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理解RF器件性能測量過程中的紋波:理論與實驗(上)

作者:Habeeb Ur Rahman Mohammed博士 時間:2014-04-01 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  引言

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/235699.htm

  在器件參數(shù)描述(例如:增益、線性和回波損耗等)期間,我們有時會看到紋波。出現(xiàn)這些紋波的原因是,信號在線纜、連接器、評估板線路、受測器件()和封裝內(nèi)傳播時存在多次反射情況。這些互連結(jié)點上的阻抗錯配,導(dǎo)致這些紋波的出現(xiàn)。

  圖1a顯示了一條基本傳輸線路,其中,VS為電源,ZS為電源阻抗,Z0為傳輸線路特性阻抗,ZL為負載阻抗。為了讓輸入入射波完成傳輸,傳輸線路應(yīng)匹配電源和負載,例如:ZS=ZO=ZL=50Ω。如果傳輸線路(可以為圖1b所示共軸線路,或者圖2b所示微波傳輸帶線路)的特性阻抗不等于50Ω,則錯配層存在反射。該錯配層可被看作是具有不同介電性能的兩個介質(zhì)的邊界。特性阻抗不為50Ω的傳輸線路部分可表示為絕對介電常數(shù)為ε2的介質(zhì),而50Ω電源和負載則可表示為絕對介電常數(shù)為ε1的介質(zhì)(圖1d和1e)。 通過研究阻抗錯配層的電磁波相互作用情況,我們可以更清楚地理解阻抗錯配帶來的反射問題。在這些層,電磁波相互作用導(dǎo)致介質(zhì)邊界出現(xiàn)波反射和傳輸(分別使用反射系數(shù)Γ和傳輸系數(shù)τ量化表示)。反射系數(shù)是反射Er和入射Ei電場強度的比率。傳輸系數(shù)是傳輸Et和入射Ei電場強度的比率:



關(guān)鍵詞: RF DUT TEM

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