高壓MOS/IGBT的短路保護(hù)電路

　　帶短路保護(hù)鎖定的驅(qū)動的3腳為短路信號檢測入端;2腳為驅(qū)動地;1腳為驅(qū)動輸出。

　　當(dāng)電路存在短路的時候流過MOS的電流很大在S極電阻兩端產(chǎn)生的壓降導(dǎo)致三極管由截止進(jìn)入導(dǎo)通(當(dāng)然導(dǎo)到什么程度具體跟MOS的跨導(dǎo)有關(guān)系)，因此驅(qū)動電阻上面有壓降，MOS進(jìn)入放大區(qū)。這個時候高電壓不會通過MOS進(jìn)行強電流放電，因而芯片不會有局部過熱的可能，在很短的時間內(nèi)保護(hù)電路檢測到短路存在關(guān)閉并鎖定驅(qū)動電壓輸出，MOS僅承受了動作時間內(nèi)的恒流功率損耗，安全性得到了很大提高。

　　此電路僅作為理解原理使用具體參數(shù)看實際工況選取。

　　S級的電阻是根據(jù)你選定的MOS的IDM(Pulsed Drain Current留余量)選定的,至于跨導(dǎo)這個不是主要因數(shù);這里三極管并不工作在開關(guān)狀態(tài)他只是根據(jù)MOS的瞬態(tài)電流值調(diào)整MOS的驅(qū)動電壓,保證在短路出現(xiàn)的時候IDM不至于超出安全工作范圍,這個時候由于在1US甚至更短的時間內(nèi)驅(qū)動已經(jīng)被關(guān)斷并鎖定,所以不存在過功損耗.三極管的反映時間越快越好.其實這個電路是電流負(fù)反饋電路演變過來的.電路如下: