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用于LED街燈照明系統(tǒng)的高效率高可靠性電源設(shè)計(jì)

作者: 時(shí)間:2013-12-29 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
。在使用MOSFET體二極管的情況下,一些反向恢復(fù)電流正好在N+源極下流過。圖3顯示了在體二極管反向恢復(fù)期間的MOSFET故障波形。對(duì)于競爭產(chǎn)品A來說,故障剛好發(fā)生在電流達(dá)到dv/dt=6.87V/ns處的峰值反向恢復(fù)電流之后。這意味著,這個(gè)峰值電流觸發(fā)了寄生BJT。但UniFET II MOSFET系列器件能夠在甚至更高的dv/dt(14.32V/ns)下正常工作。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/221789.htm

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圖3:體二極管反向恢復(fù)期間的電壓與電流波形

圖4顯示了UniFET II MOSFET系列器件的強(qiáng)大體二極管如何使處于輸出短路狀態(tài)的轉(zhuǎn)換器可靠性受益。在輸出短路后,工作模式從零電壓開關(guān)切換到了零電流開關(guān)。由于具有較小的 Qrr,UniFET II MOSFET系列器件的電流尖峰要低得多,而最重要的是,器件沒有發(fā)生故障。

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圖4:UniFET II MOSFET系列器件在短路狀態(tài)下的工作波形轉(zhuǎn)換器在啟動(dòng)期間還可能發(fā)生其它不良行為。圖5顯示了啟動(dòng)時(shí)的開關(guān)電流波形。超過27A的大電流尖峰是由于大峰值反向恢復(fù)電流引起的,它能觸發(fā)控制IC的保護(hù)功能。相反,UniFET II MOSFET系列器件沒有產(chǎn)生高的電流尖峰。

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圖5:啟動(dòng)時(shí)的開關(guān)電流波形

為了比較UniFET II MOSFET系列器件和競爭產(chǎn)品的電源轉(zhuǎn)換效率,我們?cè)O(shè)計(jì)了一個(gè)150W的半橋LLC諧振轉(zhuǎn)換器。效率測量結(jié)果見圖6。在整個(gè)輸入電壓范圍內(nèi),UniFET II MOSFET的系統(tǒng)效率都比競爭者高。獲得更高效率的主要原因是由于,更低的Qg和Eoss減少了關(guān)斷損耗和輸出電容損耗。

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圖6:LLC諧振轉(zhuǎn)換器的效率比較

本文小結(jié)

新型功率MOSFET系列器件整合了強(qiáng)大的體二極管性能和快速開關(guān)性能,可在諧振轉(zhuǎn)換器應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高的可靠性和更高的效率。由于減少了柵極電荷和輸出電容中存儲(chǔ)的能量,因此降低了驅(qū)動(dòng)損耗并提高了開關(guān)效率。UniFET II MOSFET系列器件能夠以最低的成本為設(shè)計(jì)人員提供更高的可靠性和效率。


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