提高LED節(jié)能燈取光效率的封裝技術(shù)
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半導(dǎo)體LED若要作為照明光源，通例產(chǎn)物的光通量與白熾燈和熒光燈等通用性光源相比，隔斷甚遠。因此，LED節(jié)能燈要在照明范疇生長，關(guān)鍵是要將其發(fā)光服從、光通量進步至現(xiàn)有照明光源的品級。功率型LED所用的外延質(zhì)料接納MOCVD的外延生長技能和多量子阱結(jié)構(gòu)，固然其內(nèi)量子服從還需進一步進步，但得到高發(fā)光通量的最大停滯還是芯片的取光服從低?，F(xiàn)有的功率型LED的計劃接納了倒裝焊新結(jié)構(gòu)來進步芯片的取光服從，改造芯片的熱特性，并通過增大芯片面積，加大事變電流來進步器件的光電轉(zhuǎn)換服從，從而得到較高的發(fā)光通量。除了芯片外，器件的封裝技能也舉足輕重。關(guān)鍵的封裝技能工藝有：
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/221911.htm散熱技能
傳統(tǒng)的指示燈型LED封裝結(jié)構(gòu)，一樣平常是用導(dǎo)電或非導(dǎo)電膠將芯片裝在小尺寸的反射杯中或載片臺上，由金絲完成器件的表里毗連后用環(huán)氧樹脂封裝而成，其熱阻高達250℃/W～300℃/W，新的功率型芯片若接納傳統(tǒng)式的LED封裝情勢，將會由于散熱不良而導(dǎo)致芯片結(jié)溫靈敏上升和環(huán)氧碳化變黃，從而造成器件的加快光衰直至失效，以致由于靈敏的熱膨脹所產(chǎn)生的應(yīng)力造成開路而失效。
因此，敷衍大事變電流的功率型LED芯片，低熱阻、散熱良好及低應(yīng)力的新的封裝結(jié)構(gòu)是功率型LED器件的技能關(guān)鍵。可接納低阻率、高導(dǎo)熱性能的質(zhì)料粘結(jié)芯片;在芯片下部加銅或鋁質(zhì)熱沉，并接納半包封結(jié)構(gòu)，加快散熱;以致計劃二次散熱裝置，來低落器件的熱阻。在器件的內(nèi)部，添補透明度高的柔性硅橡膠，在硅橡膠蒙受的溫度范疇內(nèi)(一樣平常為-40℃～200℃)，膠體不會因溫度猛然變革而導(dǎo)致器件開路，也不會出現(xiàn)變黃征象。零件質(zhì)料也應(yīng)充實思量其導(dǎo)熱、散熱特性，以得到良好的團體熱特性。
二次光學(xué)計劃技能
為進步器件的取光服從，計劃外加的反射杯與多重光學(xué)透鏡。
功率型LED白光技能
常見的實現(xiàn)白光的工藝要領(lǐng)有如下三種：
(1)藍色芯片上涂上YAG熒光粉，芯片的藍色光引發(fā)熒光粉發(fā)出540nm～560nm的黃綠光，黃綠光與藍色光合成白光。該要領(lǐng)制備相對簡單，服從高，具有實用性。缺點是布膠量同等性較差、熒光粉易沉淀導(dǎo)致出光面勻稱性差、色調(diào)同等性欠好;色溫偏高;顯色性不敷抱負。
(2)RGB三基色多個芯片或多個器件發(fā)光混色成白光，大概用藍+黃綠色雙芯片補色產(chǎn)生白光。只要散熱得法，該要領(lǐng)產(chǎn)生的白光較前一種要領(lǐng)穩(wěn)固，但驅(qū)動較龐大，別的還要思量差別顏色芯片的差別光衰速率。
(3)在紫外光芯片上涂RGB熒光粉，利用紫光引發(fā)熒光粉產(chǎn)生三基色光混色形成白光。由于現(xiàn)在的紫外光芯片和RGB熒光粉服從較低，仍未到達實用階段。我們以為，照明用W級功率LED產(chǎn)物要實現(xiàn)財產(chǎn)化還必須管理如下技能標題：
1.粉涂布量控制：LED芯片+熒光粉工藝接納的涂膠要領(lǐng)，通常是將熒光粉與膠殽雜后用分派器將其涂到芯片上。在利用歷程中，由于載體膠的粘度是動態(tài)參數(shù)、熒光粉比巨大于載體膠而產(chǎn)生沉淀以及分派器精度等因素的影響，此工藝熒光粉的涂布量勻稱性的控制有難度，導(dǎo)致了白光顏色的不勻稱。
2.片光電參數(shù)共同：半導(dǎo)體工藝的特點，決定同種質(zhì)料同一晶圓芯片之間都大概存在光學(xué)參數(shù)(如波長、光強)和電學(xué)(如正向電壓)參數(shù)差別。RGB三基色芯片更是如許，敷衍白光色度參數(shù)影響很大。這是財產(chǎn)化必須要管理的關(guān)鍵技能之一。
3.憑據(jù)應(yīng)用要求產(chǎn)生的光色度參數(shù)控制：差別用途的產(chǎn)物，對白光LED的色坐標、色溫、顯色性、光功率(或光強)和光的空間漫衍等要求差別。上述參數(shù)的控制涉及產(chǎn)物結(jié)構(gòu)、工藝要領(lǐng)、質(zhì)料等
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