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基于IGBT的固態(tài)脈沖調(diào)制器設(shè)計與實現(xiàn)

作者: 時間:2014-01-21 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
, 62, 62); font-family: Tahoma, Arial, sans-serif; font-size: 14px; text-align: justify; ">3.1 真空管脈沖調(diào)制器

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/226762.htm

以氫閘流管ZQM1-350/14型為例,其參數(shù)為14000V/350A,陶瓷外殼,需要12.6V/6A的燈絲電源。其關(guān)斷時,高壓電源經(jīng)充電電感和變壓器的原邊給仿真線充電,氫閘流管接通時,仿真線經(jīng)氫閘流管對變壓器原邊放電,在變壓器的副邊產(chǎn)生高壓脈沖去調(diào)制磁控管。氫閘流調(diào)制器的結(jié)構(gòu)如圖2所示。

基于IGBT的固態(tài)脈沖調(diào)制器設(shè)計與實現(xiàn)

充氫閘流管是由陽極、陰極、柵極(控制柵,有的還具有預點火柵或分壓柵等)組成,將所有電極用絕緣外殼密封,利用低壓氫氣(氘氣)作為工作及滅弧絕緣介 質(zhì),是離子開關(guān)管中的一個分支,將觸發(fā)脈沖(正極性)加到柵極,使陰-柵間隙產(chǎn)生輝光放電,放電擴展到陽柵間隙導致陽柵間隙擊穿導通,使外電路通過陽極- 柵極-陰極放電,而輸出脈沖電流,是具有正啟動特性的脈沖電真空器件,具有工作電壓高,脈沖電流大,觸發(fā)電壓低,脈沖寬度窄,電流上升快,點火穩(wěn)定等特 點,廣泛應用于國防、醫(yī)療、高能激光、科學研究等領(lǐng)域或場合。

氫閘流管作為開關(guān)時,開關(guān)的接通是由控制柵極上施加正觸發(fā)脈沖來實現(xiàn)的。如果閘流管陽極具有足夠高的正向電壓,柵極一旦被觸發(fā),陽極-陰極之間將迅速導 通,柵極就失去了對放電的控制作用。只有陽極電壓降得很低,不足以維持放電電流時,閘流管才會截止。閘流管在放電結(jié)束后,要經(jīng)過一段消電離時間,柵極才能恢復原來的控制功能。因此,閘流管脈沖調(diào)制器形成的脈沖波形頂部抖動、后沿拖長。

況且真空管調(diào)制器由于電子管的外圍電路有偏壓、簾柵、 陽極等電源,這些電源是不可缺少且體積龐大的高壓電源。調(diào)制器導通時的管壓降較大,調(diào)制器效率較低。電子管極間電容的存在很難實現(xiàn)窄脈沖調(diào)制。另外由于電 子管在真空度變差情況下可能會出現(xiàn)打火等現(xiàn)象,嚴重影響雷達發(fā)射機的可靠性。電子管陰極的壽命較短,也制約著電子管在調(diào)制器中的使用。

全固態(tài)調(diào)制器與電子管調(diào)制器相比具有效率高、體積小、重量輕、可靠性高、壽命長、維修費用低等優(yōu)點。因此,研究固態(tài)調(diào)制器是一個極為重要的發(fā)展方向。3.2 調(diào)制器

調(diào)制器就是以固態(tài)開關(guān)管替代電真空管的調(diào)制器。模塊采用10只串聯(lián)成網(wǎng)絡(luò)使用,單片機驅(qū)動模塊利用單片機形成統(tǒng)一的觸發(fā)脈沖,經(jīng)驅(qū)動模塊M57962L同步觸發(fā)IGBT網(wǎng)絡(luò)。其結(jié)構(gòu)如圖3所示。

基于IGBT的固態(tài)脈沖調(diào)制器設(shè)計與實現(xiàn)

Tch等于調(diào)制器脈沖重復周期T0兩倍,即調(diào)制器的脈沖重復頻率是固定的。因此為了適應雷達工作于多種重復頻率的要求,可在充電電路中串入一只二極管,稱為充電二極管或保持二極管。這時只要充電電路的Tch值小于最小的脈沖重復周期就行了。

VD2和R1稱為過電壓保護電路,它的作用是防止仿真線上出現(xiàn)過高的電壓而損壞功率管。當仿真線向接近短路的負載放電時,其上的電壓會變成負極性,由于 功率管不能反向?qū)щ?,這個負極性的電壓不會消失,在下一個脈沖重復周期充電時,這個電壓與電源電壓的極性一致,所以仿真線將會充電到一個較高的電壓值。如 果這時負載打火并未消失,那么這一過程將會繼續(xù)下去。在理論上可以證明,仿真線上的電壓將會達到電源電壓的6倍之多。當電路中接入VD2和R1之后,只要 仿真線上出現(xiàn)負極性電壓,就可以通過VD2放掉,從而防止了仿真線上過電壓的產(chǎn)生。

R2C2稱為反肩峰電路。當仿真線向不匹配的負載放電會在脈沖的前沿引起顯著的肩峰。R2C2電路就是為了減小這種肩峰的,其電阻通常選擇和負載阻抗相等,而電容的大小可按電路時間常數(shù)與脈沖前沿時間大致相當來確定。

功率開關(guān)管IGBT采用高速型MG400Q1US41,其參數(shù)為1 200V/400A,其參數(shù)如圖4所示。工程中采用十管串聯(lián)的方法以適應高電壓的要求。驅(qū)動模塊采用M57962L,其參數(shù)為1200V/400A。

基于IGBT的固態(tài)脈沖調(diào)制器設(shè)計與實現(xiàn)

十管串聯(lián)需要保證串聯(lián)的10個管子同時導通、同時截止,否則先導通或者后截止的管子就因為要承受高電壓而擊穿,進一步擊穿所有的管子,而形成調(diào)制器故 障,造成不必要的損失。解決的辦法是用單片機產(chǎn)生一路觸發(fā)脈沖,同時觸發(fā)驅(qū)動模塊。因為驅(qū)動模塊具有較高的輸入阻抗,因此單片機的輸出電流足夠同時觸發(fā)驅(qū) 動模塊。10個驅(qū)動模塊被同時觸發(fā),因其延遲的一致性,會使單片機的觸發(fā)脈沖同時加到10個IGBT的柵極。根據(jù)調(diào)制器的要求,由單片機



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