“一點(diǎn)接地”布局實(shí)現(xiàn)PSR電源設(shè)計(jì)之EMC設(shè)計(jì)技巧

作者：時(shí)間：2013-12-23 來源：網(wǎng)絡(luò)

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0px; padding: 0px; word-wrap: break-word; text-indent: 2em; line-height: 24px; color: rgb(62, 62, 62); font-family: Tahoma, Arial, sans-serif; font-size: 14px; text-align: justify; ">在前部分有提到VCC電壓的升高對(duì)EMC有惡性影響。因IC內(nèi)部的檢測(cè)有采用積分電路，所以當(dāng)VCC電壓設(shè)置過高，就需要更長(zhǎng)的積分時(shí)間，在周期不變的情況下，TON的時(shí)間就會(huì)增加，輸出功率不變的情況下MOS的峰值電流就會(huì)增加，在RCD和D4的吸收R7,C11上的峰值都會(huì)增加，且D3,R3,C2也對(duì)VCC有下拉和吸收作用，會(huì)使輸出電壓的過沖加劇，同時(shí)影響延時(shí)檢測(cè)的開啟時(shí)間。這一系列的變化對(duì)EMC的影響是不可忽視的。

本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/227306.htm

根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，結(jié)合變壓器漏感考慮，VCC電壓在滿載事最大值不宜超過19V，所以為使空載時(shí)VCC不至于太低導(dǎo)致蕩機(jī)，建議VCC電壓設(shè)計(jì)在15V，變壓器漏感最大不宜超過15%.

6.C5

C5是IC內(nèi)部延時(shí)檢測(cè)補(bǔ)償設(shè)置端。C5的取值大了會(huì)導(dǎo)致電壓檢測(cè)的周期加長(zhǎng)，小了會(huì)導(dǎo)致電壓檢測(cè)的周期變短。檢測(cè)周期的變化會(huì)影響電壓的采樣率，也就會(huì)影響整個(gè)產(chǎn)品各處的電流紋波，對(duì)EMC也會(huì)造成一定影響，一般選取0.01~0.1uF。

7.C3,C7

前面提到C3和C7的容量取值對(duì)輸出電壓過沖的抑制作用和維持產(chǎn)品的穩(wěn)定性。但C3,C7的容量也不是越大越好，它會(huì)對(duì)EMC起消極作用。C3,C7容量的加大同樣會(huì)導(dǎo)致第5點(diǎn)講到的峰值電流加大，所以不能盲目選擇。

對(duì)PSR原邊反饋控制開關(guān)電源的設(shè)計(jì)和調(diào)試經(jīng)驗(yàn)講解到此就告一段落了，希望能給大家的實(shí)際設(shè)計(jì)帶來幫助。-