電容電壓測(cè)量技術(shù)、技巧與陷阱

好的C-V測(cè)量取決于接地跳線的質(zhì)量。隨著頻率的提高，好的接地跳線變得愈發(fā)重要。探頭體必須跳接在一起，因?yàn)橥S線纜的屏蔽層實(shí)際上是C-V測(cè)試系統(tǒng)測(cè)量通路的一部分。如果屏蔽層沒(méi)有靠近連接在一起，就會(huì)形成一個(gè)很大的回路，從而在測(cè)量通路中直接產(chǎn)生較大的電感，給電容測(cè)量帶來(lái)很大的誤差。

當(dāng)有人想要采用與C-V測(cè)量系統(tǒng)相同的探針和線纜系統(tǒng)配置進(jìn)行直流I-V測(cè)量時(shí)，按這種方式(如圖5所示)跳接探針體的缺點(diǎn)就顯而易見了。對(duì)于好的直流I-V測(cè)量，探針體必須浮動(dòng)在保護(hù)電位上，這意味著當(dāng)從C-V轉(zhuǎn)換為I-V測(cè)試時(shí)，必須去掉這個(gè)跳線。如果探針臺(tái)頻繁在I-V和C-V測(cè)試之間轉(zhuǎn)換，那么你很快就會(huì)發(fā)現(xiàn)去掉和重新放置這個(gè)跳線是一個(gè)非常費(fèi)力費(fèi)時(shí)的過(guò)程。

圖5：跳接同軸線屏蔽層示意圖。

吉時(shí)利研究出了一種新的接線技術(shù)(如圖6所示)，能減少在I-V、C-V和超快I-V測(cè)試之間轉(zhuǎn)換所需的重新連線時(shí)間。這種技術(shù)采用一種特殊的三軸線纜直接連接探頭，但內(nèi)部屏蔽層保持浮空或者與C-V同軸屏蔽層絕緣。這實(shí)際上是將外部屏蔽層跳接在了一起，保持內(nèi)部屏蔽層浮空為直流I-V的驅(qū)動(dòng)保護(hù)。這種三軸接頭實(shí)現(xiàn)了一種簡(jiǎn)便而直接的與直流I-V三軸輸出端的連接方式。C-V輸出從同軸轉(zhuǎn)換為三軸，保護(hù)端仍然斷開，從而同一條線纜很容易從直流I-V轉(zhuǎn)換到C-V測(cè)試端。這種特制的三軸線纜具有100歐姆的匹配阻抗，因此同樣的線纜可以采用T型連接方式連接在一起，直接與超快I-V測(cè)試儀器連接。這種配置使得屏蔽層跳線始終保持連接，能夠快速而簡(jiǎn)便地實(shí)現(xiàn)直流I-V、C-V和超快I-V測(cè)試之間的轉(zhuǎn)換。