由開關電源驅動的高速ADC設計
系統(tǒng)設計人員正面臨越來越多的挑戰(zhàn),他們必須在不降低系統(tǒng)元件(如高速資料轉換器)性能的情況下讓設計最大程度地實現(xiàn)節(jié)能。設計人員們可能轉而採用許多以電池供電的應用(如某種手持終端、軟體無線設備或可攜式超音波掃描器),也可能縮小產(chǎn)品的外形尺寸,因而必須尋求減少發(fā)熱的諸多方法。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/228094.htm極大降低系統(tǒng)功耗的一種方法是對高速資料轉換器的電源進行最佳化。資料轉換器設計和製程技術的一些最新進展,讓許多新型ADC可直接由開關電源來驅動,因而達到最大化功效的目的。
系統(tǒng)設計人員們習慣在交換式穩(wěn)壓器和ADC之間使用一些低雜訊、低壓降穩(wěn)壓器(LDO),以清除輸出雜訊和開關頻率突波(請參見圖1)。但是,這種乾凈的電源設計代價是高功耗,因為LDO要求壓降余量來維持正常的執(zhí)行。最低壓降一般為200到500mV,但在一些系統(tǒng)中則可高達1到2V(例如,ADC的3.3V電壓軌產(chǎn)生自一個使用LDO的5V開關電源時)。
圖1:從傳統(tǒng)電源轉到最大功效電源。
就一個要求3.3V電壓軌的資料轉換器而言,300mV的LDO壓降增加約10%的ADC功耗。這種效應在資料轉換器中更加顯著,因為它具有更小的製程節(jié)點和更低的電源電壓。例如,1.8V時,相同300mV壓降增加約17%(300mV/1.8V)的ADC功耗。因此,將該鏈路的低雜訊LDO去除可產(chǎn)生巨大的節(jié)能效果。去除LDO還可以降低設計板級空間、熱量以及成本。
本文闡述包括超高性能16位元ADC在內的一些TI高速ADC可在ADC性能無明顯降低的條件下直接透過交換式穩(wěn)壓器驅動。為了闡述的方便,我們對兩款不同的資料轉換器(一款使用高性能BiCOM技術(ADS5483),另一款使用低功耗CMOS技術(ADS6148),以進行開關電源雜訊的感應性研究。本文的其他部份對所得結果分別進行介紹。
採用BiCOM技術的ADC
這種製程技術實現(xiàn)寬輸入頻率範圍下的高訊號雜訊比(SNR)和高無突波動態(tài)範圍(SFDR)。BiCOM轉換器一般還具有許多晶片去耦電容器和非常不錯的電源抑制比(PSRR)。我們對ADS5483評估板(ADS5483EVM)進行了電源研究,其具有一個使用TPS5420交換式穩(wěn)壓器(Sw_Reg)的板上電源;一個低雜訊LDO(TPS79501);以及一個外部實驗室電源使用選項。我們使用圖2所示不同結構實施了5次實驗,旨在確定ADS5483透過一個交換式穩(wěn)壓器直接執(zhí)行時出現(xiàn)的性能降低情況。由于ADS5483類比5V電源到目前為止表現(xiàn)出對電源雜訊的最大感應性,因此該研究忽略了3.3V電源的雜訊。ADS5483產(chǎn)品說明書中列出的PSRR支援這種情況:兩個3.3V電源的PSRR至少高出5V類比電源20dB。
圖 2:使用ADS5483EVM的5次實驗電源結構。
5次實驗的結構變化配置如下:
實驗 1:
一個5V實驗室電源直接連接到5-V類比輸入,同時繞過交換式穩(wěn)壓器(TPS5420)和低雜訊LDO(TPS79501)。使用一個板上LDO(TPS79633)產(chǎn)生ADS5483低感應度3.3V類比及數(shù)位電源的3.3V電壓軌。
實驗2
將一個10V實驗室電源連接到TPS5420降壓穩(wěn)壓器,其使用一個5.3V輸出。這樣可為TPS79501提供一個300mV 壓降,因而產(chǎn)生一個5V電壓軌。
實驗3
使用TPS5420,從10V實驗室電源產(chǎn)生一個5V電壓軌。本實驗中,我們繞過了TPS79501低雜訊LDO。圖3a顯示,如‘實驗2’連接的LDO較好地減少了交換式穩(wěn)壓器的5.3V輸出峰值電壓。但是,圖3b顯示5VVDDA電壓軌鐵氧體磁珠之后輸出沒有巨大的差異。
圖3:實驗2(使用LDO)和實驗3(無LDO)的示波器截圖對比。
實驗 4
本實驗配置方法與‘實驗3’相同,但去除了TPS5420輸出的RC緩衝器電路,其會引起高振鈴和大開關頻率突波。
我們可在圖4中清楚的觀察到RC緩衝器電路的影響。去除LDO并沒有在鐵氧體磁珠之后表現(xiàn)出明顯的差異,而去除RC緩衝器電路則會導致更大的清潔5VVDDA 電壓軌電壓峰值進入ADC。我們將在稍后詳細研究RC緩衝器電路的影響。
圖4:5VVDDA電壓軌的電源雜訊。
實驗 5
將一個8Ω功率電阻連接到5V電源,類比如現(xiàn)場可程式設計閘陣列(FPGA)等額外負載。TPS5420必須提供更高的輸出電流,并更努力地驅動其內部開關,因而產(chǎn)生更大的輸出突波。通過重復進行‘實驗2’、‘實驗3’和‘實驗4’可以測試這種配置?! y量結果
我們利用輸入訊號頻率掃描對比了5個實驗。先使用135MSPS採樣速率然后使用80MSPS採樣速率對叁個ADS5483EVM實施了這種實驗,均沒有觀察到巨大的性能差異。
在使用135MSPS採樣速率情況下,SNR和SFDR的頻率掃描如圖5所示。在10到130MHz輸入頻率下SNR的最大變化約為0.1dB。SFDR結果也非常接近;在某些輸入頻率(例如:80MHz)下,可以觀測到下降1至2dB。
圖5;10到130MHz輸入頻率掃描。
5個實驗的FFT曲線圖對比(請參見
評論