DRAM 8英寸生產(chǎn)線趨減 IC制造須理性突圍

　　推動全球半導體工業(yè)進步的兩個輪子，一個是縮小特征尺寸，另一個是增大硅片直徑，通?？偸且圆粩嗟乜s小特征尺寸為先。如今，全球正進入12英寸，65納米芯片生產(chǎn)線的興建高潮，業(yè)界正在為何時進入18英寸硅片生產(chǎn)展開可行性討論。在此前提下，業(yè)界關(guān)心全球8英寸芯片生產(chǎn)線的現(xiàn)狀，以及何時將退出歷史舞臺?？v觀全球半導體業(yè)發(fā)展的歷史過程，進入8英寸硅片時代約于1997年。通常每種硅片的生存周期在20年左右，所以8英寸硅片目前仍處于平穩(wěn)發(fā)展時段，顯然90納米及65納米產(chǎn)品已開始上升。  

    DRAM8英寸線將逐漸退出   


    隨著半導體工藝制程技術(shù)的進步，90納米及以下制程產(chǎn)品的比重增大以及12英寸硅片的優(yōu)越性逐漸擴大，首先在競爭最激烈的存儲器制造中呈現(xiàn)。   


    臺灣力晶半導體的黃崇仁表示，2006年是轉(zhuǎn)折點，DRAM中的8英寸芯片性價比已不具有優(yōu)勢，一批較早的8英寸芯片廠，已無法采用0.11微米工藝來制造512Mb的DDR2存儲器。   

    臺灣拓璞產(chǎn)業(yè)研究所最近發(fā)表的看法認為，五大集團三星、美光、海力士、英飛凌及爾必達主導了全球的DRAM業(yè)，全球DRAM(動態(tài)隨機存儲器)應(yīng)用中，有55%用于PC中。預計2007年臺式機中存儲器用量將增加46%;而筆記本中將增加63%；服務(wù)器中將增加47%;而消費電子產(chǎn)品及手機中也分別有56%及69%的增長。所以，2007年DRAM總需求將有57.4%的增長。但在供給方面，2007年中DRAM的8英寸芯片生產(chǎn)線的自然淘汰率將占20%至30%，其中有的8英寸線升級至12英寸或者改成其他用途。   

    不同品種有其相應(yīng)的特征尺寸及生存周期，完全由市場來決定,目前DRAM已進入80納米量產(chǎn)時代，而模擬電路中0.18微米仍是國際先進水平。所以各種不同的硅片尺寸都有其相應(yīng)的生存之道，但是大尺寸硅片逐步取代小尺寸是自然規(guī)律。如右圖所示。   

    中國芯片制造仍在初級階段   

    自華虹NEC在中國建成第一個8英寸生產(chǎn)線至今，中國芯片產(chǎn)業(yè)正在逐步成長壯大。雖然也有中芯國際的12英寸芯片生產(chǎn)線以及全國8英寸硅片的產(chǎn)能規(guī)模已達每月30萬片以上，但是從總體看，產(chǎn)業(yè)的水平仍處在初級階段，其現(xiàn)狀如下：   

    有12英寸及90納米的代工能力，但至少落后于臺積電等世界一流代工企業(yè)一年以上。目前在高端產(chǎn)品代工方面仍以標準型存儲器為主。而在邏輯電路代工方面，由于90納米技術(shù)進展緩慢，加上缺乏頂級fabless公司的大訂單，造成新建12英寸的產(chǎn)能擴展緩慢。   

    0.18微米及以上的代工，由于同質(zhì)化，缺乏特長工藝能力，加上臺積電等打壓，致使硅片平均銷售價格下降，毛利率低，而造成企業(yè)效益不夠理想。   

    中國芯片制造業(yè)，從結(jié)構(gòu)上看大部分6英寸及8英寸舊線的贏利狀況較好，目前可能是全球唯一還在增建8英寸芯片生產(chǎn)線的地區(qū)。   

    在12英寸新線建設(shè)中，中國仍處在擴張的態(tài)勢，中芯國際除了在北京有Fab4之外，上海的Fab8已處于設(shè)備安裝階段，另一條武漢的中芯12英寸生產(chǎn)線已加快步伐，預計2007年底可能提前進行設(shè)備安裝。但是面臨一個做什么產(chǎn)品的決策問題，可以預計DRAM及NAND閃存是個正確的選擇。    

    目前唯一在中國大肆擴張的是無錫海力士及意法的合資存儲器廠，其進展速度超出業(yè)界的預期。至2007年底擴充硅片月產(chǎn)能將為8英寸5萬片及12英寸6萬片，將成為中國最大的芯片制造廠。 

   從全球8英寸芯片廠范圍看，唯有中國內(nèi)地還在逐年擴張，但是由于種種原因，速度已經(jīng)減緩，因此可以預計，在未來三年內(nèi)，臺灣地區(qū)半導體廠的西移，是影響內(nèi)地半導體業(yè)增長的主要因素。但是在近時期內(nèi)中國內(nèi)地不太可能成為全球最大的8英寸芯片廠基地。