FPGA中Flash驅(qū)動(dòng)模塊的設(shè)計(jì)及驗(yàn)證

　　隨著FPGA的功能日益強(qiáng)大和完善，FPGA在項(xiàng)目中的應(yīng)用也越來(lái)越廣泛，其技術(shù)關(guān)鍵在于控制日益廣泛而豐富的外圍器件。本文以Flash存儲(chǔ)器件為FPGA的外圍，敘述了FPGA中SPI總線接口的Flash驅(qū)動(dòng)模塊的設(shè)計(jì)，其接口基本符合Avalon總線的規(guī)范要求，并且通過(guò)實(shí)際的讀寫(xiě)操作驗(yàn)證。

　　Flash器件的基本知識(shí)及控制流程

　　Flash是一種由大容量浮柵(floating gate)結(jié)構(gòu)的MOS管存儲(chǔ)單元加上讀寫(xiě)控制電路構(gòu)成的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其應(yīng)用非常廣泛，按組織結(jié)構(gòu)類型分為NOR和NAND類型，其中NAND flash因?yàn)槿萘扛蠖鴳?yīng)用更為廣泛，如固態(tài)硬盤(pán)(SSD)就是屬于NAND類型的Flash存儲(chǔ)器，其編程及讀取的單位為page;擦除是為扇區(qū)Sector或整個(gè)Bulk擦除。因?yàn)閒lash器件內(nèi)置了電荷泵單元，所以其供電與傳統(tǒng)的EEPROM需要雙電源供電相比，只需要單電源供電即可。存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)由浮柵的電子電荷決定，浮柵上沒(méi)有電荷時(shí)為“1”，當(dāng)浮柵上存有電子電荷時(shí)為“0”。