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電源設(shè)計選型實例與電源設(shè)計全過程

作者: 時間:2024-05-23 來源:陸123 收藏

本次講解實例以一個13.2W電源為例,輸入為AC90~264V,輸出為3.3V/4A。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202405/459132.htm

原理圖


變壓器是整個電源供應(yīng)器的重要核心,所以變壓器的計算及驗證是很重要的。

決定變壓器的材質(zhì)及尺寸:

依據(jù)變壓器計算公式



決定一次側(cè)濾波電容:

濾波電容的決定,可以決定電容器上的Vin(min),濾波電容越大,Vin(win)越高,可以做較大瓦數(shù)的Power,但相對價格亦較高。

決定變壓器線徑及線數(shù):

當變壓器決定后,變壓器的Bobbin即可決定,依據(jù)Bobbin的槽寬,可決定變壓器的線徑及線數(shù),亦可計算出線徑的電流密度,電流密度一般以6A/mm2為參考,電流密度對變壓器的設(shè)計而言,只能當做參考值,最終應(yīng)以溫升記錄為準。

決定Duty cycle (工作周期):

由以下公式可決定Duty cycle ,Duty cycle的設(shè)計一般以50%為基準,Duty cycle若超過50%易導致振蕩的發(fā)生。





決定Ip值:



決定輔助電源的圈數(shù):

依據(jù)變壓器的圈比關(guān)系,可決定輔助電源的圈數(shù)及電壓。

決定MOSFET及二次側(cè)二極管的Stress(應(yīng)力):

依據(jù)變壓器的圈比關(guān)系,可以初步計算出變壓器的應(yīng)力(Stress)是否符合選用零件的規(guī)格,計算時以輸入電壓264V(電容器上為380V)為基準。

其它:

若輸出電壓為5V以下,且必須使用TL431而非TL432時,須考慮多一組繞組提供Photo coupler及TL431使用。

將所得資料代入



公式中,如此可得出B(max),若B(max)值太高或太低則參數(shù)必須重新調(diào)整。

變壓器計算:

輸出瓦數(shù)13.2W(3.3V/4A),Core = EI-28,可繞面積(槽寬)=10mm,Margin Tape = 2.8mm(每邊),剩余可繞面積=4.4mm.


計算式:

變壓器材質(zhì)及尺寸:

由以上假設(shè)可知材質(zhì)為PC-40,尺寸=EI-28,Ae=0.86cm2,可繞面積(槽寬)=10mm,因Margin Tape使用2.8mm,所以剩余可繞面積為4.4mm.

假設(shè)濾波電容使用47uF/400V,Vin(min)暫定90V。

●決定變壓器的線徑及線數(shù):



●決定Duty cycle:


●決定Ip值:


●決定輔助電源的圈數(shù):



●決定MOSFET及二次側(cè)二極管的Stress(應(yīng)力):


●其它:

因為輸出為3.3V,而TL431的Vref值為2.5V,若再加上photo coupler上的壓降約1.2V,將使得輸出電壓無法推動Photo coupler及TL431,所以必須另外增加一組線圈提供回授路徑所需的電壓。


●變壓器的接線圖:


零件選用:


●FS1:

由變壓器計算得到Iin值,以此Iin值(0.42A)可知使用公司共享料2A/250V,設(shè)計時亦須考慮Pin(max)時的Iin是否會超過保險絲的額定值。

●TR1(熱敏電阻):

電源激活的瞬間,由于C1(一次側(cè)濾波電容)短路,導致Iin電流很大,雖然時間很短暫,但亦可能對Power產(chǎn)生傷害,所以必須在濾波電容之前加裝一個熱敏電阻,以限制開機瞬間Iin在Spec之內(nèi)(115V/30A,230V/60A),但因熱敏電阻亦會消耗功率,所以不可放太大的阻值(否則會影響效率),一般使用SCK053(3A/5Ω),若C1電容使用較大的值,則必須考慮將熱敏電阻的阻值變大(一般使用在大瓦數(shù)的Power上)。

●VDR1(突波吸收器):

當雷極發(fā)生時,可能會損壞零件,進而影響Power的正常動作,所以必須在靠AC輸入端 (Fuse之后),加上突波吸收器來保護Power(一般常用07D471K),但若有價格上的考量,可先忽略不裝。

●CY1,CY2(Y-Cap):

Y-Cap一般可分為Y1及Y2電容,若AC Input有FG(3 Pin)一般使用Y2- Cap , AC Input若為2Pin(只有L,N)一般使用Y1-Cap,Y1與Y2的差異,除了價格外(Y1較昂貴),絕緣等級及耐壓亦不同(Y1稱為雙重絕緣,絕緣耐壓約為Y2的兩倍,且在電容的本體上會有“回”符號或注明Y1),此電路因為有FG所以使用Y2-Cap,Y-Cap會影響EMI特性,一般而言越大越好,但須考慮漏電及價格問題,漏電(Leakage Current )必須符合安規(guī)須求(3Pin公司標準為750uA max)。

●CX1(X-Cap)、RX1:

X-Cap為防制EMI零件,EMI可分為Conduction及Radiation兩部分,Conduction規(guī)范一般可分為: FCC Part 15J Class B 、 CISPR 22(EN55022) Class B 兩種 , FCC測試頻率在450K~30MHz,CISPR 22測試頻率在150K~30MHz, Conduction可在廠內(nèi)以頻譜分析儀驗證,Radiation 則必須到實驗室驗證,X-Cap 一般對低頻段(150K ~ 數(shù)M之間)的EMI防制有效,一般而言X-Cap愈大,EMI防制效果愈好(但價格愈高),若X-Cap在0.22uf以上(包含0.22uf),安規(guī)規(guī)定必須要有泄放電阻(RX1,一般為1.2MΩ 1/4W)。

●LF1(Common Choke):

EMI防制零件,主要影響Conduction 的中、低頻段,設(shè)計時必須同時考慮EMI特性及溫升,以同樣尺寸的Common Choke而言,線圈數(shù)愈多(相對的線徑愈細),EMI防制效果愈好,但溫升可能較高。

●BD1(整流二極管):

AC電源以全波整流的方式轉(zhuǎn)換為DC,由變壓器所計算出的Iin值,可知只要使用1A/600V的整流二極管,因為是全波整流所以耐壓只要600V即可。

●C1(濾波電容):

由C1的大小(電容值)可決定變壓器計算中的Vin(min)值,電容量愈大,Vin(min)愈高但價格亦愈高,此部分可在電路中實際驗證Vin(min)是否正確,若AC Input 范圍在90V~132V (Vc1 電壓最高約190V),可使用耐壓200V的電容;若AC Input 范圍在90V~264V(或180V~264V),因Vc1電壓最高約380V,所以必須使用耐壓400V的電容。


●D2(輔助電源二極管):

整流二極管,一般常用FR105(1A/600V)或BYT42M(1A/1000V),兩者主要差異:

1. 耐壓不同(在此處使用差異無所謂)

2. VF不同(FR105=1.2V,BYT42M=1.4V)

●R10(輔助電源電阻):

主要用于調(diào)整PWM IC的VCC電壓,以目前使用的3843而言,設(shè)計時VCC必須大于8.4V(Min. Load時),但為考慮輸出短路的情況,VCC電壓不可設(shè)計的太高,以免當輸出短路時不保護(或輸入瓦數(shù)過大)。

●C7(濾波電容):

輔助電源的濾波電容,提供PWM IC較穩(wěn)定的直流電壓,一般使用100uf/25V電容。

●Z1(Zener 二極管):

當回授失效時的保護電路,回授失效時輸出電壓沖高,輔助電源電壓相對提高,此時若沒有保護電路,可能會造成零件損壞,若在3843 VCC與3843 Pin3腳之間加一個Zener Diode,當回授失效時Zener Diode會崩潰,使得Pin3腳提前到達1V,以此可限制輸出電壓,達到保護零件的目的.Z1值的大小取決于輔助電源的高低,Z1的決定亦須考慮是否超過Q1的VGS耐壓值,原則上使用公司的現(xiàn)有料(一般使用1/2W即可).

●R2(激活電阻):

提供3843第一次激活的路徑,第一次激活時透過R2對C7充電,以提供3843 VCC所需的電壓,R2阻值較大時,turn on的時間較長,但短路時Pin瓦數(shù)較小,R2阻值較小時,turn on的時間較短,短路時Pin瓦數(shù)較大,一般使用220KΩ/2W M.O。.

●R4 (Line Compensation):

高、低壓補償用,使3843 Pin3腳在90V/47Hz及264V/63Hz接近一致(一般使用750KΩ~1.5MΩ 1/4W之間)。

●R3,C6,D1 (Snubber):

此三個零件組成Snubber,調(diào)整Snubber的目的:1.當Q1 off瞬間會有Spike產(chǎn)生,調(diào)整Snubber可以確保Spike不會超過Q1的耐壓值,2.調(diào)整Snubber可改善EMI.一般而言,D1使用1N4007(1A/1000V)EMI特性會較好.R3使用2W M.O.電阻,C6的耐壓值以兩端實際壓差為準(一般使用耐壓500V的陶質(zhì)電容)。


●Q1(N-MOS):

目前常使用的為3A/600V及6A/600V兩種,6A/600V的RDS(ON)較3A/600V小,所以溫升會較低,若IDS電流未超過3A,應(yīng)該先以3A/600V為考量,并以溫升記錄來驗證,因為6A/600V的價格高于3A/600V許多,Q1的使用亦需考慮VDS是否超過額定值。

●R8:

R8的作用在保護Q1,避免Q1呈現(xiàn)浮接狀態(tài)。

●R7(Rs電阻):

3843 Pin3腳電壓最高為1V,R7的大小須與R4配合,以達到高低壓平衡的目的,一般使用2W M.O.電阻,設(shè)計時先決定R7后再加上R4補償,一般將3843 Pin3腳電壓設(shè)計在0.85V~0.95V之間(視瓦數(shù)而定,若瓦數(shù)較小則不能太接近1V,以免因零件誤差而頂?shù)?V)。

●R5,C3(RC filter):

濾除3843 Pin3腳的噪聲,R5一般使用1KΩ 1/8W,C3一般使用102P/50V的陶質(zhì)電容,C3若使用電容值較小者,重載可能不開機(因為3843 Pin3瞬間頂?shù)?V);若使用電容值較大者,也許會有輕載不開機及短路Pin過大的問題。

●R9(Q1 Gate電阻 ):

R9電阻的大小,會影響到EMI及溫升特性,一般而言阻值大,Q1 turn on / turn off的速度較慢,EMI特性較好,但Q1的溫升較高、效率較低(主要是因為turn off速度較慢);若阻值較小, Q1 turn on / turn off的速度較快,Q1溫升較低、效率較高,但EMI較差,一般使用51Ω-150Ω 1/8W。

●R6,C4(控制振蕩頻率):

決定3843的工作頻率,可由Data Sheet得到R、C組成的工作頻率,C4一般為10nf的電容(誤差為5%),R6使用精密電阻,以DA-14B33為例,C4使用103P/50V PE電容,R6為3.74KΩ 1/8W精密電阻,振蕩頻率約為45 KHz。

●C5:

功能類似RC filter,主要功用在于使高壓輕載較不易振蕩,一般使用101P/50V陶質(zhì)電容。

●U1(PWM IC):

3843是PWM IC的一種,由Photo Coupler (U2)回授信號控制Duty Cycle的大小,Pin3腳具有限流的作用(最高電壓1V),目前所用的3843中,有KA3843(SAMSUNG)及UC3843BN(S.T.)兩種,兩者腳位相同,但產(chǎn)生的振蕩頻率略有差異,UC3843BN較KA3843快了約2KHz,fT的增加會衍生出一些問題(例如:EMI問題、短路問題),因KA3843較難買,所以新機種設(shè)計時,盡量使用UC3843BN。

●R1、R11、R12、C2(一次側(cè)回路增益控制):

3843內(nèi)部有一個Error AMP(誤差放大器),R1、R11、R12、C2及Error AMP組成一個負回授電路,用來調(diào)整回路增益的穩(wěn)定度,回路增益,調(diào)整不恰當可能會造成振蕩或輸出電壓不正確,一般C2使用立式積層電容(溫度持性較好)。


●U2(Photo coupler)

光耦合器(Photo coupler)主要將二次側(cè)的信號轉(zhuǎn)換到一次側(cè)(以電流的方式),當二次側(cè)的TL431導通后,U2即會將二次側(cè)的電流依比例轉(zhuǎn)換到一次側(cè),此時3843由Pin6 (output)輸出off的信號(Low)來關(guān)閉Q1,使用Photo coupler的原因,是為了符合安規(guī)需求(primacy to secondary的距離至少需5.6mm)。

●R13(二次側(cè)回路增益控制):

控制流過Photo coupler的電流,R13阻值較小時,流過Photo coupler的電流較大,U2轉(zhuǎn)換電流較大,回路增益較快(需要確認是否會造成振蕩),R13阻值較大時,流過Photo coupler的電流較小,U2轉(zhuǎn)換電流較小,回路增益較慢,雖然較不易造成振蕩,但需注意輸出電壓是否正常。

●U3(TL431)、R15、R16、R18

調(diào)整輸出電壓的大小,


,輸出電壓不可超過38V(因為TL431 VKA最大為36V,若再加Photo coupler的VF值,則Vo應(yīng)在38V以下較安全),TL431的Vref為2.5V,R15及R16并聯(lián)的目的使輸出電壓能微調(diào),且R15與R16并聯(lián)后的值不可太大(盡量在2KΩ以下),以免造成輸出不準。

●R14,C9(二次側(cè)回路增益控制):

控制二次側(cè)的回路增益,一般而言將電容放大會使增益變慢;電容放小會使增益變快,電阻的特性則剛好與電容相反,電阻放大增益變快;電阻放小增益變慢,至于何謂增益調(diào)整的最佳值,則可以Dynamic load來量測,即可取得一個最佳值。

●D4(整流二極管):

因為輸出電壓為3.3V,而輸出電壓調(diào)整器(Output Voltage Regulator)使用TL431(Vref=2.5V)而非TL432(Vref=1.25V),所以必須多增加一組繞組提供Photo coupler及TL431所需的電源,因為U2及U3所需的電流不大(約10mA左右),二極管耐壓值100V即可,所以只需使用1N4148(0.15A/100V)。

●C8(濾波電容):

因為U2及U3所需的電流不大,所以只要使用1u/50V即可。

●D5(整流二極管):

輸出整流二極管,D5的使用需考慮:

a. 電流值

b. 二極管的耐壓值

以此為例,輸出電流4A,使用10A的二極管(Schottky)應(yīng)該可以,但經(jīng)點溫升驗證后發(fā)現(xiàn)D5溫度偏高,所以必須換為15A的二極管,因為10A的VF較15A的VF 值大。耐壓部分40V經(jīng)驗證后符合,因此最后使用15A/40V Schottky。

●C10,R17(二次側(cè)snubber) :

D5在截止的瞬間會有spike產(chǎn)生,若spike超過二極管(D5)的耐壓值,二極管會有被擊穿的危險,調(diào)整snubber可適當?shù)臏p少spike的電壓值,除保護二極管外亦可改善EMI,R17一般使用1/2W的電阻,C10一般使用耐壓500V的陶質(zhì)電容,snubber調(diào)整的過程(264V/63Hz)需注意R17,C10是否會過熱,應(yīng)避免此種情況發(fā)生。

●C11,C13(濾波電容):

二次側(cè)第一級濾波電容,應(yīng)使用內(nèi)阻較小的電容(LXZ,YXA…),電容選擇是否洽當可依以下三點來判定:

a. 輸出Ripple電壓是符合規(guī)格

b. 電容溫度是否超過額定值

c. 電容值兩端電壓是否超過額定值

●R19(假負載):

適當?shù)氖褂眉儇撦d可使線路更穩(wěn)定,但假負載的阻值不可太小,否則會影響效率,使用時亦須注意是否超過電阻的額定值(一般設(shè)計只使用額定瓦數(shù)的一半)。

●L3,C12(LC濾波電路):

LC濾波電路為第二級濾波,在不影響線路穩(wěn)定的情況下,一般會將L3 放大(電感量較大),如此C12可使用較小的電容值。

開關(guān)驗證

設(shè)計驗證:(可分為三部分)

a. 設(shè)計階段驗證

b. 樣品制作驗證

c. QE驗證

設(shè)計階段驗證

設(shè)計實驗階段應(yīng)該養(yǎng)成記錄的習慣,記錄可以驗證實驗結(jié)果是否與電氣規(guī)格相符,以下即就此階段驗證做說明(驗證項目視規(guī)格而定)。

●電氣規(guī)格驗證:

3843 PIN3腳電壓(full load 4A) :


●Duty Cycle , fT:


●Vin(min) = 100V (90V / 47Hz full load)

●Stress (264V / 63Hz full load) :

Q1 MOSFET:


D5:


D4:


●輔助電源(開機,滿載)、短路Pin max.:


●Static (full load)



●Full Range負載(0.3A-4A)(驗證是否有振蕩現(xiàn)象)


●回授失效(輸出輕載)


●O.C.P.(過電流保護)


●Pin(max.)


●Dynamic test



●HI-POT test:


此電源屬于輸入3 PIN HI-POT test 為1500Vac/1 minute。

●Grounding test:

輸入為3 Pin(有FG者),一般均要測接地阻(Grounding test),安規(guī)規(guī)定FG到輸出線材(輸出端)的接地電阻不能超過100mΩ(25A/3 Second)。

●溫升記錄

設(shè)計實驗定案后(暫定),需針對整體溫升及EMI做評估,若溫升或EMI無法符合規(guī)格,則需重新實驗。溫升記錄請參考附件,D5原來使用BYV118(10A/40V Schottky),因溫升較高改為PBYR1540CTX(15A/40V)。

●EMI測試:


●機構(gòu)尺寸:

設(shè)計階段即應(yīng)對機構(gòu)尺寸驗證,驗證的項目包括 : PCB尺寸、零件限高、零件禁置區(qū)、螺絲孔位置及孔徑、外殼孔寸….,若設(shè)計階段無法驗證,則必須在樣品階段驗證。

樣品驗證階段:

樣品制作完成后,除溫升記錄、EMI測試外(是否需重新驗證,視情況而定),每一臺樣品都應(yīng)經(jīng)過驗證(包括電氣及機構(gòu)尺寸),此階段的電氣驗證可以以ATE(Chroma)測試來完成,ATE測試必須與電氣規(guī)格相符。

QE驗證:

QE針對工程部所提供的樣品做驗證,工程部應(yīng)提供以下交件及樣品供QE驗證。




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