提高LED節(jié)能燈取光效率的封裝技術(shù)
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檢測技能與尺度
隨著W級功率芯片制造技能和白光LED工藝技能的生長，LED產(chǎn)物正漸漸進入(特種)照明市場，體現(xiàn)或指示用的傳統(tǒng)LED產(chǎn)物參數(shù)檢測尺度及測試要領(lǐng)已不能滿足照明應(yīng)用的必要。國表里的半導(dǎo)體裝備儀器生產(chǎn)企業(yè)也紛紛推出各自的測試儀器，差別的儀器利用的測試原理、條件、尺度存在肯定的差別，增長了測試應(yīng)用、產(chǎn)物性能比力事變的難度和標(biāo)題龐大化。
我國光學(xué)光電子行業(yè)協(xié)會光電子器件分會行業(yè)協(xié)會憑據(jù)LED產(chǎn)物生長的必要，于2003年公布了“發(fā)光二極管測試要領(lǐng)(試行)”，該測試要領(lǐng)增長了對LED色度參數(shù)的規(guī)定。但LED要往照明業(yè)拓展，創(chuàng)建LED照明產(chǎn)物尺度是財產(chǎn)范例化的緊急本領(lǐng).
篩選技能與可靠性包管
由于燈具表面的限定，照明用LED的裝配空間密封且受到范圍，密封且有限的空間倒霉于LED散熱，這意味著照明LED的利用情況要劣于傳統(tǒng)體現(xiàn)、指示用LED產(chǎn)物。別的，照明LED是處于大電流驅(qū)動下事變，這就對其提出更高的可靠性要求。在財產(chǎn)化生產(chǎn)中，針對差別的產(chǎn)物用途，舉行得當(dāng)?shù)臒崂匣囟妊h(huán)打擊、負(fù)載老化工藝篩選試驗，剔除早期失效品，包管產(chǎn)物的可靠性很有須要。
電防護技能
由于GaN是寬禁帶質(zhì)料，電阻率較高，該類芯片在生產(chǎn)歷程中因靜電產(chǎn)生的感生電荷不易消散，累積到相稱的程度，可以產(chǎn)生很高的靜電電壓。當(dāng)超過質(zhì)料的蒙受本領(lǐng)時，會產(chǎn)生擊穿征象并放電。藍寶石襯底的藍色芯片其正負(fù)電極均位于芯片上面，間距很小;敷衍InGaN/AlGaN/GaN雙異質(zhì)結(jié)，InGaN活化薄層僅幾十納米，對靜電的蒙受本領(lǐng)很小，極易被靜電擊穿，使器件失效。 因此，在財產(chǎn)化生產(chǎn)中，靜電的防備是否得當(dāng)，直接影響到產(chǎn)物的成品率、可靠性和經(jīng)濟效益。靜電的防備技能有如下幾種：
1.對生產(chǎn)、利用場合從人體、臺、地、空間及產(chǎn)物傳輸、堆放等方面實行防備，本領(lǐng)有防靜電打扮、手套、手環(huán)、鞋、墊、盒、離子風(fēng)扇、檢測儀器等。
2.芯片上計劃靜電掩護線路。
3.LED上裝配掩護器件。
干系鏈接
功率型LED封裝技能現(xiàn)狀
功率型LED分為功率LED和W級功率LED兩種。功率LED的輸入功率小于1W(幾十毫瓦功率LED除外);W級功率LED的輸入功率便是或大于1W。
外洋功率型LED封裝技能
(1)功率LED
最早有HP公司于20世紀(jì)90年代初推出“食人魚”封裝結(jié)構(gòu)的LED，并于1994年推出改造型的“Snap LED”，有兩種事變電流，分別為70mA和150mA，輸入功率可達0.3W。接著OSRAM公司推出“POWER TOP LED”。之后一些公司推出多種功率LED的封裝結(jié)構(gòu)。這些結(jié)構(gòu)的功率LED比原支架式
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