由開關(guān)電源驅(qū)動的高速ADC設(shè)計

　　系統(tǒng)設(shè)計人員正面臨越來越多的挑戰(zhàn)，他們必須在不降低系統(tǒng)元件（如高速資料轉(zhuǎn)換器）性能的情況下讓設(shè)計最大程度地實現(xiàn)節(jié)能。設(shè)計人員們可能轉(zhuǎn)而採用許多以電池供電的應(yīng)用（如某種手持終端、軟體無線設(shè)備或可攜式超音波掃描器），也可能縮小產(chǎn)品的外形尺寸，因而必須尋求減少發(fā)熱的諸多方法。

　　極大降低系統(tǒng)功耗的一種方法是對高速資料轉(zhuǎn)換器的電源進(jìn)行最佳化。資料轉(zhuǎn)換器設(shè)計和製程技術(shù)的一些最新進(jìn)展，讓許多新型ADC可直接由開關(guān)電源來驅(qū)動，因而達(dá)到最大化功效的目的。

　　系統(tǒng)設(shè)計人員們習(xí)慣在交換式穩(wěn)壓器和ADC之間使用一些低雜訊、低壓降穩(wěn)壓器（LDO），以清除輸出雜訊和開關(guān)頻率突波（請參見圖1）。但是，這種乾凈的電源設(shè)計代價是高功耗，因為LDO要求壓降余量來維持正常的執(zhí)行。最低壓降一般為200到500mV，但在一些系統(tǒng)中則可高達(dá)1到2V（例如，ADC的3.3V電壓軌產(chǎn)生自一個使用LDO的5V開關(guān)電源時）。

　　圖1：從傳統(tǒng)電源轉(zhuǎn)到最大功效電源。

　　就一個要求3.3V電壓軌的資料轉(zhuǎn)換器而言，300mV的LDO壓降增加約10%的ADC功耗。這種效應(yīng)在資料轉(zhuǎn)換器中更加顯著，因為它具有更小的製程節(jié)點和更低的電源電壓。例如，1.8V時，相同300mV壓降增加約17%（300mV/1.8V）的ADC功耗。因此，將該鏈路的低雜訊LDO去除可產(chǎn)生巨大的節(jié)能效果。去除LDO還可以降低設(shè)計板級空間、熱量以及成本。

　　本文闡述包括超高性能16位元ADC在內(nèi)的一些TI高速ADC可在ADC性能無明顯降低的條件下直接透過交換式穩(wěn)壓器驅(qū)動。為了闡述的方便，我們對兩款不同的資料轉(zhuǎn)換器（一款使用高性能BiCOM技術(shù)（ADS5483），另一款使用低功耗CMOS技術(shù)（ADS6148），以進(jìn)行開關(guān)電源雜訊的感應(yīng)性研究。本文的其他部份對所得結(jié)果分別進(jìn)行介紹。

　　採用BiCOM技術(shù)的ADC

　　這種製程技術(shù)實現(xiàn)寬輸入頻率範(fàn)圍下的高訊號雜訊比（SNR）和高無突波動態(tài)範(fàn)圍（SFDR）。BiCOM轉(zhuǎn)換器一般還具有許多晶片去耦電容器和非常不錯的電源抑制比（PSRR）。我們對ADS5483評估板（ADS5483EVM）進(jìn)行了電源研究，其具有一個使用TPS5420交換式穩(wěn)壓器（Sw_Reg）的板上電源；一個低雜訊LDO（TPS79501）；以及一個外部實驗室電源使用選項。我們使用圖2所示不同結(jié)構(gòu)實施了5次實驗，旨在確定ADS5483透過一個交換式穩(wěn)壓器直接執(zhí)行時出現(xiàn)的性能降低情況。由于ADS5483類比5V電源到目前為止表現(xiàn)出對電源雜訊的最大感應(yīng)性，因此該研究忽略了3.3V電源的雜訊。ADS5483產(chǎn)品說明書中列出的PSRR支援這種情況：兩個3.3V電源的PSRR至少高出5V類比電源20dB。

　　圖 2：使用ADS5483EVM的5次實驗電源結(jié)構(gòu)。

　　5次實驗的結(jié)構(gòu)變化配置如下：

　　實驗 1：

　　一個5V實驗室電源直接連接到5-V類比輸入，同時繞過交換式穩(wěn)壓器（TPS5420）和低雜訊LDO（TPS79501）。使用一個板上LDO（TPS79633）產(chǎn)生ADS5483低感應(yīng)度3.3V類比及數(shù)位電源的3.3V電壓軌。

　　實驗2

　　將一個10V實驗室電源連接到TPS5420降壓穩(wěn)壓器，其使用一個5.3V輸出。這樣可為TPS79501提供一個300mV 壓降，因而產(chǎn)生一個5V電壓軌。

　　實驗3

　　使用TPS5420，從10V實驗室電源產(chǎn)生一個5V電壓軌。本實驗中，我們繞過了TPS79501低雜訊LDO。圖3a顯示，如‘實驗2’連接的LDO較好地減少了交換式穩(wěn)壓器的5.3V輸出峰值電壓。但是，圖3b顯示5VVDDA電壓軌鐵氧體磁珠之后輸出沒有巨大的差異。

　　圖3：實驗2（使用LDO）和實驗3（無LDO）的示波器截圖對比。

　　實驗 4

　　本實驗配置方法與‘實驗3’相同，但去除了TPS5420輸出的RC緩衝器電路，其會引起高振鈴和大開關(guān)頻率突波。

　　我們可在圖4中清楚的觀察到RC緩衝器電路的影響。去除LDO并沒有在鐵氧體磁珠之后表現(xiàn)出明顯的差異，而去除RC緩衝器電路則會導(dǎo)致更大的清潔5VVDDA 電壓軌電壓峰值進(jìn)入ADC。我們將在稍后詳細(xì)研究RC緩衝器電路的影響。

　　圖4：5VVDDA電壓軌的電源雜訊。

　　實驗 5

　　將一個8Ω功率電阻連接到5V電源，類比如現(xiàn)場可程式設(shè)計閘陣列（FPGA）等額外負(fù)載。TPS5420必須提供更高的輸出電流，并更努力地驅(qū)動其內(nèi)部開關(guān)，因而產(chǎn)生更大的輸出突波。通過重復(fù)進(jìn)行‘實驗2’、‘實驗3’和‘實驗4’可以測試這種配置。　　測量結(jié)果

　　我們利用輸入訊號頻率掃描對比了5個實驗。先使用135MSPS採樣速率然后使用80MSPS採樣速率對叁個ADS5483EVM實施了這種實驗，均沒有觀察到巨大的性能差異。

　　在使用135MSPS採樣速率情況下，SNR和SFDR的頻率掃描如圖5所示。在10到130MHz輸入頻率下SNR的最大變化約為0.1dB。SFDR結(jié)果也非常接近；在某些輸入頻率（例如：80MHz）下，可以觀測到下降1至2dB。

　　圖5；10到130MHz輸入頻率掃描。

　　5個實驗的FFT曲線圖對比（請參見