國(guó)內(nèi)LED關(guān)鍵設(shè)備MOCVD如何實(shí)現(xiàn)“彎道超越”

　　5月7日，第十三屆全國(guó)MOCVD學(xué)術(shù)會(huì)議在半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)重要基地——江蘇省揚(yáng)州市召開(kāi)。來(lái)自大陸和臺(tái)灣、香港兩地的500多名科研院所和國(guó)家“千人計(jì)劃”的專家與企業(yè)家，共同就我國(guó)MOCVD(金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積，是金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積外延片爐，用于生產(chǎn)LED芯片)行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新、市場(chǎng)應(yīng)用、發(fā)展現(xiàn)狀以及未來(lái)趨勢(shì)等進(jìn)行深入研討，并集中發(fā)布一批最新科技成果。

　　從此次會(huì)議上了解到，我國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)自列入“十一五”中長(zhǎng)期發(fā)展規(guī)劃以來(lái)，在國(guó)家和地方政策的重點(diǎn)扶持下，通過(guò)政產(chǎn)學(xué)研合作途徑，加大技術(shù)創(chuàng)新力度，攻克了一些關(guān)鍵性技術(shù)難題，LED產(chǎn)業(yè)快速向上衍生，應(yīng)用與封裝發(fā)展水平與國(guó)外基本持平。尤其是上游原材料以及MOCVD設(shè)備更是迎頭趕上，用于照明用的大功率的特性襯底技術(shù)，加工穩(wěn)定性以及對(duì)外延效率與國(guó)外相比，差距快速縮小。同時(shí)，外延片的亮度、內(nèi)量子效率、抗靜電能力、抗漏電能力以及品質(zhì)控制水平等，與國(guó)外知名企業(yè)的產(chǎn)品差距不大。目前，紅黃光LED、顯示用LED外延已非常成熟，照明用LED外延技術(shù)也已經(jīng)達(dá)到較高水平。到去年底，從MOCVD技術(shù)發(fā)展來(lái)看，關(guān)鍵技術(shù)產(chǎn)品替代進(jìn)口達(dá)75%左右。專家認(rèn)為，盡管我國(guó)MOCVD已形成一個(gè)高科技產(chǎn)業(yè)，但我國(guó)整體與國(guó)外仍有明顯差距，核心技術(shù)還依靠進(jìn)口，急需重點(diǎn)突破，我國(guó)才能夠?qū)崿F(xiàn)“彎道超越”。