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一款可實現(xiàn)超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設(shè)計方案

作者: 時間:2014-01-07 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
; line-height: 22px; text-indent: 2em; font-family: 宋體, Georgia, verdana, serif; ">過熱保護電路的設(shè)計思路是利用對溫度敏感的元件來檢測的片內(nèi)溫度的變化,當溫度超過設(shè)定值時,保護電路動作,調(diào)整管被關(guān)斷,以防其損壞,電路實現(xiàn)如圖5所示。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/227098.htm

一款可實現(xiàn)超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設(shè)計方案

圖5過熱保護電路

利用晶體管的VBE具有負溫度系數(shù)的特性,將Q0作為測溫元件,由M12、M13、M10、M5、和M4形成一比較器,M11、R1和R2組成分壓電路。在低于溫度設(shè)定值時設(shè)計VGM12 VGM13,比較器反轉(zhuǎn),VGM3變?yōu)楦唠娖?,TOUT的輸出為低電平,從而實現(xiàn)關(guān)斷調(diào)整管。本電路的溫度保護設(shè)定值為160℃,Hspice的模擬結(jié)果如圖6所示,圖中×代表輸出電壓VOUT,⊙代表VGM12,Δ代表VGM13,負載電流為300mA.

一款可實現(xiàn)超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設(shè)計方案

圖6輸出電壓隨溫度的變化( I0=300mA)

3.5總體電路模擬結(jié)果

本電路采用韓國現(xiàn)代公司0.6μm工藝模型,通過Hspice對整體電路及各關(guān)鍵模塊進行了模擬優(yōu)化,典型工作條件下模擬結(jié)果如表1,輸出電壓隨輸入電壓及溫度的變化如圖6、圖7所示,模擬結(jié)果充分驗證了設(shè)計的正確性。

一款可實現(xiàn)超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設(shè)計方案

圖7輸出電壓隨輸入電壓的變化( IO = 300mA)

4總結(jié)

本文分析討論了低壓差的工作特性及設(shè)計考慮,并給出了關(guān)鍵模塊的電路設(shè)計圖,HSPICE的模擬結(jié)果驗證了電路具有良好特性,該電路采用標準工藝實現(xiàn),具有較高的實用價值。


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