超高去除速率銅CMP研磨劑的開發(fā)
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MIT 854-TEOS有圖形晶圓用于形貌研究（圖6）。在此晶圓上覆蓋的Cu層約1.0μm，在下壓力為1.2psi時拋光到終點。被拋光的晶圓上沒有Cu殘留物。用高去除速率研磨劑在10μm線條上形成的凹陷約為1265?，對于Cu 3D TSV應用，這是可以接受的。由于3D TSV應用Cu CMP的主要瓶頸是體Cu的拋光臺階，若在軟著陸臺階處用低凹陷研磨劑，就能獲得低得多的形貌。表面粗糙度是在0.6μm Cu層去除后在Cu blanket上測量的。拋光后觀測到均勻性好。加工完成后的Cu晶圓表面非常平滑，表面粗糙度低（在9～13?之間）。電化學實驗結果也指出，Cu晶圓表面的腐蝕率為9.3?/min。這表明該研磨劑腐蝕少，平坦化效率高。研究結果說明，Cu絡合和Cu表面鈍化在高速Cu CMP研磨劑設計中十分重要。很好的平衡這些因素可得到高的Cu去除速率，保持相當好的形貌、表面粗糙度和缺陷率，這對3D TSV Cu CMP應用是重要的。
結論
ER9212研磨劑提供了體Cu高去除速率、良好的形貌和低表面粗糙度。它是高速Cu CMP應用（如Cu 3D TSV、Cu MEMS和頂層Cu CMP等）的優(yōu)良備選研磨劑。
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