新思CEO:28nm后電晶體成本降低速度將趨緩

　　摩爾定律(Moore’sLaw)將在未來的十年持續(xù)發(fā)展，但每單位電晶體成本下跌的速度將隨之減緩，無法再像過去一樣快速降低了。根據新思科技董事長兼執(zhí)行長AartdeGeus表示，晶片設計越來越復雜，逐漸延緩向更大晶圓的過渡，但也為其他替代技術開啟了大門。

　　AartdeGeus的這番評論正好出現在當今業(yè)界日益關注半導體技術的未來發(fā)展之際。有些業(yè)界觀察家指出，28nm節(jié)點可能會是最后一次還能以新矽晶制程為客戶帶來完整的好處了──更低成本、功耗以及更高性能。

　　展望未來，「評判的標準將取決于每個電晶體成本降價的速度有多快──這同時也會是良率能多快提升的函數，」AartdeGeus指出，「隨著電晶體降價速度減緩，半導體的價格很可能就必須提高，」才能使晶片制造商得以回收投資。

　　不過，AartdeGeus也轉述英特爾資深院士MarkBohr的看法，他說MarkBohr表示看到一條可邁向7nm節(jié)點的發(fā)展道路，還「可能以某種方式降低每電晶體價格?！?/p>

　　業(yè)界分析師G.DanHutcheson則指出，目前對于未來節(jié)點的每電晶體成本資料掌握有限。不過，根據以往的發(fā)展經驗，他預計業(yè)界將能持續(xù)看到成本下降。

　　Hutcheson指出，由于缺少下一代微影工具，晶圓廠自20nm起就必須為一些晶片層進行兩次圖樣(pattern)過程。但微影技術僅占晶片制造成本的四分之一。

　　面對未來可能更高的成本，「業(yè)界將竭盡所能的利用目前的28nm節(jié)點，」AartdeGeus表示，「由于利潤并沒那么高，其他公司可能更指望在16/14nm節(jié)點，因此，只有一些廠商會轉移到20nm節(jié)點，」他補充說。

　　這可能會為其他替代技術開啟了另一扇門，如意法半導體(ST)以及其他業(yè)者提出的全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)技術?！傅@也會帶動其他主導廠商大力支持FD-SOI，」他說。

　　考慮到成本不斷的增加以及晶片制造的復雜度，半導體公司已經將從300mm晶圓過渡到45nn晶圓的時程延遲到2020年了。AartdeGeus說：「更大的晶圓有時雖可帶來更低成本，但業(yè)界也相應地需要一款完整的工具，如今卻還無法到位?！?/p>

　　盡管如此，AartdeGeus對于未來發(fā)展仍抱持樂觀看法。隨著該公司推出重要的晶片設計軟體升級，他表示，「我們可支援多幾十億種電晶體晶片，而在未來十年也將看到持續(xù)的進展?！?/p>

　　有趣的是，在以Synopsys公司工具完成的設計中，只有約5%的設計采用目前先進的28nm制程技術。根據AartdeGeus的簡報資料，180nm節(jié)點是目前最普遍的制程技術，在采用該工具的設計中約占30%，接著分別是65nm以及250nm節(jié)點。

　　「這的確是令人驚訝的數據分布，讓我不得不再三確認圖表與數字是否確，」AartdeGeus說，「但可以確定的是我們看到了大量轉向28nm的趨勢，接下來也將逐漸增加過渡至16/14nm節(jié)點?！?/p>