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聯(lián)電與ARM擴大28nm合作

—— 鎖定平價行動應用
作者: 時間:2014-01-15 來源:IC設計與制造 收藏

  與全球晶圓專工大廠14日宣布擴大合作協(xié)議,將提供 Artisan實體IP與POP IP供28HLP制程使用。針對鎖定智慧手機、平板、無線與數(shù)位家庭等各式平價消費性應用的客戶,將透過本協(xié)議,提供先進制程技術與全方位實體IP平臺。聯(lián)電目前正針對客戶產(chǎn)品以28HLP制程進行試產(chǎn),預計2014年初開始量產(chǎn)。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/215589.htm

  聯(lián)電負責矽智財研發(fā)設計支援的副總簡山杰指出,聯(lián)電秉持著United for Excellence共創(chuàng)卓越的精神,與IP供應商通力合作,為晶圓專工客戶提供高價值的設計支援解決方案。聯(lián)電28奈米雙制程發(fā)展路徑包括了多晶矽(poly SiON)與高介電常數(shù)金屬閘極(HKMG)技術。

  他強調(diào),聯(lián)電無論是在功耗、效能與晶片面積等各個層面,28HLP制程均是晶圓專工業(yè)界最具競爭力的多晶矽28奈米技術,還有強大的設計平臺可協(xié)助行動與通訊產(chǎn)業(yè)客戶加速產(chǎn)品上市時間,很高興能擴大與ARM之間的合作關系,以ARM大受歡迎的POP IP核心硬化加速技術(core-hardening acceleration technology),進一步強化聯(lián)電的28HLP平臺。

  低耗能的ARM Cortex-A7處理器已廣為智慧手機、平板、數(shù)位電視等消費性產(chǎn)品所采用。Cortex-A7處理器的ARM POP IP鎖定聯(lián)電1.2GHz的28HLP平臺于2013年12月開始出貨。

  聯(lián)電表示,28HLP制程為其28奈米多晶矽制程的加強版,可在體積、速度與耗電之間取得最佳化平衡。該制程因上述特色,成為可攜式、無線區(qū)域網(wǎng)路、有線/手持式消費性產(chǎn)品等具有低耗電高效能需求的各式應用之最佳選擇。聯(lián)電目前正針對客戶產(chǎn)品以28HLP制程進行試產(chǎn),預計2014年初開始量產(chǎn)。



關鍵詞: 聯(lián)電 ARM

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