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用軟啟動禁止低成本輸出來遏制電流尖峰

作者: 時間:2012-03-25 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

為滿足嚴格的待機功耗規(guī)范要求,一些多路輸出電源被設(shè)計為在待機信號為活動狀態(tài)時斷開輸出連接。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/230841.htm

通常情況下,通過關(guān)閉串聯(lián)旁路雙極晶體管(BJT)或MOSFET即可實現(xiàn)上述目的。對于低電流輸出,如果在設(shè)計電源變壓器時充分考慮到晶體管的額外壓降情況,則BJT可成為MOSFET的合適替代品,且成本更為低廉。

圖十所示為簡單的BJT串聯(lián)旁路開關(guān),電壓為12 V,輸出電流強度為100 mA,并帶有一超大電容(CLOAD)。晶體管Q1為串聯(lián)旁路元件,由Q2根據(jù)待機信號的狀態(tài)來控制其開關(guān)。電阻R1的值是額定的,這樣可確保Q1有足夠的基值電流在最小Beta和最大的輸出電流下以飽和的狀態(tài)工作。PI建議額外添加一個電容器(Cnew),用以調(diào)節(jié)導通時的瞬態(tài)電流。如果不添加Cnew,Q1在導通后即迅速進入電容性負載,并因而產(chǎn)生較大的。為調(diào)節(jié)該瞬態(tài)尖峰,需要增加Q1的容量,這便導致了成本的增加。

用作Q1額外“密勒電容”的Cnew可以消除。該額外電容可限制Q1集電極的dv/dt值。dv/dt值越小,流入Cload的充電電流就越少。為Cnew指定電容值,使得Q1的理想輸出dv/dt值與Cnew值相乘等于流入R1的電流。

用軟啟動禁止低成本輸出來遏制電流尖峰
圖10:簡單的電路可以禁止待機時的電源輸出,同時消除導通時的,因此,可利用小型晶體管(Q1)來保持。



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