功率型ＬＥＤ芯片產(chǎn)業(yè)格局

4.3、芯片結構　

設計新的芯片結構目標是提高取光效率。功率型ＬＥＤ所用的外延材料，雖然其內量子效率還需進一步提高，但獲得高發(fā)光通量的最大障礙乃是芯片的取光效率低，其原因是半導體與封裝環(huán)氧的折射率相差較大，致使內部的全反射臨界角很小。

目前，按照常規(guī)理念設計的超高亮度ＬＥＤ遠遠不能滿足固體照明所需的光通量。為提高ＬＥＤ的光通量，滿足固體照明的要求，必須采用新的設計理念，用倒裝焊新結構來提高芯片的取光效率，從而獲得較高的光通量。

4.4、生產(chǎn)工藝

（1）金屬有機化合物汽相淀積（ＭＯＣＶＤ）；
（2）多量子阱結構；
（3）倒裝焊接；
（4）晶片鍵合；
（5）紋理表面結構；
（6）動態(tài)自適應粉涂布量控制。

4.5、產(chǎn)業(yè)化技術指標

（１）芯片功率：１Ｗ，３Ｗ，５Ｗ（１０Ｗ級目前為實驗室產(chǎn)品）；
（２）產(chǎn)品成品率≥９５％。

5、市場預測

5.1、產(chǎn)品用途　

功率型ＬＥＤ作為典型的綠色照明光源，蘊含著誘人的市場前景。２００４年全球ＬＥＤ應用市場的規(guī)模超過１２０億美元，預計２０１０年全球將達到５００億美元，中國將達到６００億元人民幣。據(jù)中國光學光電子協(xié)會統(tǒng)計，國內市場將保持３０％以上的增長速度。

手電筒、礦燈、航標燈等均屬于大功率ＬＥＤ的重要應用領域?，F(xiàn)在各廠家均在積極嘗試用功率ＬＥＤ取代普通白光ＬＥＤ，一旦功率ＬＥＤ產(chǎn)品實現(xiàn)批量化生產(chǎn)，價格下降至１５元以下，將進入大批量應用的產(chǎn)業(yè)階段?！?/P>

車用市場亦將是白光ＬＥＤ的高成長領域，汽車內外部照明均會用到功率ＬＥＤ。手機Ｆlash、３００萬像素以上數(shù)碼相機閃光燈將會大量采用功率型TOP LED。

城市燈飾、景觀燈（方向燈、迷你聚光、裝飾、建筑細節(jié)、穹頂照明等）會逐步用功率ＬＥＤ取代霓虹燈，此領域市場巨大。

5.2、美國ＣＩＲ預測數(shù)據(jù)

據(jù)美國市場研究公司Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ?。桑睿洌酰螅簦颍。遥澹螅澹幔颍悖瑁澹颍螅ǎ茫桑遥╊A測，全球ＬＥＤ市場將從２００４年的３２億美元，增長至２００８年的５６億美元；高亮度發(fā)光二極管市場產(chǎn)值將由１６億美元增至２６．４億美元；而超高亮度發(fā)光二極管市場將從２００６年起快速成長，并于２００８年占據(jù)全球市場２２％的份額。

5.3、國內的產(chǎn)業(yè)規(guī)劃

２００３年３月，隨著我國“十五”科技攻關計劃“半導體照明產(chǎn)業(yè)化技術開發(fā)”重大項目的正式立項，國家半導體照明工程已進入實質性推進階段。

科技部建議，在將半導體照明產(chǎn)業(yè)納入國家重點發(fā)展的高新技術產(chǎn)業(yè)的同時，以２００８年北京奧運會和２０１０年上海世博會為契機，推動半導體燈在城市景觀照明中的應用。

5.4、國內外市場競爭力

功率型ＬＥＤ產(chǎn)品已獲市場認可，供不應求，目前產(chǎn)銷矛盾突出。在技術路線正確，技術指標先進，技術分析可行的前提下，確定合理的生產(chǎn)規(guī)模，其產(chǎn)業(yè)化的目標是能夠實現(xiàn)的。

功率型ＬＥＤ項目是高技術、高投入、高產(chǎn)出項目，在國內外市場上都具有相當?shù)母偁幠芰?。目前所用功率型ＬＥＤ芯片基本依靠進口，如果本國功率型ＬＥＤ產(chǎn)業(yè)化后產(chǎn)能大幅提高，可以大大減少進口，節(jié)省大量外匯，并可打入國際市場，能取得較好的經(jīng)濟效益和社會效益。　

5.5、當前主要原材料供應商

外延片：信息產(chǎn)業(yè)部十三所、江西聯(lián)創(chuàng)光電、日本日立電線、日本日亞、日本三菱化學、日本信越光電、日本住友電工、南韓Ｐｒｏｗ－ｔｅｃｈ，俄羅斯半導體研究所。

混合蒸鍍源：貴研鉑業(yè)、賀力氏招遠、寧波康強。