科學家：純石墨烯不適合當硅材料接班人

　　讓石墨烯(graphene)成為半導體矽材料的接班人，已經(jīng)成為美國、日本、歐洲甚至是中國等地政府大力支持的優(yōu)先研究項目;但因為石墨烯缺乏能隙(bandgap)的自然特性，美國麻省理工學院(MIT)與哈佛大學(HarvardUniversity)的研究人員認為大家可能都搞錯了方向，應該是找尋性能媲美石墨烯、但具備能隙的化合物材料。

　　研究人員指出，有一類以NiHITP(nickelhexa-imino-triphenylene)為代表的材料，就擁有上述特性。MIT化學教授MirceaDinca表示：「就像石墨可剝離為石墨烯(也不過就是片狀的石墨)，我們所開發(fā)的材料也能剝離成片狀;相較于石墨烯層，我們的材料層是能透過受控制的化學改質(chemicalmodification)來調節(jié)，因此能有系統(tǒng)地改變其電子特性。」

　　該種新開發(fā)材料的正式名稱是「Ni3(HITP)2」，因為它鍵合了鎳(Ni)的3個原子以及2個HITP有機分子;不過NiHITP只是一個具備天然能隙之材料類別中的第一種，能針對特定應用在原子等級調節(jié)其電子功能。

　　Dinca指出：「我們還沒量測出這種材料的能隙，但確定它大于0;石墨烯的能隙是0，并不適合做為半導體。我們現(xiàn)在正試圖將該種材料制作成大尺寸的片狀，首先要量測它的能隙并能更清楚描述其電子特性，其次則是用該種材料來制作元件;而這也是我們所面臨的挑戰(zhàn)?！?/p>

　　此外Dinca也表示，由于還有許多可調節(jié)的空間，真的看不到在生產(chǎn)更多材料方面的限制;而他們已經(jīng)有數(shù)種其他相關的二維材料，應該都擁有些微不同的電子特性，這也正是他們正在尋找的，可調節(jié)的金屬-有機類石墨烯。

　　Dinca的研究團隊并非以傳統(tǒng)方式透過摻雜(doping)將雜質或缺陷導入NiHITP這種新材料，其方法是謹慎在原子層級打造該類材料──也就是在制程中由下至上(bottom-up)調諧其功能，以支援特定的電子、甚至可能是光學特性。

　　根據(jù)Dinca的說法：「我們的材料是從原子層級就被明確定義;這就是關鍵所在，我們不是依靠缺陷，那無法被妥善理解而且無法良好控制;我們所創(chuàng)造的材料特性，能透過分子結構從本質上進行修改。我們能用由下至上、一個分子一個分子的方式來進行?！?/p>

　　NIHITP就像石墨烯一樣，會自組裝成完美的六角形蜂巢狀晶格，并堆疊成多層、每一層的六角形開口都能完全對齊，孔洞的厚度僅有2奈米。

　　接下來研究人員打算制作單層狀(monolayer)新材料，以精確量測其能隙，并用以生產(chǎn)電子元件;研究小組也將利用不同化學配方打造出一系列相關材料，針對不同應用從基礎元素調節(jié)其特性。例如能擷取不同波長光線的太陽能電池、或是具備超高儲存密度的超級電容，甚至是拓樸絕緣體(topologicalinsulator)、量子霍爾效應元件(quantumHallEffectdevice)。