關(guān)于高功率LED封裝二三事
led照明應(yīng)用的快速興起,預(yù)期將擴(kuò)大高功率LED的產(chǎn)品需求,為確保高功率LED能符合市場(chǎng)要求,封裝業(yè)者試圖借由改善封裝材料、晶粒配置等方面,以真正達(dá)成高性價(jià)比與延長(zhǎng)使用壽命的目的。
產(chǎn)業(yè)界時(shí)常發(fā)表的高功率發(fā)光二極管(LED)光源,多為數(shù)十瓦甚至上百瓦的LED封裝技術(shù),以光系統(tǒng)應(yīng)用端的角度觀之,實(shí)無太大意義,反而是如何能將數(shù)十至上百瓦的熱消除才是關(guān)鍵。而要達(dá)成此一目標(biāo),須能有效降低單一LED封裝之熱阻值(Rjc)。
LED封裝所驅(qū)動(dòng)的功率大小受限于封裝體熱阻與所搭配之散熱模塊(Rca),兩者決定LED的系統(tǒng)熱阻和穩(wěn)態(tài)所能忍受的最大功率值。為降低封裝熱阻,業(yè)者試圖加大封裝體內(nèi)LED晶粒分布距離,然LED晶粒分布面積不宜太大,過大的發(fā)光面積會(huì)使后續(xù)光學(xué)難以處理,也限制該產(chǎn)品的應(yīng)用。不可一味將更多的LED晶粒封裝于單一體內(nèi),以求達(dá)到高功率封裝目的,因?yàn)槿杂兄T多因素待考慮,尤其是對(duì)于應(yīng)用面。
多晶粒封裝材料不斷發(fā)展
隨著LED封裝功率提升,多晶粒封裝(Multi-chip Package)成為趨勢(shì),傳統(tǒng)高功率LED封裝多采用塑料射出之預(yù)成型導(dǎo)線架(Pre-mold Lead Frame)方式(圖1a),封裝載體(Carrier)又稱為芯片承載(Die Pad),為一連續(xù)的金屬塊,已無法滿足多晶粒串接之電性需求,電性串并聯(lián)方式直接影響LED晶粒電測(cè)分檔(Bin)的精密程度、可靠度壽命以及封裝體在應(yīng)用時(shí)所需要的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。于是眾多LED封裝型式陸續(xù)被提出,圖2舉出幾個(gè)代表性高功率LED封裝典型例子。
圖1 常見高功率LED封裝結(jié)構(gòu)示意
圖2 典型具代表性之高功率LED封裝
廣為業(yè)界使用的高功率LED封裝結(jié)構(gòu),主要的差異大致可從封裝載體之材料選用做區(qū)分,實(shí)現(xiàn)方式不外乎采用高導(dǎo)熱陶瓷基材或直接在金屬基材上做植晶封裝(圖1b),成為板上芯片(Chip On Board, COB)的封裝形式。但因?yàn)楦邔?dǎo)熱陶瓷基材價(jià)格居高不下,另有經(jīng)濟(jì)的選擇,為使用低導(dǎo)熱積層陶瓷配合熱導(dǎo)通孔(Thermal Via)的設(shè)計(jì)(圖1c),熱導(dǎo)通孔內(nèi)添入燒結(jié)金屬(如銀材)作為導(dǎo)熱路徑;此外,亦另有先進(jìn)的作法,是使用半導(dǎo)體制程硅材為載體(圖1d)達(dá)到熱電分離,同時(shí)兼具高功率密度和低熱阻(<0.5℃/W)特性,可望將高功率LED封裝導(dǎo)入另一項(xiàng)革命。隨著LED功率和功率密度升級(jí),將加速LED在各應(yīng)用領(lǐng)域逐次取代傳統(tǒng)光源。
一級(jí)光學(xué)鏡片封裝材料選用舉足輕重
耐高溫且穩(wěn)定的封合膠體(Encapsulation)已被廣泛采用,不同硅膠基材間的取舍,除了加工性外,主要在于折射率的考慮,其將影響封裝體的光學(xué)特性,此包括光分配(Beam Distribution)與出光效率等。為維持穩(wěn)定一致的光學(xué)質(zhì)量,賦予一級(jí)光學(xué)鏡片(Primary Lens)有其必要性,好的鏡片設(shè)計(jì)可提供更佳的光輸出質(zhì)量,如更均勻的光強(qiáng)度、色坐標(biāo)分布等,對(duì)于LED的有效出光有絕對(duì)的影響。
一級(jí)光學(xué)鏡片的設(shè)計(jì),各家自有其道,一般在第一階出光多采用大出光角(≧120o)方式,再透過后續(xù)的二階光學(xué)處理調(diào)整達(dá)所需要的光形,大出光角的另一好處,是有利于將光萃取出來,呈現(xiàn)更好的發(fā)光效率值。
一級(jí)光學(xué)材料的選用是很大的關(guān)鍵點(diǎn),在過去,受限于可光學(xué)成型材料的瓶頸,多數(shù)以光學(xué)聚碳酸脂(PC)或光學(xué)壓克力(PMMA)材質(zhì)為主(低階產(chǎn)品甚或有使用氧樹脂的例子),現(xiàn)階段因硅膠材性質(zhì)已多有突破,陸續(xù)被使用在一級(jí)光學(xué)鏡片,然因膠材乃屬黏彈性非堅(jiān)硬結(jié)構(gòu),在光學(xué)精準(zhǔn)性上會(huì)受到交鏈反應(yīng)收縮程度差異影響,同時(shí)因硅膠容易吸收水氣,在高潮濕環(huán)境下,硅膠鏡片可能因吸濕膨脹而使原先設(shè)計(jì)的配光發(fā)生變化,硅膠材應(yīng)用在高功率LED封裝,適處于推廣階段。至于在光學(xué)鏡片材料選用上,還有另一種可行方式,對(duì)于實(shí)現(xiàn)更精致光學(xué)質(zhì)量與高度可靠度需求者,可選用穩(wěn)定的玻璃鏡片,滿足長(zhǎng)壽命和容許惡劣使用環(huán)境下嚴(yán)格考驗(yàn)。
有效降低熱阻值為首要課題
LED封裝推向高功率,首要面對(duì)熱的挑戰(zhàn)。熱效應(yīng)始終為各種材料特性退化的一大加速因子,如何掌控結(jié)點(diǎn)溫度,成為決定LED封裝功率值的主要因素,現(xiàn)階段固態(tài)照明產(chǎn)生白光的主流機(jī)制,仍以可見藍(lán)光(450~470奈米)透過熒光材(Phosphor)激發(fā)黃色光譜混合,而產(chǎn)生人類視覺上的白光。
市面上可見之藍(lán)光晶粒技術(shù)已達(dá)一定水平,晶粒本身對(duì)熱沖擊的忍受程度相當(dāng)大(溫度每提升10℃、發(fā)光效率衰退小于1%),然而熱對(duì)于所有類型熒光材的效應(yīng)則相對(duì)敏感,熒光材之光轉(zhuǎn)換效率隨溫度上升而降低(圖3),同時(shí)影響熒光材料壽命,特別當(dāng)熒光材料溫度超過70℃以上時(shí)會(huì)急速衰退,此意味著LED結(jié)點(diǎn)溫度(Junction Temperature, Tj)須有效控制在70℃以下,始能有效確保LED可用壽命(一般壽命以L70計(jì)算,LED衰退至原來亮度70%之時(shí)間),作為壽命判斷依據(jù),而此要求一般皆在20,000小時(shí)以上。因此,當(dāng)討論LED最高功率以及效能時(shí),須考慮其于正常操作狀態(tài)下,達(dá)熱穩(wěn)定時(shí)之結(jié)果去推算始具意義。LED封裝體自身之熱阻,決定該封裝所能承受的最大功率,如何有效降低Rjc值,是為高功率LED封裝須面對(duì)的一大挑戰(zhàn)。
圖3 熒光材光轉(zhuǎn)換效率隨溫度之變化
成本、電性、可靠度為封裝體晶粒配置三大評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)
LED晶粒的工作電流密度有其上限(以40×40密爾(mil)芯片面積為例,依芯片等級(jí),驅(qū)動(dòng)電流從350~1,000毫安皆有,然而提高LED功率最直接的作法,是提高LED封裝內(nèi)的總晶粒面積,作法不外乎增加晶粒大小,或是提高晶粒數(shù)目(采用多晶封裝方式),各有其優(yōu)缺點(diǎn),可從晶粒成本、電性考慮、以及可靠度壽命等角度予以評(píng)估:
?成本考慮
以大尺寸80密爾晶粒為例,其面積相當(dāng)于四個(gè)40密爾晶粒,然對(duì)于晶粒價(jià)格而言,80密爾的晶粒成本,因良率因素,必定高于四個(gè)40密爾的成本。
?電性連接方式
從電性的角度來看,80密爾晶粒相當(dāng)于將四個(gè)40密爾晶粒以并聯(lián)形式連接(圖4a),而若使用四個(gè)40密爾晶粒,則可以選擇透過打線(Wire Bonding)方法以串聯(lián)形式連接(圖4b),串聯(lián)與并聯(lián)方式的差異,可反應(yīng)在性能表現(xiàn),了解每顆LED晶粒的順相電壓(Forward Voltage, Vf)皆有差異,換句話說,也就是各晶粒單元的內(nèi)阻值不一,四顆晶粒并聯(lián)驅(qū)動(dòng),必有電流分布不均問題,電流分配較大的晶粒,光轉(zhuǎn)換效率大同時(shí)也加速晶粒老化,電流分配不足的晶粒,則無法釋放出足夠的光能,結(jié)果使整體的發(fā)光效率不如預(yù)期。
圖4 于相同的晶粒面積條件下,不同晶粒大小相對(duì)應(yīng)之電性連接示意
?可靠度壽命
大晶粒因有電流分布不均現(xiàn)象,電流密度大的區(qū)域加速老化,LED老化的結(jié)果是阻值降低,導(dǎo)致該區(qū)域電流密度(Current Density)愈來愈大,也形成所謂的熱點(diǎn)(Hot Spot),惡性循環(huán)的結(jié)果會(huì)加速LED衰退。因此,LED在相同電流密度操作下,大晶粒的可靠度壽命較小晶粒短。
總的來說,采用串聯(lián)形式是比較有利的作法,然大尺寸晶粒卻有其他方面的優(yōu)勢(shì),在光學(xué)處理上,大尺寸晶粒相較于多個(gè)小尺寸晶粒,更趨近于點(diǎn)光源,較容易處理。大、小晶粒尺寸間的取舍端視應(yīng)用領(lǐng)域而定,在實(shí)際操作上,仍須考慮封裝的制程可行性以及LE
評(píng)論