探討采用綠色塑料封裝的功率MOSFET性能
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據(jù)觀察顯示，在非綠色器件中，施加ACLV 96小時(shí)后開始發(fā)生腐蝕，此時(shí)帶腐蝕離子的電解液從焊球周邊間隙擴(kuò)散進(jìn)鍵合線。電解液沿焊球-焊盤界面流動(dòng)，引發(fā)電腐蝕，造成鋁焊盤溶解。結(jié)果，在CuAl2金屬間化合物微結(jié)構(gòu)下形成裂縫，使銅焊球與鋁鍵合焊盤脫開，這引起RDS(on)值從3.4mΩ(未施加ACLV時(shí)) 增加到4.0mΩ(施加ACLV 96小時(shí)后)。裸片附著脫層也是造成RDS(on)漂移的另一個(gè)因素。然而，已證明該因素不是實(shí)質(zhì)性的。此后繼續(xù)施加應(yīng)力，脫開間隙會(huì)增大，施壓864小時(shí)后，最大間隙尺寸達(dá)到0.5μm，而96小時(shí)之際僅為0.2μm。而且，腐蝕電解液的擴(kuò)散距離隨應(yīng)力施加時(shí)長(zhǎng)成正比增加。這已通過觀察施壓672小時(shí)后的鋁溶解情況以及由此在焊球基底形成的間隙得到證實(shí)，如圖5所示。
圖5 各焊球中心基底的特寫(放大15000倍)。從圖中可看出，672小時(shí)熱壓后，電解腐蝕已經(jīng)向焊球基底擴(kuò)散。
評(píng)論