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基于MOSFET與變壓器原邊串聯(lián)的RCD緩沖電路選擇

作者: 時(shí)間:2013-12-26 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

對(duì)于,工作時(shí)候與原邊串聯(lián),由于漏感和較大的開(kāi)通電容的影響,使得其關(guān)斷時(shí)候會(huì)承受一個(gè)很高的電壓尖峰。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/227231.htm

為了減小這個(gè)尖峰,我們使用RCD緩沖電路。如圖:

基于MOSFET與變壓器原邊串聯(lián)的RCD緩沖電路選擇

RCD電路有很多類(lèi)型:純粹的RCD,帶回饋電感的RCD,帶回饋的RCD。后邊兩種都是為了將消耗在R上的能量轉(zhuǎn)化為電磁能量回饋電網(wǎng)減小損耗。

RCD工作時(shí)候,由于釬位關(guān)系將開(kāi)關(guān)管兩端電壓限制在2Vdc,C使得開(kāi)關(guān)管集電極或者漏級(jí)電壓上升速度減緩。之后C通過(guò)電阻R放電,或者將能量轉(zhuǎn)移到電感或變壓器中最終回饋電網(wǎng)。

C的取值需要足夠的大,使得開(kāi)關(guān)管電壓上升速度足夠緩慢,保證開(kāi)關(guān)管不受到?jīng)_擊。而C因?yàn)閾p耗的原因也不能太大,而R的大小沒(méi)有特別要求,R越小,C的放電速度越快。只需要在Ton的時(shí)間內(nèi)保證C在下次開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)候放完電荷就可以了。

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