利用理想二極管和熱插拔控制器隔離電源故障
用肖特基二極管實(shí)現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如,μTCA網(wǎng)絡(luò)及存儲(chǔ)服務(wù)器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系統(tǒng)中采用了肖特基二極管“或”電路。二極管“或”電路還用于采用備用電源的系統(tǒng),例如AC交流適配器和備份電池饋送。問(wèn)題是,肖特基二極管由于正向壓降而消耗功率,所產(chǎn)生的熱量必須用PCB上專(zhuān)門(mén)的銅箔區(qū)散出,或者通過(guò)由螺栓固定到二極管上的散熱器散出,這兩種散熱方式都需要占用很大的空間。
凌力爾特公司的一個(gè)產(chǎn)品系列用外部N溝道MOSFET作為傳遞組件,最大限度地降低了功耗,從而在這些MOSFET接通時(shí),最大限度地減小了從電源到負(fù)載的壓降,這個(gè)產(chǎn)品系列包括 LTC4225、LTC4227和LTC4228。當(dāng)輸入電源電壓降至低于輸出共模電源電壓時(shí),關(guān)斷適當(dāng)?shù)?a class="contentlabel" href="http://m.butianyuan.cn/news/listbylabel/label/MOSFET">MOSFET,從而使功能和性能上與理想二極管匹配。
如圖1所示,通過(guò)增加一個(gè)電流檢測(cè)電阻器,并配置兩個(gè)具備單獨(dú)柵極控制的背對(duì)背MOSFET,LTC4225憑借浪涌電流限制和過(guò)流保護(hù)提高了理想二極管的性能。這就允許電路板安全地插入或從帶電背板拔出,而不會(huì)損壞連接器。LTC4227可以這樣使用:在并聯(lián)連接的理想二極管MOSFET之后,增加電流檢測(cè)電阻器和熱插拔(Hot Swap) MOSFET,以節(jié)省一個(gè) MOSFET。通過(guò)在理想二極管和熱插拔MOSFET之間配置檢測(cè)電阻器,LTC4228比LTC4225有了改進(jìn),LTC4228能更快地從輸入電壓欠壓中恢復(fù),以保持輸出電壓不變。
圖1:采用檢測(cè)電阻器和外部N溝道MOSFET的LTC4225、LTC4227和LTC4228的不同配置
* ADDITIONAL DETAILS OMITTED FOR CLARITY:* 為清晰起見(jiàn),略去了一些細(xì)節(jié)
LTC4225-1、LTC4227-1和LTC4228-1具備鎖斷電路斷路器,而LTC4225-2、LTC4227-2和LTC4228-2提供故障后自動(dòng)重試功能。LTC4225、LTC4227和LTC4228的兩種版本均分別采用24 引腳、20引腳和28引腳4mm x 5mm QFN以及SSOP封裝。
理想二極管控制
LTC4225和LTC4228用一個(gè)內(nèi)部柵極驅(qū)動(dòng)放大器監(jiān)視IN和OUT引腳 (就LTC4227而言是IN和SENSE+引腳) 之間的電壓,起到了理想二極管的作用,該放大器驅(qū)動(dòng)DGATE引腳。當(dāng)這個(gè)放大器檢測(cè)到大的正向壓降(圖2) 時(shí),就快速拉高DGATE引腳,以接通MOSFET,實(shí)現(xiàn)理想二極管控制。
圖2:當(dāng)IN電源接通時(shí),拉高理想二極管控制器CPO和DGATE引腳
CPO和IN引腳之間連接的外部電容器提供理想二極管MOSFET快速接通所需的電荷。在器件加電時(shí),內(nèi)部充電泵給這個(gè)電容器充電。DGATE引腳提供來(lái)自CPO引腳的電流,并將電流吸收到IN和GND引腳中。柵極驅(qū)動(dòng)放大器控制DGATE引腳,以跟隨檢測(cè)電阻器和兩個(gè)外部N溝道MOSFET上的正向壓降,直至25mV。
如果負(fù)載電流引起超過(guò)25mV的壓降,那么柵極電壓就上升,以加強(qiáng)用于實(shí)現(xiàn)理想二極管控制的MOSFET。在MOSFET導(dǎo)通時(shí),如果輸入電源短路,那么會(huì)有很大的反向電流開(kāi)始從負(fù)載流向輸入。故障一出現(xiàn),柵極驅(qū)動(dòng)放大器就會(huì)檢測(cè)到故障情況,并拉低DGATE, 以斷開(kāi)理想二極管MOSFET。
熱插拔控制
拉高ON引腳并拉低/EN引腳,就啟動(dòng)了一個(gè)100ms的防反跳定時(shí)周期。在這個(gè)定時(shí)周期結(jié)束之后,來(lái)自充電泵的10μA電流使HGATE引腳斜坡上升。當(dāng)熱插拔MOSFET接通時(shí),浪涌電流被限制到由外部檢測(cè)電阻器設(shè)定的值上,就LTC4225而言,該電阻器連接在IN和SENSE引腳之間 (就LTC4227和LTC4228而言,是SENSE+和SENSE-引腳)。有源電流限制放大器伺服 MOSFET的柵極,這樣電流檢測(cè)放大器上就會(huì)出現(xiàn)65mV的電壓。如果檢測(cè)電壓高于50mV的時(shí)間超過(guò)了在TMR引腳端配置的故障過(guò)濾器延遲時(shí)間,那么電路斷路器就斷開(kāi),并拉低HGATE。如果需要,可以在HGATE和GND之間增加一個(gè)電容器,以進(jìn)一步降低浪涌電流。當(dāng)MOSFET柵極的過(guò)驅(qū)動(dòng) (HGATE至OUT的電壓) 超過(guò)4.2V時(shí),拉低/PWRGD引腳 (圖 3)。
圖3:當(dāng)ON引腳切換到高電平時(shí),在100ms延遲之后,熱插拔控制器HGATE啟動(dòng),PWRGD被拉低
理想二極管和熱插拔控制相結(jié)合
在一個(gè)采用冗余電源的典型μTCA應(yīng)用中 (圖4和9),在背板上對(duì)輸出進(jìn)行二極管“或”,以不用斷開(kāi)系統(tǒng)電源,就可以取出或插入板卡。LTC4225和LTC4228都包括理想二極管和熱插拔控制器,非常適用于這類(lèi)應(yīng)用,這些器件在兩個(gè)電源之間提供平滑的電源切換,還提供過(guò)流保護(hù)。
圖4:在μTCA應(yīng)用中,LTC4225為兩個(gè)μTCA插槽提供12V電源
PLUG-IN CARD-1:插入式板卡 1
BULK SUPPLY BYPASS CAPACITOR:降壓模式電源旁路電容器
BACKPLANE:背板
如果主電源掉電,那么控制器就快速響應(yīng),以斷開(kāi)主電源通路中的理想二極管MOSFET,并接通冗余電源通路中的MOSFET,從而向輸出負(fù)載提供平滑的電源切換。熱插拔MOSFET保持接通,這樣這些MOSFET就不會(huì)影響電源切換。當(dāng)各自的ON引腳被拉低,或/EN引腳被拉高時(shí),控制器斷開(kāi)熱插拔MOSFET。當(dāng)在輸出端檢測(cè)到過(guò)流故障時(shí),熱插拔MOSFET的柵極被快速拉低,之后輸出就穩(wěn)定在電流限制值上,直至由TMR引腳電容器設(shè)定的故障過(guò)濾器延遲超時(shí)為止。熱插拔MOSFET斷開(kāi),/FAULT引腳鎖定在低電平,以指示出現(xiàn)了故障。通過(guò)將ON引腳拉至低于0.6V,可以使電子電路斷路器復(fù)位。
電源優(yōu)先級(jí)
在傳統(tǒng)的二極管“或”多電源系統(tǒng)中,由電壓較高的輸入電源給輸出供電,同時(shí)擋住電壓較低的電源。這種簡(jiǎn)單的解決方案滿(mǎn)足了應(yīng)用的需求,在這應(yīng)用中,電源的優(yōu)先權(quán)不僅是電壓較高的電源就優(yōu)先的問(wèn)題。圖5顯示了一個(gè)備份電源系統(tǒng),在這個(gè)系統(tǒng)中,無(wú)論何時(shí),只要5V主電源(INPUT1)可用,就由該電源給輸出供電,而12V備份電源(INPUT2)僅當(dāng)主電源無(wú)法提供時(shí)才會(huì)使用。
只要INPUT1高于由ON1引腳端的R1-R2分壓器設(shè)定的4.3V UV門(mén)限,MH1就接通,從而將INPUT1連接到輸出。當(dāng)MH1接通時(shí),/PWRGD1變低,這又將ON2拉低,并通過(guò)斷開(kāi)MH2來(lái)停用IN2通路。如果主電源無(wú)法提供,且INPUT1降至低于4.3V,那么ON1就斷開(kāi)MH1,且/PWRGD1變高,從而允許ON2接通MH2,并將INPUT2連接到輸出。在任何情況下,理想二極管MOSFET MD1和MD2都要防止一個(gè)輸入到另一個(gè)輸入的反向饋送。
圖5:用 LTC4225實(shí)現(xiàn)以IN1作為優(yōu)先輸入的雙通道電源優(yōu)先級(jí)區(qū)分器
PRIMARY SUPPLY:主電源
BACKUP SUPPLY:備份電源
交換電源端和負(fù)載端的二極管和熱插拔FET
LTC4225允許采用背對(duì)背MOSFET的應(yīng)用將在電源端的MOSFET配置為理想二極管,在負(fù)載端的MOSFET配置為熱插拔控制器(圖 4),反之亦然(圖6)。圖6中,在MOSFET的GATE和SOURCE引腳之間也許需要一個(gè)外部齊納二極管來(lái)箝位,以在MOSFET的柵源電壓額定值低于20V時(shí)防止MOSFET擊穿。無(wú)論是按照那安排,LTC4225憑借理想二極管在IN和OUT引腳之間的“或”連接,都能平滑地在電源之間切換。
圖6:用LTC4225實(shí)現(xiàn)在電源端具備熱插拔MOSFET、在負(fù)載端具備理想二極管MOSFET的應(yīng)用
BULK SUPPLY BYPASS CAPACITOR:降壓模式電源旁路電容器
PLUG-IN CARD1:插入式板卡1
BACKPLANE:背板
雙理想二極管和單熱插拔控制器
圖7顯示了LTC4227的應(yīng)用,其中檢測(cè)電阻器放置在并聯(lián)連接的雙電源理想二極管MOSFET之后,檢測(cè)電阻器之后是單個(gè)熱插拔MOSFET。圖中,在故障超時(shí)之前,LTC4227以1x電流限制調(diào)節(jié)過(guò)載輸出,而不像LTC4225二極管“或”應(yīng)用那樣是以2x電流限制。因此,在過(guò)載情況下,功耗降低了。
圖7:用LTC4227
評(píng)論