非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件功效的方法

圖9：與PDSOI器件相比，F(xiàn)D-SOI 器件顯示出更低的噪音。

應(yīng)變硅與增強(qiáng)傳輸特性

通過改善短溝道靜電的影響，降低了漏電、可變性及待機(jī)功耗。在某種程度上，它甚至改進(jìn)了傳輸特性。然而， 要充分地降低動態(tài)功耗，而不必對漏電和性能作出折衷，就需要進(jìn)一步增強(qiáng)傳輸特性。

由于動態(tài)功耗的二次方程式取決于Vdd (CVdd2F)， 調(diào)整電源電壓是降低動態(tài)功率的最有效的方法。然而，如果門限電壓并沒有降低， 那么，Vdd的減少會導(dǎo)致晶體管中載流子密度(Qi)的大量損耗。

Qi(max) ~ Cox (Vdd-VT)

由于源/漏漏電呈指數(shù)地依賴于VT(圖2)， 要調(diào)整VT就變得十分受到限制。此外，Cox的增加受到Tox的限制， 這一點最終受到門漏電和電介質(zhì)可靠性的限制。 當(dāng)晶體管被堆疊以減少漏電時，一個類似的問題又出現(xiàn)了(圖10)。在邏輯模塊中的堆疊器件要減少其最大門柵過驅(qū)動的虛擬節(jié)點(Vdd‘-VT)，因此，它 們會隨著堆疊的增加變得更加弱。

圖10：晶體管堆疊對于實現(xiàn)“休眠”晶體管和電源門控技術(shù)已很常見。

要恢復(fù)相同的電流(I=Qi速率)，載流子速率(或遷移率)必須得到增加以彌補(bǔ)Qi損耗。這正是遷移率隨應(yīng)變硅的優(yōu)越而得到增強(qiáng)之處。

隨著英特爾宣布，把應(yīng)力襯底材料和SiGe源/漏的結(jié)合進(jìn)入90nm 技術(shù)節(jié)點，針對不同工藝的應(yīng)變硅已應(yīng)用到產(chǎn)品之中，被集成以增強(qiáng)他們的CMOS器件[4]。此外，人們還研究了從雙壓力襯底到襯低應(yīng)變硅的許多其它的方 法。推動晶體管性能的根本目標(biāo)是相同的：實質(zhì)性地增強(qiáng)遷移率，我們能在維持電路性能的同時，為降低動態(tài)功耗，而對驅(qū)動電流進(jìn)行折衷(圖11)。

圖11： 振蕩器電路模擬表明：在保持頻率性能的同時提高遷移率，通過把Vdd從1.2V 降到1V，可以減低平均功耗。

這就意味著提高遷移率?傳統(tǒng)的高性能晶體管的發(fā)展推動力?也開始向低功耗管理這個前沿轉(zhuǎn)移，因此，要研究獲得更高遷移率的縮放路徑。通過工藝技術(shù)把現(xiàn)有各種應(yīng)力材料的優(yōu)勢結(jié)合起來并加以增強(qiáng)，是進(jìn)一步提高性能的自然方法(圖12， 13) [5]。最終，除了應(yīng)變硅外，可能還需要具有更高遷移率的非硅材料，從而引領(lǐng)工藝及設(shè)計工程師努力開發(fā)新工藝并解決各種設(shè)計復(fù)雜性問題。

圖12：直接制作在在絕緣體上的應(yīng)變硅(襯底應(yīng)變)與嵌入式SiGe源?漏及襯底應(yīng)力材料的結(jié)合，可以實現(xiàn)混合應(yīng)變PMOSFET。

圖13：由應(yīng)力襯低結(jié)合的絕緣體(襯底應(yīng)變硅)上直接制作的應(yīng)變硅增強(qiáng)了的NMOSFET性能。

提高遷移率終于獲得了成功，Lg和溝道遷移率的提升加速了晶體管溝道阻抗(Rch)的降低，而寄生源/漏和接觸電阻(Rsd)要以更慢的速度降低。由于寄生參數(shù)導(dǎo)致越來越多的電壓 降，增加Rsd/Rch比率會導(dǎo)致逐漸抵消所增強(qiáng)的晶體管性能，盡管遷移率增加(圖14)[6]。這就意味著，要把寄生電阻急劇降