日本創(chuàng)深紫外線發(fā)光二極管輸出功率紀錄
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波長在220納米至350納米之間的高功率深紫外線發(fā)光二極管在殺菌、凈水、醫(yī)療、高密度光紀錄、高顯色性LEDled/' target='_blank'>照明以及高速分解處理公害物質(zhì)等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。迄今為止，深紫外線光源以準分子激光和各種倍頻激光等氣體和固體為媒介的紫外激光和氣體燈為主流，但是存在體積大、壽命短、價格高的缺點，難以實際應(yīng)用。而使用半導體的高亮度深紫外線LED和深紫外線LD,可以實現(xiàn)小型化，得到廉價、高效和長壽命的紫外光源，應(yīng)用前景更加廣闊。
氮化鋁鎵材料被認為是最理想的深紫外線發(fā)光材料，研究小組通過降低氮化鋁鎵緩沖層脫位密度以及把作為電子塊層的多量子屏障插入量子阱發(fā)光層的上部，實現(xiàn)了世界最高功率輸出。該研究成果打破了以往深紫外線LED不可能實現(xiàn)高功效的認識，成功使紫外線輸出功率達到實用水平。同時，多量子屏障不僅對紫外線發(fā)光元件，對已經(jīng)實用的藍色LED、綠色LD及LED、白色LED燈的效率的提高也有可能。
在殺菌方面，紫外線直接殺菌效率最高的是250納米至280納米附近的波長域，而在分解有機物、塵埃、二■英等難分解性污染物質(zhì)方面，用波長270納米至320納米帶紫外光照射氧化鈦等光催化劑的紫外線照射系統(tǒng)具有比較好的分解效果。研究小組計劃進一步提高波長250納米至280納米帶的殺菌用深紫外線效率，直至實現(xiàn)波長220納米至390納米廣域波長的高效化，并對深紫外線的高功率輸出進行深入研究，以期將目前1.5%的效率提高至十位數(shù)百分點。
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