5426之DS pin接VDD時(shí),此時(shí)delay time將只有1/90.
(C) 當(dāng)我們將R5426之DS pin接Vim(min=1.2V,max=VDD-1.1V),此時(shí)將可忽略delay time
(3) 過(guò)充時(shí)鎖住模式(Latch):
通常保護(hù)IC在過(guò)充電保護(hù)時(shí)經(jīng)過(guò)一段延遲時(shí)間之后就會(huì)將Power MOS關(guān)掉(Cout),用以達(dá)到保護(hù)的目的,當(dāng)鋰電池電壓一直下降到解除點(diǎn)(Overcharge Hysteresis Voltage)時(shí)就會(huì)回復(fù),此時(shí)又會(huì)繼續(xù)的充電,又保護(hù),又放電充電放電,這種情形并不是一種很好的狀況且安全性的問(wèn)題將無(wú)法有效的獲得解決.
鋰電池一直重復(fù)著做著充電放電充電放電的動(dòng)作, Power MOS的Gate將反復(fù)的High/Low,這樣可能會(huì)使MOSFET變熱.,也同時(shí)對(duì)于電池的壽命造成引想,由此可知Latch Mode的重要性。
假如鋰電時(shí)保護(hù)電路在偵測(cè)到過(guò)充電保護(hù)時(shí)有Latch Mode,MOSFET將不會(huì)變熱,且安全性相對(duì)的提高許多.
在偵測(cè)到過(guò)充電保護(hù)之后,只要有連接充電器在電池包上,此時(shí)之狀態(tài)及到達(dá)過(guò)充時(shí)鎖住模式,因此,雖然鋰電池的電壓一值下降,但不會(huì)發(fā)生再充電的情形.要解除這個(gè)狀況,只要將充電器移除并連接負(fù)載即可回復(fù)充放電的狀態(tài)。
(4) 縮小保護(hù)電路組件:
將過(guò)充電和短路保護(hù)用的延遲電容給內(nèi)包到保護(hù)IC里面
保護(hù)IC的要求:
(A) 過(guò)度充電保護(hù)的高精化:
當(dāng)鋰離子電池有過(guò)度充電狀態(tài)時(shí),為防止因溫度上升所導(dǎo)致的內(nèi)壓上升,須截止充電狀態(tài)。此保護(hù)IC即檢視電池電壓,當(dāng)偵測(cè)到過(guò)度充電時(shí),則過(guò)度充電偵測(cè)的Power-MOSFET使之OFF而截止充電。此時(shí)所應(yīng)注意者,就是過(guò)度充電的檢測(cè)電壓的高精度化,在電池充電時(shí),使電池充電到飽滿的狀態(tài)是使用者很在意的問(wèn)題,同時(shí),兼顧到安全性的問(wèn)題,就得在達(dá)到容許電壓時(shí)截止充電狀態(tài)。要同時(shí)符合這兩個(gè)條件,就要有非常高精度的偵測(cè)器,目前精度為25mV,但將來(lái)勢(shì)需有更精度的要求。
(B) 減低保護(hù)IC的耗電流達(dá)到過(guò)度放電保護(hù)目的:
已充過(guò)電的鋰離子電池電隨著使用時(shí)間,電池電壓會(huì)漸減,最后低到規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)值以下。此時(shí)就需要再度充電。若未充電而繼續(xù)使用的話,恐就無(wú)法再充電了(過(guò)放電狀態(tài))。而為防止過(guò)放電狀態(tài),保護(hù)IC即要偵測(cè)電池電壓的狀態(tài),一旦到達(dá)過(guò)放電偵測(cè)電壓以下,就得使放電一方的Power-MOSFET OFF而截止放電。但此時(shí)電池本身仍有自然放電及保護(hù)IC的消費(fèi)電流存在,因此需要使保護(hù)IC的耗電流降到最低的程度。
(C) 過(guò)電流/短路保護(hù)需有低偵測(cè)電壓及高精度的要求:
因不明原因?qū)е露搪范写箅娏骱膿p時(shí),為確保安全而使之停止放電。在過(guò)電流的偵測(cè)是以Power MOS的Rds(on)為感應(yīng)阻抗,以監(jiān)視其電壓的下降,此時(shí)的電壓若比過(guò)電流偵測(cè)電壓還高時(shí)即停止放電。為了使Power MOS的Rds(on)在充電電流與放電電流時(shí)有效的應(yīng)用,需使該阻抗值盡量低,(目前約20mΩ ~30mΩ )。如此,過(guò)電流偵測(cè)電壓就可較低。
(D) 實(shí)現(xiàn)耐壓值:
電池包與充電器連接時(shí)瞬間會(huì)有高壓產(chǎn)生,因此保護(hù)IC因具備有"耐高壓的要求(Ricoh的保護(hù)IC即可承受到
評(píng)論