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技術(shù)知識:嵌入式功率系統(tǒng)的100V MOSFET器件

作者: 時間:2014-01-21 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
成短路,導(dǎo)致 MOSFET和變壓器損耗大幅度提高。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/226750.htm

3.最低的FOMg和FOMgd值

有效功率轉(zhuǎn)換的最高需求是在面向電信和服務(wù)器電源以及類似系統(tǒng)的DC/DC轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。

轉(zhuǎn)換器要求以有效方式提供最高的電流。這只有通過利用最先進的組件和拓撲結(jié)構(gòu)并采用250kHz及以上的開關(guān)頻率才能實現(xiàn)。

對于標準48V寬范圍系統(tǒng)而言,100VMOSFET通常作為半橋或全橋拓撲結(jié)構(gòu)中的原邊側(cè)主開關(guān)。由于開關(guān)頻率非常高,需要低導(dǎo)通電阻Rds(on),亦需要低柵電荷Qg。FOMG(Rds(on)、Qg)成為MOSFET選擇的一個可靠衡量尺度。此外,與開斷損耗直接相關(guān)的Qgd也同樣重要。需要注意,整體效率僅增加1%將意味著MOSFET開關(guān)溫度下降17℃。D類放大器也有類似的要求,在D類放大器中,MOSFET運行在半橋或全橋拓撲結(jié)構(gòu)里。

100V MOSFET的應(yīng)用涵蓋眾多要求。新型OptiMOS2 100V系列采用了先進的MOSFET技術(shù),可為安全、快速開關(guān)和最低電阻功率提供所需的特性。

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