TMS320VC55x系列DSP的Flash引導方法研究

隨著數(shù)字信號處理技術的快速發(fā)展，DSP(數(shù)字信號處理器)越來越廣泛地應用于各種數(shù)字信號處理系統(tǒng)中。最終開發(fā)的系統(tǒng)要想脫離仿真器運行，必須將程序代碼存儲在非易失性存儲器中。Flash存儲器以其大容量和可在線編程等特點已成為DSP系統(tǒng)的一個基本配置。如何將程序燒寫進Flash，并在上電時加載到DSP內部的RAM是Flash在DSP系統(tǒng)中應用的兩個基本技術問題。本文以基于TI公司的TMS320VC5509A和Atmel公司的AT49LV1024 Flash開發(fā)的系統(tǒng)為背景，詳細介紹了系統(tǒng)引導相關的硬件設計、燒寫軟件設計以及自舉引導和二次引導等實現(xiàn)方法。

2 TMS320VC5509A的自舉引導

2.1 TMS320VC5509A的自舉模式配置

TMS320VC5509A每次上電復位后，在執(zhí)行完一系列初始化(配置堆棧寄存器、關閉中斷、程序臨時入口、符號擴展、兼容性配置)工作后，根據(jù)預先配置的自舉模式，通過固化在ROM內的Bootloader程序進行程序引導。VC5509A的引導模式選擇是通過4個模式選擇引腳BOOTM[0：3]配置完成的。 BOOTM0～3引腳分別與GPIO1、2、3、0相連。在本系統(tǒng)設計中，采用EMIF(外部存儲接口)并行引導模式(16位數(shù)據(jù)寬度)，只需將BOOTM[3：0]設置成1011即可。

EMIF為外部存儲接口，通過EMIF接口可以靈活地和各種同步或異步存儲器件無縫連接。通過EMIF可以將VC5509A的存儲空間擴展到128 Mbit(SDRAM)，存儲空間共被分為CE0～CE3四個段，每段占用不同的地址。在EMIF的并行引導模式中，ROM固化的Bootloader程序是以0x200000為首地址開始加載程序。0x200000即為CE1空間的首地址，所以Flash必須接在DSP的CE1空間上。在加載時。EMIF的CE1空間已經(jīng)默認配置成異步靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)接口，并且在時序上采用了最差情況設置(即最慢訪問速度)，充分保證了時間裕量，使得程序代碼順利地加載到DSP的內存中。

2.2 TMS320VC5509A的引導表

Bootloader在引導程序時，程序代碼是以引導表格形式加載的。TMS320VC55x的引導表結構中包括了用戶程序的代碼段和數(shù)據(jù)段以及相應段在內存中的指定存儲位置，此外還包括了程序人口地址、部分寄存器的配置值、可編程延時時間等信息。TMS320VC55x系列DSP的引導表結構如表1所示。

其中，程序入口地址是引導表加載結束后，用戶程序開始執(zhí)行的地址；寄存器配置數(shù)目決定了后面有多少個寄存器需要配置；只有當延時標志為0xFFFF時，延時才被執(zhí)行；延時長度決定了在寄存器配置后延時多少個CPU周期才進行下一個動作；段長度、段起始地址和數(shù)據(jù)則為用戶程序中定義的各個段的內容，并且可以重復添加；最后以0x00000000(32個0)作為引導表的結束標志。

若要生成引導表，可用CCS最終編譯生成的，out文件通過CCS自帶的hex55.exe轉換程序得到。將hex55.exe、.out文件、.0cmd文件放在同一個文件夾中，通過DOS命令調用hex55.exe。即可完成.out文件到hex格式的引導表文件的轉化。.CMD文件用于提供引導表的相關配置信息，以下為一個.CMD文件的實例：

3 Flash的燒寫和自舉的實現(xiàn)

3.1 TMS320VC5509A和AT49LV1024的硬件沒計

AT49LV1024是Atmel公司一款3 V供電系統(tǒng)的Flash存儲器，16位位寬，容量為64 KB(16條地址線)。VC5509A(PGE封裝)只有14條地址線，只能尋址16 KB的SRAM空間。要想尋址64 KB地址空間的話，F(xiàn)lash地址線的高兩位則需要通過其他I／O線控制。在本系統(tǒng)中通過GPIO4和GPIO6與Flash的高兩位地址相連實現(xiàn)，其連接示意圖如圖1所示。但是在Bootloader自舉引導程序時，并不能控制GPIO引腳，也就是只能引導最大16 KB的程序。對于大于16 KB的程序，則需要進行二次引導。

3.2 二次引導技術

所謂二次引導，就是通過DSP內部ROM固化的Bootloader引導用戶自行編寫一個引導程序，其功能和ROM固化的Bootloader相同，再通過此引導程序加載系統(tǒng)最終運行的程序代碼，并在加載結束后，把PC值置為新的程序入口地址。在用戶編寫的引導程序中控制GIPO4和GPIO6，即可實現(xiàn)64 KB地址空間尋址。具體實現(xiàn)框圖如圖2所示。

3.3 數(shù)據(jù)燒寫程序設計

Flash的數(shù)據(jù)可直接讀取，但對Flash的編程和擦除操作則需要通過一系列命令才能進行。AT49LV1024的寫操作只能將1變成0，而0變成1必須通過擦除操作進行。所以每次寫Flash之前必須進行片擦除，使存儲單元值變成0xFFFF，才能進行編程。

擦除命令需要6個周期，操作命令如表2所示。

編程命令需要4個周期，操作命令如表3所示。

編程和擦除操作都需要一定周期的時間(AT49LV1024的單字編程時間是20μ8，整片擦除時間是10 s)，用戶可以通過查詢標志數(shù)據(jù)線DQ6和DQ7確定編程或擦除是否完畢。當器件正處于編程或擦除狀態(tài)時，連續(xù)讀任意單元的值，DQ6的值將一直在0、1之間交替變化，當編程或擦除結束時，讀DQ6則得到一個恒定值。本文即通過此方法判斷操作是否結束。

根據(jù)Flash的編程和擦除命令，編寫了相應的C語言程序，其中SetGPIO46Addr(Addr)子程序的作用是根據(jù)所傳遞的Addr值配置相應的GPIO4和GPIO6即高兩位地址的值。

3.3.1 片擦除程序

3.3.2 單字編程程序

3.3.3 編程和擦除結束確認程序

3.4 程序的燒寫實現(xiàn)

本系統(tǒng)在CCS仿真環(huán)境下對Flash進行在線編程。先建立一個Flash的燒寫工程，并在工程中將要燒寫進Flash的引導表文件通過CCS的LOADDATA功能直接加載進DSP的內存，根據(jù)加載的首地址和數(shù)據(jù)長度，在仿真環(huán)境下燒進Flash中。值得注意的是，程序加載的內存空間不能與Flash的燒寫程序重疊，否則燒寫失敗。

需要補充的是，經(jīng)hex55.exe文件轉化后的hex格式的引導表文件是不能直接導入CCS中的。CCS只支持將特別規(guī)定的DAT格式文件通過LOADDATA導入內存，所以在導入之前必須先將引導表轉化成DAT格式文件，這個工作可以由VC編寫一個簡單的C語言轉化程序實現(xiàn)。

4 結束語

本文闡述了一種針對TMS320VC55x系列DSP簡單有效的Flash燒寫方法，并提出了程序自舉引導的實現(xiàn)方法，包括大程序二次引導的實現(xiàn)方法。本文討論的引導方法包括硬件設計及相關程序，已在筆者的實際開發(fā)CMOS圖像采集項目中使用并成功運行。