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RF功率器件的設(shè)計(jì)及應(yīng)用

作者： 時(shí)間：2011-03-18 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò) 收藏
下具有+30dBm額定輸出功率。MW7IC18100N是HV7 LDMOS兩級(jí)RF IC，在1dB壓縮下具有100W(+50dBm)的額定輸出功率。綜合來(lái)看，這兩個(gè)器件創(chuàng)建了高性能的1,800MHz GSM系統(tǒng)，具有近50dB的增益、37%的線路效率，以及+46dBm輸出功率下的1.5% EVM性能，如圖14和15所示。低成本塑料封裝、緊湊的電路版圖以及使用最少的RF器件使得這一應(yīng)用為成本敏感的GSM市場(chǎng)提供了理想的解決方案。

圖16是針對(duì)TD-SCDMA應(yīng)用的RF示范電路的典型性能。該電路包括驅(qū)動(dòng)MRF6S21100H分立晶體管的MW6IC2215N RF IC。MW6IC2215N是一款兩級(jí)HV6 LDMOS RF IC，而MRF6S21100H是一款HV6 LDMOS分立陶瓷晶體管。這些器件在1dB壓縮下分別具有15W和100W的額定輸出功率。盡管這些器件不是專(zhuān)門(mén)用于TD-SCDMA市場(chǎng)，但*估表明它們具有優(yōu)異的六載波TD-SCDMA性能。在+38dBm輸出功率下，線路增益為43dB，未經(jīng)校正的鄰道功率為-51.4dBc，未經(jīng)校正的相間信道功率為-52.3dBc。
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