盤點(diǎn)2013年TD強(qiáng)芯路：嬗變中逆襲與涅磐

　　回看2013年，從TD-SCDMA到TD-LTE，由我國(guó)自主標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)的TD產(chǎn)業(yè)已走過(guò)了15年的崢嶸歷程。在這條中國(guó)謀取國(guó)際電信業(yè)話語(yǔ)權(quán)的道路上，我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)也從2G時(shí)代“無(wú)芯”，到3G時(shí)代“有芯”，并在4G時(shí)代努力實(shí)現(xiàn)“強(qiáng)芯”的飛躍。

　　過(guò)去，芯片一直是制約TD-SCDMA發(fā)展的關(guān)鍵因素之一，但在2013年，經(jīng)過(guò)TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)發(fā)展的培育洗禮以及3G市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的歷練，我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)逐步發(fā)展壯大，這一瓶頸問(wèn)題基本得到了根本解決。而隨著TD-LTE商用化進(jìn)程的推進(jìn)，以及最終4G牌照的發(fā)放，我國(guó)TD芯片產(chǎn)業(yè)正進(jìn)入新一輪黃金發(fā)展期。

　　如何把握這一黃金發(fā)展時(shí)期，成為中洋芯片廠商的思考，同時(shí)，在市場(chǎng)的變換滌蕩中，海內(nèi)外廠商的格局與前景也經(jīng)歷一番洗禮和變革，使得國(guó)芯片廠商迎來(lái)逆襲的機(jī)會(huì)，能否真正實(shí)現(xiàn)涅盤，還在于技術(shù)水平的提升、專利的儲(chǔ)備以及產(chǎn)品演進(jìn)研發(fā)的布局等。

　　嬗變的市場(chǎng)：TD芯片迎歷史發(fā)展拐點(diǎn)

　　談起TD芯片市場(chǎng)，不得不先說(shuō)TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)，在TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期，芯片可謂整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈中最薄弱的環(huán)節(jié)。但在2013年，TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)鏈終于完成了對(duì)WCDMA和CDMA2000的追趕和超越，特別是在最為薄弱的終端與芯片環(huán)節(jié)完成了反超。同時(shí)，隨著4G牌照的發(fā)放，芯片廠商對(duì)支持TD-LTE的LTE芯片的開發(fā)加大，同時(shí)在2G、3G、4G融合發(fā)展的態(tài)勢(shì)下，又促進(jìn)了芯片廠商對(duì)TD-SCDMA的支持。

　　TD-SCDMA芯片

　　TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)鏈的飛速發(fā)展得益于中國(guó)移動(dòng)的大力推動(dòng)。據(jù)了解，中國(guó)移動(dòng)2013年TD-SCDMA主設(shè)備招標(biāo)，規(guī)模高達(dá)11.3萬(wàn)個(gè)基站，是自2007年TD-SCDMA建設(shè)以來(lái)規(guī)模最大的一次招標(biāo)。幾年來(lái)，中國(guó)移動(dòng)TD-SCDMA累計(jì)網(wǎng)絡(luò)投資已超過(guò)1800億，終端補(bǔ)貼也超過(guò)300億，總計(jì)2100億元，目前仍在持續(xù)投入。

　　在中國(guó)移動(dòng)的大力推動(dòng)下，TD-SCDMA在芯片、終端等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)均取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，市場(chǎng)進(jìn)入快速增長(zhǎng)期。中國(guó)移動(dòng)集團(tuán)終端公司品質(zhì)保障部副總經(jīng)理穆家松公布的一組數(shù)據(jù)，凸顯了TD市場(chǎng)的變化：2013年上半年TD入網(wǎng)手機(jī)達(dá)到598款，是同期WCDMA手機(jī)的2.1倍，是CDMAEVDO手機(jī)的5.3倍;TD終端總銷量達(dá)6800萬(wàn)，單月銷量均超1000萬(wàn)。

　　這也極大促進(jìn)了國(guó)內(nèi)外芯片廠商對(duì)TD-SCDMA芯片的研發(fā)與支持熱情。例如，國(guó)內(nèi)TD-SCDMA核心芯片商聯(lián)芯科技今年發(fā)布首款TD-SCDMA四核智能手機(jī)芯片LC1813以及首款四核平板電腦芯片LC1913。國(guó)外博通大中華區(qū)總裁兼全球銷售副總裁李廷偉表示：“由于中國(guó)移動(dòng)的手機(jī)需要支持TD-SCDMA，所以會(huì)把TD-SCDMA模塊放進(jìn)已有的四模芯片中，讓它變成五模?！?/p>

　　TD-LTE芯片

　　與此同時(shí)，2013年是TD-LTE發(fā)展的關(guān)鍵時(shí)期，TD-LTE技術(shù)和產(chǎn)業(yè)逐步邁向成熟，具備規(guī)模發(fā)展條件。在中國(guó)移動(dòng)TD-LTE“雙百”計(jì)劃的帶動(dòng)下，在最終4G牌照發(fā)放的促進(jìn)下，目前，全球有超過(guò)17家芯片企業(yè)投入LTE芯片的開發(fā)，遠(yuǎn)高于2G和3G時(shí)代數(shù)量。

　　就目前而言，國(guó)內(nèi)外廠商在LTE芯片，尤其是對(duì)支持TD-LTE的LTE芯片上的開發(fā)上可謂不遺余力。從國(guó)際來(lái)看，高通已推出支持全球所有移動(dòng)通信制式以及超過(guò)40個(gè)頻段的LTE終端芯片及解決方案。Marvell的多模多頻Modem芯片PXA1802已經(jīng)量產(chǎn)，PXA1088LTE版成熟方案平臺(tái)今年年內(nèi)也將量產(chǎn)，它將是業(yè)界首款面向大眾市場(chǎng)的四核“五模十三頻”Cat4LTE單芯片解決方案。

　　從國(guó)內(nèi)來(lái)看，我國(guó)海思已推出支持五模的LTE終端芯片，展訊、聯(lián)芯科技、中興微電子的多模芯片也已達(dá)到商用化水平，其中，聯(lián)芯科技推出全模SoC智能手機(jī)芯片采用28nm工藝，將助力終端客戶實(shí)現(xiàn)從3G到支持全球LTE的4G制式的無(wú)縫遷移，進(jìn)一步邁向全球市場(chǎng)。聯(lián)發(fā)科年底推出了LTEmodem，同時(shí)支持LTEFDD與TD-LTE，2014年上半年，基于四核或八核AP+4GModem解決方案將進(jìn)入量產(chǎn)，最終4GSoC將于下半年量產(chǎn)。

　　多變的格局：中洋廠商技術(shù)專利爭(zhēng)端

　　隨著TD芯片市場(chǎng)的崛起，以往對(duì)TD芯片靜觀其變的國(guó)際大廠商如高通、英特爾、Marvell、博通開始積極投身，而聯(lián)發(fā)科、海思、聯(lián)芯科技、中興微電子等國(guó)內(nèi)廠商也在奮起直追。

　　2013年，中洋廠商的競(jìng)相布局，幾經(jīng)潮起潮落，有的被拆分如意法愛立信，有的被收購(gòu)如展訊，有的轉(zhuǎn)型如聯(lián)發(fā)科，為TD芯片市場(chǎng)格局存在多變的未知之?dāng)?shù)埋下伏筆。同時(shí)，促成目前芯片市場(chǎng)廠商格局多變的現(xiàn)狀，很大成因在于海內(nèi)外廠商在TD芯片技術(shù)與核心專利上的較量。

　　技術(shù)爭(zhēng)端

　　據(jù)了解，為更好滿足多網(wǎng)運(yùn)營(yíng)和國(guó)際漫游的需求，多模多頻已成為運(yùn)營(yíng)商對(duì)LTE芯片的要求之一，尤其是中國(guó)移動(dòng)，甚至將“五模十頻”作為采購(gòu)的硬性技術(shù)指標(biāo)要求。在今年首批16萬(wàn)部TD-LTE終端招標(biāo)中，絕大多數(shù)國(guó)內(nèi)芯片廠商因此拒之門外，促成了高通一家獨(dú)大。

　　這引起了業(yè)界極大爭(zhēng)議。業(yè)內(nèi)人士評(píng)論，這不利于TD-LTE芯片產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展;且無(wú)形之中推高了成本，阻礙了TD-LTE終端的普及，與中移動(dòng)意圖迅速推動(dòng)TD-LTE網(wǎng)絡(luò)大規(guī)模商用的意愿相違。

　　事實(shí)上，國(guó)內(nèi)芯片廠商通過(guò)不斷研發(fā)，已經(jīng)完全能夠?qū)崿F(xiàn)GSM/TD-SCDMA/TD-LTE等模式的三模芯片成熟商用。TD產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書長(zhǎng)楊驊就曾指出，TD-LTE終端市場(chǎng)無(wú)需五?！耙坏肚小?，在國(guó)內(nèi)芯片企業(yè)五模產(chǎn)品還不成熟的時(shí)候，要有三模產(chǎn)品的發(fā)展空間。

　　中國(guó)移動(dòng)也意識(shí)到高門檻導(dǎo)致TD-LTE終端舉步維艱，開始調(diào)整策略，不再堅(jiān)持“五模十頻”的硬指標(biāo)，開始引入“三模”產(chǎn)品。從“五?！苯档健叭！?，會(huì)極大的影響TD-LTE芯片供應(yīng)格局，讓苦苦追趕的國(guó)內(nèi)芯片廠商，迎頭趕上發(fā)展的良好機(jī)遇。

　　專利爭(zhēng)端

　　此外，國(guó)家發(fā)改委還宣布啟動(dòng)對(duì)高通的反壟斷調(diào)查，如果反壟斷調(diào)查結(jié)果成立，高通公司可能面臨最高12.3億美元的罰款。一時(shí)間，這個(gè)在3G時(shí)代叱咤風(fēng)云，擁有絕對(duì)主導(dǎo)權(quán)的芯片公司陷入被動(dòng)，也讓其在中國(guó)4G時(shí)代下的發(fā)展前景變得撲朔迷離。

　　雖然國(guó)家發(fā)改委未明確解釋對(duì)高通公司展開反壟斷調(diào)查的真正原因，但有觀點(diǎn)認(rèn)為，這或?qū)⑴c高通公司針對(duì)國(guó)內(nèi)不同客戶，在收取專利費(fèi)時(shí)區(qū)別對(duì)待，采取不同的計(jì)價(jià)方式有關(guān)。

　　也有傳言稱，目前正值高通公司與國(guó)內(nèi)終端廠商進(jìn)行4G技術(shù)專利授權(quán)的關(guān)鍵時(shí)刻，而高通公司表現(xiàn)出的強(qiáng)硬態(tài)度或許是點(diǎn)燃此次反壟斷調(diào)查的“導(dǎo)火索”之一。

　　不過(guò)不管是什么原因，對(duì)于國(guó)產(chǎn)芯片廠商發(fā)展都將帶來(lái)利好。有研究指出，本次反壟斷調(diào)查能延緩高通在新一代通訊技術(shù)發(fā)展之際對(duì)于芯片與技術(shù)的進(jìn)一步滲透，給予國(guó)內(nèi)芯片廠商更多的時(shí)間和更寬裕的環(huán)境，研發(fā)、制造來(lái)提升實(shí)力及市場(chǎng)份額。

　　有關(guān)專家強(qiáng)調(diào)，4G時(shí)代，TD-LTE或?qū)⑶藙?dòng)千億產(chǎn)業(yè)鏈，國(guó)內(nèi)芯片企業(yè)應(yīng)抓住機(jī)遇，加大自主研發(fā)力度，掌握更多核心專利技術(shù)，擺脫2G、3G時(shí)代受制于人的局面。

　　演進(jìn)的未來(lái)：技術(shù)產(chǎn)品不斷與時(shí)俱進(jìn)

　　國(guó)內(nèi)外芯片廠商尤其是國(guó)內(nèi)芯片廠商要想在未來(lái)芯片市場(chǎng)上占據(jù)一席之地，開發(fā)工作必須要與新技術(shù)和新標(biāo)準(zhǔn)同步進(jìn)行，同時(shí)不斷提高芯片高集成度、高性能以及降低成本和功耗。

　　工藝制程

　　雖然在芯片環(huán)節(jié)還受限于多模多頻的挑戰(zhàn)，但一個(gè)顯見的事實(shí)是制程工藝成熟度的提升是突破這一瓶頸的關(guān)鍵。在3G時(shí)代早期，多模TD芯片廠商基本采用65nm甚至90nm制程，導(dǎo)致成本功耗居高不下，一直阻礙著TD-SCDMA的發(fā)展。

　　但隨著TD—LTE時(shí)代的到來(lái)，多模多頻基帶以及平臺(tái)芯片復(fù)雜度的提高，以及成本、功耗要求的不斷提高，聯(lián)芯科技總經(jīng)理助理、大唐電信集團(tuán)首席專家劉光軍指出，未來(lái)LTE芯片在工藝上要加速向28nm、20nm甚至更先進(jìn)工藝演進(jìn)，同時(shí)要求更先進(jìn)的封裝技術(shù)。單芯片SoC、系統(tǒng)級(jí)封裝有助于實(shí)現(xiàn)芯片的小型化，進(jìn)一步降低成本。

　　產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)

　　除了要求基帶和射頻支持多模多頻之外，從發(fā)展來(lái)看，TD-LTE智能終端還需應(yīng)用處理器具備強(qiáng)大的數(shù)據(jù)與多媒體處理能力。聯(lián)發(fā)科技中國(guó)區(qū)總經(jīng)理章維力就表示，在4G時(shí)代，數(shù)據(jù)流量的爆發(fā)和智能手機(jī)多媒體化的發(fā)展成為主流特征，具有強(qiáng)大數(shù)據(jù)和多媒體能力的智能手機(jī)芯片將是市場(chǎng)發(fā)展的主要方向。

　　同時(shí)，雖然國(guó)內(nèi)外廠商在LTE芯片領(lǐng)域高歌猛進(jìn)，但Marvell移動(dòng)產(chǎn)品總監(jiān)張路指出：“根據(jù)ITU的定義，4G應(yīng)該是在定點(diǎn)狀況，下載速率達(dá)1Gbps;在高速移動(dòng)狀況，下載速率達(dá)100Mbps。TDD和FDD技術(shù)都可以滿足ITU4G的標(biāo)準(zhǔn)。LTE只是邁向4G的第一步，以后會(huì)是LTE-Advanced。LTE-A明年就會(huì)在北美和歐洲開始商用，中國(guó)芯片廠商需做相應(yīng)的技術(shù)儲(chǔ)備和產(chǎn)品研發(fā)?！?/p>

　　而對(duì)于LTE的后續(xù)演進(jìn)，章維力指出，聯(lián)發(fā)科會(huì)密切觀察和參與LTE-A技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的制定，跟隨運(yùn)營(yíng)商在LTE-A技術(shù)演進(jìn)的步伐。在研發(fā)方面，芯片廠商應(yīng)該做好無(wú)線技術(shù)方面的準(zhǔn)備，同時(shí)也要面對(duì)超寬帶無(wú)線技術(shù)對(duì)手機(jī)整體系統(tǒng)芯片帶來(lái)的挑戰(zhàn)。