低電壓故障保護(hù)
在現(xiàn)有設(shè)計(jì)中,大多數(shù)系統(tǒng)工作于標(biāo)準(zhǔn)電源電壓(單極性3.3v或5v,或雙極性±3.3v或±5v),這個(gè)電壓通常也是板上的最高電壓。在實(shí)際使用中,電路板的輸入端子可能會(huì)暴露于比電源電壓更高的電壓之下,同時(shí),電路板電源被切斷后,輸入端子上的電壓有可能仍然存在。受這種過壓影響的第一個(gè)元件常常是多路復(fù)用器或開關(guān),這就要求為開關(guān)元件和下游電路提供適當(dāng)?shù)谋Wo(hù)。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/21360.htm模擬開關(guān)內(nèi)的通道元件通常包括一個(gè)或更多的mosfet,同時(shí)還包含有寄生鉗位二極管(鉗位至電源電壓),用于esd保護(hù)。圖1顯示了一個(gè)閉合的模擬開關(guān)的等效電路圖。只要v+和v-存在,并且輸入電壓不超過:電源電壓 + 鉗位二極管的正向偏壓(典型0.6v),二極管就處于反向偏置,沒有電流通過。
圖1. 閉合開關(guān)的等效電路 不正確的電源順序會(huì)導(dǎo)致過壓故障,許多開關(guān)要求首先接通最大的“正”電壓,最后才是最低的“負(fù)”電壓。應(yīng)當(dāng)注意的是,當(dāng)電源關(guān)斷時(shí)有輸入電壓或輸入電壓超出了電源電壓時(shí),都會(huì)有電流流過鉗位二極管。這些二極管僅有數(shù)毫瓦的功率容量(取決于ic的半導(dǎo)體工藝),當(dāng)因功率耗散而產(chǎn)生的熱量超過一定容限時(shí)將會(huì)永久性地?fù)p壞開關(guān)。
更低一些的電流還可能會(huì)導(dǎo)致鎖定 - 一種導(dǎo)致開關(guān)功能失效、并從電源吸取過量電流的故障狀態(tài)。大多數(shù)情況下你只需移去開關(guān)上的所有電壓便可消除鎖定,而不會(huì)損壞開關(guān),但在此之前整個(gè)電路板將不能正常工作。
外部保護(hù)
防止模擬開關(guān)進(jìn)入鎖定狀態(tài)的一個(gè)簡(jiǎn)單方法是增加一個(gè)大電流肖特基二極管(圖2),這個(gè)二極管具有較低的正向偏壓(最大0.3v)。如果輸入電壓超過了電源電壓,肖特基的低偏壓可保證沒有電流流過鉗位二極管,因?yàn)楹笳叩牡湫驼蚱珘簽?.6v。
圖2. 利用外部肖特基二極管防止閉鎖 不過,這種無(wú)鎖定電路仍然存在有缺陷,不僅僅是因?yàn)閮芍槐Wo(hù)二極管所帶來(lái)的額外成本。肖特基二極管會(huì)讓超過電源電壓0.3v以上的任何電壓通過。對(duì)于連接到v+、v-的器件,在電源沒有接通(v+和v-位于地電平)并且輸入電壓始終低于電源線上連接的每個(gè)器件的極限值時(shí)不存在問題。
但是,這個(gè)電路并不能提供過壓保護(hù)。舉例來(lái)講,如果v+ = 5v,開關(guān)輸入端的故障電壓為8v,這時(shí)v+就會(huì)被上拉到接近7.7v - 這對(duì)于v+上連接的大多數(shù)數(shù)字器件來(lái)講過高。即使當(dāng)v+上只有開關(guān)本身,并且開關(guān)能夠承受這樣的故障電壓,這樣的高電壓還是會(huì)通過閉合的開關(guān)危及到下游器件。此外,具有多路輸入的開關(guān)需要在每個(gè)輸入端連接一個(gè)肖特基二極管到v+,這樣會(huì)增加很多成本和板上空間。
圖3電路提供了一個(gè)比較好的過壓保護(hù)方案,適合于那些在開關(guān)未接通電源之前永遠(yuǎn)不會(huì)有輸入電壓的應(yīng)用。一個(gè)常規(guī)的硅二極管的正向偏壓vd一般為0.7v,這樣在選擇齊納管擊穿電壓vz1時(shí)必須滿足vd + vz1 < v+。對(duì)于負(fù)向保護(hù)和vz2也是一樣:|d + vz2| < |v-|。二極管(齊納管和標(biāo)準(zhǔn)硅二極管)的最高額定電壓必須按照可能的最高故障電壓來(lái)選。
圖3. 利用外部二極管提供過壓保護(hù) 對(duì)于一個(gè)持續(xù)的過壓故障(而非毛刺),須在地和齊納二極管之間連接一個(gè)電阻來(lái)限制通過二極管的電流。這種保護(hù)的最大缺點(diǎn)是限制了開關(guān)的輸入電壓范圍。由于二極管的偏壓有很大差異,二極管網(wǎng)絡(luò)的最小/最大限也會(huì)有很大的差異。如果按最差的極限情況來(lái)設(shè)計(jì)網(wǎng)絡(luò),就有可能在電壓比電源電壓還低很多的情況下二極管就開始導(dǎo)通,這樣就使開關(guān)喪失了滿擺幅特性。
通過在輸入通道中串聯(lián)電阻(k級(jí))來(lái)限制流過開關(guān)中鉗位二極管的電流也可以起到某種程度的保護(hù)。不過,過電壓仍然可能威脅到開關(guān)下游的器件。串聯(lián)電阻顯著增加了開管導(dǎo)通時(shí)的通道電阻。這個(gè)電阻隨著溫度的改變會(huì)給信號(hào)帶來(lái)誤差,因?yàn)閬?lái)自于開關(guān)的泄漏電流會(huì)流過這個(gè)增大了的導(dǎo)通電阻。
內(nèi)部保護(hù)
在模擬開關(guān)內(nèi)部集成故障保護(hù)的方法首先被用于某種類型的多路復(fù)用器,它的通道元件包含三個(gè)串聯(lián)的mosfet,依次為n溝道p溝道n溝道。這種結(jié)構(gòu)可以為每個(gè)信號(hào)通道提供±100v的保護(hù)(圖4)。隨著輸入電壓接近并超過電源電壓,復(fù)用器的導(dǎo)通電阻迅速增大,限制了輸入電流,保護(hù)了復(fù)用器(以及復(fù)用器前后的器件)。對(duì)于故障電流的限制同時(shí)也阻斷了故障向其他通道的耦合。
圖4. 早期故障保護(hù)開關(guān)的導(dǎo)通電阻隨信號(hào)電壓的變化 串聯(lián)mosfet的方法也可在無(wú)電源的情況下提供保護(hù)。早期的器件,如max388或hi509a,只工作在±4.5v至±18v,有著較大的封裝、較高的導(dǎo)通電阻(最小350,最高可至3.5k),并且只能通過比電源電壓低大約2v的輸入信號(hào)電壓。
對(duì)于工作在9v至36v或±4.5至±20v范圍的器件,解決這些問題的第一步就是開發(fā)一種新的開關(guān)結(jié)構(gòu),類似于下面即將談到的低電壓故障保護(hù)方案。較之三fet串聯(lián)技術(shù),新方案最突出的優(yōu)點(diǎn)是允許滿擺幅工作和更低的導(dǎo)通電阻。內(nèi)部電路檢測(cè)到故障時(shí)自動(dòng)切斷開關(guān),阻止故障穿過開關(guān)或復(fù)用器到達(dá)其他電路。
故障狀態(tài)下,由于只有很小的漏電流流入開關(guān)或復(fù)用器,開關(guān)不會(huì)因功率耗散而損壞。和早期的3-fet方案相同,基于這種新的工藝和結(jié)構(gòu)的開關(guān)/復(fù)用器會(huì)在斷電情況下返回高阻抗?fàn)顟B(tài),因而消除了斷電情況下的故障問題。這種器件(包括max4511開關(guān)和max4508復(fù)用器系列)適合于需要±40v故障保護(hù)的高電壓系統(tǒng),但不適合于常見的3v和5v系統(tǒng)。這些器件在低電壓范圍內(nèi)沒有規(guī)定特性,它們?cè)?v電源下的rds(on)會(huì)高達(dá)數(shù)千歐。
低電壓故障保護(hù)
故障保護(hù)開關(guān)家族中的最新成員被優(yōu)化工作于單極性3.3v或5v電源,或者是雙極性(±3.3v或±5v電源。它們不需要外部保護(hù),具有最多30
(±5v電源)或100 (+3v電源)的低導(dǎo)通電阻。
如圖5所示,這些開關(guān)由一個(gè)n溝道fet (n1)和一個(gè)p溝道fet (p1)并聯(lián)構(gòu)成低阻抗輸入到輸出信號(hào)通道。只要輸入信號(hào)位于電源范圍以內(nèi),或不超出電源150mv,就可通過開關(guān)到達(dá)com端,因此允許開關(guān)滿擺幅工作。
圖5. 低電壓故障保護(hù)開關(guān)的內(nèi)部框圖 開關(guān)內(nèi)部的兩個(gè)比較器用于監(jiān)視輸入電壓,它們將輸入電壓與電源電壓v+和v-進(jìn)行比較。當(dāng)no (常開)端或nc (常閉)端上的信號(hào)位于v+和v-之間時(shí),開關(guān)正常工作。當(dāng)信號(hào)電壓超出電源約150mv時(shí)(故障情況),輸出電壓(com)被限制在電源電壓 - 保持相同極性且輸入為高阻。這是在故障比較器的控制下實(shí)現(xiàn)的,它在故障情況下關(guān)閉了n1和p1。故障比較器同時(shí)還按照以下規(guī)則控制鉗位fet (n2和p2):如果開關(guān)閉合時(shí)出現(xiàn)了負(fù)極性故障,接通n2連接com到v-。如果開關(guān)閉合時(shí)出現(xiàn)了正極性故障,則接通p2連接com到v+。如果開關(guān)開路時(shí)出現(xiàn)了故障,則輸出呈現(xiàn)高阻。
故障期間,輸入始終呈現(xiàn)為高阻,與開關(guān)狀態(tài)及負(fù)載阻抗無(wú)關(guān)。最高輸入故障電壓受限于開關(guān)元件的極限值,max4711系列為±12v。舉例來(lái)講,如果max4711工作于5v電源,則在正端可承受的最高故障電壓為+12v,而在負(fù)端為-7v (5v + |-7v| = 12v)。該器件能夠在沒有電源電壓的情況下為輸入引腳(no和nc)提供故障保護(hù),甚至斷電時(shí)提供更可靠的保護(hù),在此情況下,故障電壓可接近±12v。
邏輯輸入端(in)的過壓保護(hù)正向最高達(dá)(v+)+12v,但負(fù)向僅能超出負(fù)電源一個(gè)二極管壓降。輸出端(com)沒有保護(hù),正如上面所提到的,com電壓不應(yīng)超出任何一端電源電壓0.3v以上。
圖6顯示了一個(gè)閉合的、具有故障保護(hù)的開關(guān)在經(jīng)歷兩個(gè)方向的輸入故障電壓期間的輸出情況。通常情況下,在輸入電壓比v+ (或v-)高出150mv約200ns后,輸出(com)就會(huì)等于正(或負(fù))電源電壓減去一個(gè)fet的電壓降。當(dāng)輸入電壓返回到電源范圍以內(nèi)后,需要再經(jīng)過一個(gè)700ns (典型值)的延遲,輸出方可恢復(fù)并跟隨輸入。這個(gè)延遲和com輸出端的電阻和電容有關(guān),而和故障電壓的幅度無(wú)關(guān)。com端的電阻和電容越大,恢復(fù)時(shí)間就越長(zhǎng)。
圖6. 故障狀態(tài)下的輸入和輸出電壓 應(yīng)用
除了一些典型應(yīng)用以外,例如在ate和工業(yè)設(shè)備中作為模擬輸入的保護(hù),這些低電壓、故障保護(hù)型開關(guān)還可以在很多其他應(yīng)用中用來(lái)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和解決板上空間不足的問題。
舉例來(lái)講,為了避免切斷整個(gè)設(shè)備機(jī)箱的電源,許多應(yīng)用要求能夠向一個(gè)帶電的底板插入擴(kuò)展卡。盡管可以用max4271這樣的熱插拔控制器來(lái)限制卡上的浪涌電流,但其信號(hào)線的保護(hù)并不容易。當(dāng)你將板卡插入底板時(shí),底板的數(shù)據(jù)總線采用5v ttl電平進(jìn)行通信,這時(shí)卡上的數(shù)字ic(微控制器,asic等)就有可能在5v電源接通前在其輸入端“看到”5v電壓。前面已經(jīng)提到,這種情況會(huì)導(dǎo)致鎖定或板卡損壞。
將低電壓故障保護(hù)開關(guān)連接在敏感器件和底板之間(圖7)可以提供必要的過壓保護(hù)。這些開關(guān)在卡上電源電壓接通之前保持com輸出為高阻態(tài),電源就緒后開關(guān)閉合接通底板。開關(guān)的保護(hù)輸入(no)面向底板,未接電源時(shí)提供±12v的保護(hù),而在電源電壓穩(wěn)定后也可保護(hù)板卡不受底板上的過電壓沖擊。應(yīng)該注意的是,通常所用的來(lái)自于其他供應(yīng)商的邏輯總線開關(guān)并不能提供這種保護(hù)。它們可以提供比標(biāo)準(zhǔn)cmos器件高一些的鎖定電流容限,但不能承受持續(xù)的過電壓。
圖7. 熱插拔背板信號(hào) 在圖8所示電路中,低電壓故障保護(hù)開關(guān)在檢測(cè)到有外部電源(如墻上適配器)接入時(shí),會(huì)切斷內(nèi)部電源(一節(jié)9v電池或兩節(jié)串連的鋰電池)。通常情況下,開關(guān)由電池通過13引腳供電。低電壓肖特基二極管阻止非充電電池被外部電源充電。
圖8. 當(dāng)有外部電源接入時(shí)電池被切斷 vcc由第10引腳的開關(guān)取出,大多數(shù)應(yīng)用中,這個(gè)電壓還要由后面的電壓調(diào)節(jié)器進(jìn)行調(diào)理。一旦檢測(cè)到外部電源電壓,微控制器接通開關(guān)1和4,斷開開關(guān)3。輸出電容c在vcc由開關(guān)3切向開關(guān)4的過程中為系統(tǒng)提供電源。為了保護(hù)電池,當(dāng)開關(guān)4閉合時(shí),必須始終保持開關(guān)3處于斷開狀態(tài)。外部電源移走后,開關(guān)4和1斷開而開關(guān)3閉合。當(dāng)外部電源電壓高于電池電壓,或電池已深度放電時(shí)接入外部電源,或c已充電而電池被移走時(shí),故障保護(hù)特性可以保證開關(guān)正確、安全地工作。
評(píng)論