AT45DB161在稅控器開發(fā)中的應(yīng)用

引言

稅控設(shè)備是國(guó)家稅務(wù)部門實(shí)施稅收管理信息化的必然手段之一，稅控器作為稅控設(shè)備之一，它是在計(jì)算機(jī)等電子設(shè)備的配合下實(shí)現(xiàn)稅控功能的電子裝置，能保證數(shù)據(jù)的正確生成、可靠存儲(chǔ)和安全傳輸，同時(shí)能滿足稅務(wù)機(jī)關(guān)的管理和數(shù)據(jù)核查等要求。它內(nèi)部裝有自動(dòng)記錄，但不能更改和抹掉計(jì)稅存儲(chǔ)器，由于系統(tǒng)記錄著每日的營(yíng)業(yè)數(shù)據(jù)和應(yīng)納稅額，因此可作為向稅務(wù)機(jī)關(guān)納稅的憑據(jù)。這就決定了稅控器中必然要包含可靠的存儲(chǔ)芯片。事實(shí)上，在眾多型號(hào)的存儲(chǔ)芯片中，at45dbl6l芯片則更加適合在稅控器中的應(yīng)用。

稅控器的總體概述

稅控器平臺(tái)應(yīng)具有實(shí)時(shí)時(shí)鐘和記錄稅控?cái)?shù)據(jù)的大容量存儲(chǔ)器、符合iso 7816標(biāo)準(zhǔn)的ic卡讀寫器，以及支持稅控卡、用戶卡和稅務(wù)管理卡。要能通過usb或串口與主機(jī)通信，同時(shí)要具有在掉電后可保存存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)和時(shí)鐘運(yùn)行的備份電池。其內(nèi)部硬件系統(tǒng)結(jié)構(gòu)見圖1所示。

flash存儲(chǔ)芯片

at45dbl61是atmel公司推出的大容量串行flash存儲(chǔ)器，采用串行外圍接口spi系統(tǒng)；同時(shí)具有體積小、容量大、功耗低和硬件接口簡(jiǎn)單等特點(diǎn)，非常易于構(gòu)成微型低功耗的測(cè)量系統(tǒng)。最大時(shí)鐘頻率可達(dá)到20mhz，它支持頁(yè)和塊(1塊=8頁(yè))擦除功能。存儲(chǔ)器有4 096頁(yè)，每頁(yè)528b容量，并有兩個(gè)528b的緩沖區(qū)，共2mb存儲(chǔ)空間。

◇at45dbl61的引腳功能

at45dbl61具有28腳tsop、28腳soic和24針cbga等封裝形式。圖2所示是其引腳排列。各引腳的主要功能如表1所列。

◇操作模式

at45dbl61的操作碼有26條，按操作對(duì)象的不同可以分為與頁(yè)相關(guān)操作和與頁(yè)無關(guān)操作；與頁(yè)相關(guān)操作包括：讀主存頁(yè)、主存頁(yè)數(shù)據(jù)拷貝到緩沖區(qū)、主存頁(yè)與緩沖區(qū)數(shù)據(jù)比較、緩沖區(qū)數(shù)據(jù)寫入主存頁(yè)、頁(yè)擦除、塊擦除、頁(yè)編程和頁(yè)重寫等；與頁(yè)無關(guān)操作則包括：讀緩沖區(qū)、寫緩沖區(qū)和讀狀態(tài)寄存器。其中緩沖區(qū)數(shù)據(jù)寫入主存頁(yè)的操作中又包括寫前擦除和邊寫邊擦，具體應(yīng)用要依據(jù)實(shí)際情況來定：如果寫數(shù)據(jù)前已確保該頁(yè)被擦除(數(shù)據(jù)全是0xff)，則可使用寫前擦除操作來減少操作時(shí)間，以提高系統(tǒng)的速度；而如果不能保證該頁(yè)已經(jīng)被擦除，為保險(xiǎn)起見，建議使用邊寫邊擦操作來提高系統(tǒng)的可靠性。

at45dbl61支持spi系統(tǒng)工作方式，spi的四種工作方式如圖3所示。

其中支持spi 0和spi 3兩種方式的時(shí)序圖分別如圖4和圖5所示。

對(duì)于不同的操作模式，即使在執(zhí)行相同的操作時(shí)，其操作碼也可能不同。如讀存儲(chǔ)頁(yè)操作，spi 0模式下的命令代碼為52h，而spi 3模式下的命令代碼則為d2h。

除讀狀態(tài)寄存器外，所有的命令格均示于圖6圖中的rr：代表保留位，建議清零。

操作時(shí)，mcu首先向at45dbl6l發(fā)送1個(gè)命令字節(jié)，其后跟隨24位地址數(shù)據(jù)(前兩位為保留位，其后12位為頁(yè)地址選擇位，最后10位為頁(yè)內(nèi)開始字節(jié)地址)，最后根據(jù)不同的操作對(duì)si執(zhí)行不同的處理。如寫操作后面緊跟著待寫入的數(shù)據(jù)(高位在前)，那么，讀存儲(chǔ)頁(yè)就要延遲32個(gè)sck時(shí)鐘周期以處理讀操作，讀緩沖區(qū)則需延遲8個(gè)sck時(shí)鐘周期。讀狀態(tài)寄存器的時(shí)序(spi 0)如圖7所示。

讀狀態(tài)寄存器(sck上升沿寫入)時(shí)，在寫入命令字節(jié)(57h)后，如沒有地址數(shù)據(jù)，那么，在其后的8個(gè)sck周期就可以直接從so讀取status數(shù)據(jù)，而且可以連續(xù)讀取，直到片選信號(hào)/cs置高為止。

基于at45dbl61稅控器的存儲(chǔ)電路設(shè)計(jì)

◇系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)

圖8所示為at45db16l與w78e516b連接示意圖。雖然flash的工作電壓和mcu不同，但它們都不需要電平轉(zhuǎn)換，兩者仍能正常通訊，從而簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)，節(jié)約了系統(tǒng)成本。由于wp接高電平，因而去掉了flash前256個(gè)字節(jié)的寫保護(hù)功能，并且不會(huì)對(duì)系統(tǒng)的安全造成隱患，同時(shí)還節(jié)約了單片機(jī)的i/o口資源。為了保證對(duì)flash操作的可靠性，上電后，可對(duì)flash在操作前復(fù)位一次。at45db16l的rdy沒有占用單片機(jī)的i/o口，可在軟件處理中通過讀狀態(tài)寄存器的方法來確定flash內(nèi)部操作是否處于忙狀態(tài)。

◇系統(tǒng)軟件設(shè)計(jì)

系統(tǒng)中包含智能卡的讀寫、flash讀寫和串口通訊處理操作，對(duì)于智能卡讀寫和串口通訊處理，由于和本文的側(cè)重點(diǎn)相關(guān)不大，就不再一一介紹了。flash的讀寫操作主要包括讀緩沖區(qū)、讀存儲(chǔ)頁(yè)、讀狀態(tài)寄存器、寫緩沖區(qū)和寫存儲(chǔ)頁(yè)。下面以flash的讀寫存儲(chǔ)頁(yè)的操作為例，簡(jiǎn)要介紹一下軟件處理流程。

flash寫數(shù)據(jù)過程都采用先寫入緩沖區(qū)，再?gòu)木彌_區(qū)寫入存儲(chǔ)頁(yè)中方法，且數(shù)據(jù)都是以頁(yè)為單位，每次要寫入528個(gè)字節(jié)。如果只修改頁(yè)中部分?jǐn)?shù)據(jù)，而保留該頁(yè)其他數(shù)據(jù)，那么，必須先把該頁(yè)數(shù)據(jù)拷貝到緩沖區(qū)中，然后調(diào)用寫緩沖區(qū)操作，再把緩沖區(qū)的數(shù)據(jù)寫入該存儲(chǔ)頁(yè)中。具體的實(shí)現(xiàn)請(qǐng)參考文獻(xiàn)[1]。

結(jié)束語(yǔ)

at45dbl61串行flash存儲(chǔ)芯片在稅控器中的實(shí)際應(yīng)用效果很好，而且編程也比較簡(jiǎn)單，與其它一些flash存儲(chǔ)芯片相比，at45db16的突出特點(diǎn)是電路簡(jiǎn)單，存儲(chǔ)容量大，占用系統(tǒng)資源少。