LED封裝的研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)

　　近幾年，在全球節(jié)能減排的倡導(dǎo)和各國(guó)政府相關(guān)政策支持下，LED照明得到快速的發(fā)展。與傳統(tǒng)光源相比具有壽命長(zhǎng)、體積小、節(jié)能、高效、響應(yīng)速度快、抗震、無污染等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是可以進(jìn)入普通照明領(lǐng)域的“綠色照明光源”，LED大規(guī)模應(yīng)用于普通照明是一個(gè)必然的趨勢(shì)。

　　作為LED產(chǎn)業(yè)鏈中承上啟下的LED封裝，在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈中起著關(guān)鍵的作用。對(duì)于封裝而言，其關(guān)鍵技術(shù)歸根結(jié)底在于如何在有限的成本范圍內(nèi)盡可能多的提取芯片發(fā)出的光，同時(shí)降低封裝熱阻，提高可靠性。在封裝過程中，封裝材料和封裝方式占主要影響因素。隨著LED高光效化、功率化、高可靠性和低成本的不斷發(fā)展，對(duì)封裝的要求也越來越高，一方面LED封裝在兼顧發(fā)光角度、光色均勻性等方面時(shí)必須滿足具有足夠高的取光效率和光通量;另一方面，封裝必須滿足芯片的散熱要求。因此，芯片、熒光粉、基板、熱界面材料和等封裝材料以及相應(yīng)的封裝方式亟待發(fā)展創(chuàng)新，以提高LED的散熱能力和出光效率。

　　封裝材料

　　在封裝過程中，封裝材料性能的好壞是決定LED長(zhǎng)期可靠性的關(guān)鍵。高性能封裝材料的合理選擇和使用，能夠有效地提高LED的散熱效果，大大延長(zhǎng)LED的使用壽命。封裝材料主要包括芯片、熒光粉、基板、熱界面材料。

　　(1)芯片結(jié)構(gòu)

　　隨著LED器件性能的不斷發(fā)展和應(yīng)用范圍的不斷拓寬，尤其是單顆大功率LED的開發(fā)，芯片結(jié)構(gòu)也在不斷地改進(jìn)。目前LED芯片的封裝結(jié)構(gòu)主要有4種，即：正裝結(jié)構(gòu)、倒裝結(jié)構(gòu)、垂直結(jié)構(gòu)和三維垂直結(jié)構(gòu)。

　　目前普通的LED芯片采用藍(lán)寶石襯底的正裝結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，制作工藝比較成熟。但由于藍(lán)寶石導(dǎo)熱性能較差，芯片產(chǎn)生的熱量很難傳遞到熱沉上，在功率化LED應(yīng)用中受到了限制。

　　倒裝芯片封裝是目前的發(fā)展方向之一，與正裝結(jié)構(gòu)相比，熱量不必經(jīng)過芯片的藍(lán)寶石襯底，而是直接傳到熱導(dǎo)率更高的硅或陶瓷襯底，進(jìn)而通過金屬底座散發(fā)到外界環(huán)境中。

　　垂直結(jié)構(gòu)的藍(lán)光芯片是在正裝的基礎(chǔ)上產(chǎn)生的，這種芯片是將傳統(tǒng)藍(lán)寶石襯底的芯片倒過來鍵合在導(dǎo)熱能力較好的硅襯底或金屬等襯底上，再將藍(lán)寶石襯底激光剝離。這種結(jié)構(gòu)的芯片解決了散熱瓶頸問題，但工藝復(fù)雜，特別是襯底轉(zhuǎn)換這個(gè)過程實(shí)現(xiàn)難度大，生產(chǎn)合格率也較低。

　　與垂直結(jié)構(gòu)LED芯片相比，三維垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的主要優(yōu)勢(shì)在于無需打金線，使得其封裝的厚度更薄、散熱效果更好，并且更容易引入較大的驅(qū)動(dòng)電流。

　　(2)熒光粉

　　隨著人們對(duì)LED光品質(zhì)的要求越來越高，不同顏色、不同體系的LED用熒光粉逐步被開發(fā)出來，高光效、高顯色指數(shù)、長(zhǎng)壽命熒光粉開發(fā)及其涂覆技術(shù)的研究成為關(guān)鍵。目前主流的白光實(shí)現(xiàn)形式是藍(lán)光LED芯片結(jié)合黃色YAG熒光粉，但為了得到更好的照明效果，氮化物/氮氧化物紅色熒光粉、硅酸鹽橙色和綠色熒光粉也得到了廣泛的應(yīng)用。

　　多色熒光粉的摻入對(duì)提高光源顯色指數(shù)起到重要作用，拓寬了LED光源的應(yīng)用領(lǐng)域，可以在一些對(duì)色彩還原度要求高的場(chǎng)合替代傳統(tǒng)的鹵素?zé)艋蚪瘥u燈。同時(shí)，人們也在不斷開發(fā)新型的LED用熒光粉，

　　紅色和綠色熒光粉的加入，顯著提高光源的顯色指數(shù)。ZL201210264610.3[11]公開了一種藍(lán)光激發(fā)的連續(xù)光譜熒光粉的制備方法，該熒光粉采用氧化鋅、氧化鑭、碳酸鈣等原料，調(diào)節(jié)激活離子Ce3+、Eu3+的含量，可以得到在藍(lán)光激發(fā)下發(fā)出470～700nm的連續(xù)光譜。同一基質(zhì)的熒光粉在封裝過程中會(huì)體現(xiàn)出更多的優(yōu)勢(shì)。

　　半導(dǎo)體納米晶熒光粉也是近年研究比較熱門的一個(gè)方向，因其有望改變目前LED對(duì)稀土材料的依賴，突破國(guó)外專利壁壘。同時(shí)，半導(dǎo)體納米晶熒光粉具有尺寸小、波長(zhǎng)可調(diào)、發(fā)光光譜寬、自吸收小等特點(diǎn)，在白光LED應(yīng)用中具有潛在的市場(chǎng)。

　　(3)散熱基板

　　隨著LED技術(shù)的發(fā)展，功率越來越高，LED芯片的熱流密度更大，對(duì)封裝基板材料熱阻和膨脹系數(shù)的要求也越來越高。散熱基板發(fā)展迅速，品種也比較多，目前主要由金屬芯印刷電路板、金屬基復(fù)合材料、陶瓷基復(fù)合材料。

　　金屬芯印刷電路板(MCPCB)是將原有的印刷電路板(PCB)附貼在另外一種熱傳導(dǎo)效果更好的金屬(鋁、銅)上，以此來強(qiáng)化散熱效果，而這片金屬位于印刷電路板內(nèi)。這種技術(shù)能有效解決大功率器件在結(jié)構(gòu)緊湊的趨勢(shì)下所帶來的散熱問題。MCPCB熱導(dǎo)率可達(dá)到1～2.2W/(m·K)。

　　由于MCPCB的介電層沒有太好的熱傳導(dǎo)率(0.3W/(m·K))，使其成為與散熱器的散熱瓶頸。金屬基散熱板具有高的熱導(dǎo)率，能為器件提供良好的散熱能力。將高分子絕緣層及銅箔電路與環(huán)氧樹脂黏接方式直接與鋁、銅板接合，然后再將LED配置在絕緣基板上，此絕緣基板的熱導(dǎo)率就比較高，達(dá)1.12W/(m·K)。

　　陶瓷材料封裝基板穩(wěn)定性好，可能是最有前景的研究方向。與金屬材料封裝基板相比，其省去絕緣層的復(fù)雜制作工藝。多層陶瓷金屬封裝(MLCMP)技術(shù)在熱處理方面與傳統(tǒng)封裝方法相比有大幅度的改善。新型的AlN陶瓷材料，具有導(dǎo)熱系數(shù)高、介電常數(shù)和介電損耗低的特點(diǎn)，被認(rèn)為是新一代半導(dǎo)體封裝的理想材料。陶瓷覆銅板(DBC)[12]也是一種導(dǎo)熱性能優(yōu)良的陶瓷基板，所制成的超薄復(fù)合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導(dǎo)熱特性，其熱導(dǎo)率可達(dá)24～28W/(m·K)。

　　對(duì)于LED封裝應(yīng)用而言，散熱基板除具備基本的高導(dǎo)熱和布置電路功能外，還要求具有一定的絕緣、耐熱、相匹配的膨脹系數(shù)。透明陶瓷材料技術(shù)，不僅具備高散熱效率、耐熱電、膨脹系數(shù)匹配等性能外，同時(shí)還有望在封裝器件的光學(xué)性能上有所突破，實(shí)現(xiàn)全空間發(fā)光LED封裝。

　　(4)熱界面材料

　　目前對(duì)于散熱的研究人們更多的注重芯片、基板、散熱器的材料和結(jié)構(gòu)，卻往往忽略了熱界面材料的影響。熱界面材料是用于兩種材料間的填充物，在熱量傳遞過程中起到橋梁的作用。LED燈具是一個(gè)多層結(jié)構(gòu)的組合體，若要快速導(dǎo)出芯片產(chǎn)生的熱量，盡量減小材料之間的熱阻，提高導(dǎo)熱率，熱界面材料的導(dǎo)熱性能在其中至關(guān)重要。目前用于LED封裝的熱界面材料有四種方式：導(dǎo)熱膠粘劑、導(dǎo)電銀膠、錫膏和錫金合金共晶焊接。

　　導(dǎo)熱膠是在基體內(nèi)部加入一些高導(dǎo)熱系數(shù)的填料如SiC、AlN、Al2O3、SiO2等，從而提高其導(dǎo)熱能力。導(dǎo)熱膠的優(yōu)點(diǎn)是價(jià)格低廉、具有絕緣性能、工藝簡(jiǎn)單，但導(dǎo)熱性普遍較差，熱傳導(dǎo)系數(shù)在0.7W/(m?K)左右。

　　導(dǎo)電銀漿是在環(huán)氧樹脂內(nèi)添加銀粉，其硬化溫度一般低于200℃，熱傳導(dǎo)系數(shù)為20W/(m?K)左右，具有良好的導(dǎo)熱特性，同時(shí)粘貼強(qiáng)度也較好，但銀漿對(duì)光的吸收比較大，導(dǎo)致光效下降。

　　對(duì)于小功率LED芯片發(fā)熱量少，通過導(dǎo)電銀膠作為粘結(jié)層完全可以滿足散熱以及可靠性問題[13]。導(dǎo)電錫膏的熱傳導(dǎo)系數(shù)約為50W/(m?K)，一般用于金屬之間焊接，導(dǎo)電性能也很優(yōu)異。

　　錫金合金共晶焊接利用金屬的共晶點(diǎn)將兩種金屬焊在一起，適合作為大功率LED芯片的粘結(jié)材料。Kim等[14]通過比較了導(dǎo)熱導(dǎo)電銀膠、Sn-Ag-Cu釬料和Au-Sn共晶釬料作為熱界面材料的散熱性能，發(fā)現(xiàn)對(duì)于SiC襯底片與Si基板的鍵合，Au/Sn共晶釬料的封裝熱阻明顯低于銀膠和Sn-Ag-Cu釬。

　　目前國(guó)內(nèi)熱界面材料遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于國(guó)外水平，隨著LED封裝集成度的提高和熱流密度的增大，需要更高導(dǎo)熱效率的新型熱界面材料，以提高LED封裝器件間的熱量傳遞能力，如利用石墨烯、碳納米管、納米銀線作為填料進(jìn)行復(fù)合，同時(shí)利用無機(jī)官能團(tuán)對(duì)基料進(jìn)行修飾等制備出低熱阻新型復(fù)合熱界面材料技術(shù)。對(duì)于LED封裝應(yīng)用而言，理想的熱界面材料除了具備低熱阻外，還應(yīng)有相匹配的膨脹系數(shù)和彈性模量，以及較好的機(jī)械性能、熱變形溫度高、成本較低等要求。

　　封裝結(jié)構(gòu)

　　在LED芯片技術(shù)的快速發(fā)展下，LED產(chǎn)品的封裝形式也從單芯片封裝方式發(fā)展到多芯片封裝方式。它的封裝結(jié)構(gòu)也從Lamp封裝到SMD封裝再到COB封裝和RP封裝技術(shù)。

　　引腳式封裝(Lamp)采用引線架作各種封裝外型的引腳，是最先研發(fā)成功投放市場(chǎng)的LED封裝結(jié)構(gòu)，品種數(shù)量繁多，技術(shù)成熟度較高。表面貼裝封裝(SMD)因減小了產(chǎn)品所占空間面積、降低重量、允許通過的工作電流大，尤其適合自動(dòng)化貼裝生產(chǎn)，成為比較先進(jìn)的一種工藝，從Lamp封裝轉(zhuǎn)SMD封裝符合整個(gè)電子行業(yè)發(fā)展大趨勢(shì)。但是在應(yīng)用中存在散熱、發(fā)光均勻性和發(fā)光效率下降等問題。

　　CoB(ChiponBoard)封裝結(jié)構(gòu)是在多芯片封裝技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展而來，CoB封裝是將裸露的芯片直接貼裝在電路板上，通過鍵合引線與電路板鍵合，然后進(jìn)行芯片的鈍化和保護(hù)[15]。CoB的優(yōu)點(diǎn)在于：光線柔和、線路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、高成本效益、節(jié)省系統(tǒng)空間等[16]，但存在著芯片整合亮度、色溫調(diào)和與系統(tǒng)整合的技術(shù)問題。

　　遠(yuǎn)程熒光封裝技術(shù)(RP)是將多顆藍(lán)光LED與熒光粉分開放置，LED發(fā)出的藍(lán)光在經(jīng)過反射器、散射器等混光后均勻的入射到熒光粉層上，最終發(fā)出均勻白光的一種LED光源形式。與其他封裝結(jié)構(gòu)相比，RP封裝技術(shù)性能更為特出：首先，是熒光粉體遠(yuǎn)離LED芯片，熒光粉不易受PN結(jié)發(fā)熱的影響，特別是一些硅酸鹽類的熒光粉，易受高溫高濕的影響，在遠(yuǎn)離熱源后可減少熒光粉熱猝滅幾率，延長(zhǎng)光源的壽命。其次，熒光粉遠(yuǎn)離芯片設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)有利于光的取出，提高光源發(fā)光效率。再者，此結(jié)構(gòu)發(fā)出的光色空間分布均勻，顏色一致性高。近年來，紫外激發(fā)的遠(yuǎn)程封裝技術(shù)引起人們的高度關(guān)注，相比傳統(tǒng)紫外光源，擁有獨(dú)一無二的優(yōu)勢(shì)，包括功耗低、發(fā)光響應(yīng)快、可靠性高、輻射效率高、壽命長(zhǎng)、對(duì)環(huán)境無污染、結(jié)構(gòu)緊湊等諸多優(yōu)點(diǎn)，成為世界各大公司和研究機(jī)構(gòu)新的研究熱點(diǎn)之一。

　　發(fā)展趨勢(shì)

　　近年來國(guó)內(nèi)外眾多科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)對(duì)LED封裝技術(shù)持續(xù)開展研究，優(yōu)良的封裝材料和高效的封裝工藝陸續(xù)被提出，高可靠性的LED照明新產(chǎn)品相繼出現(xiàn)，如：LED燈絲、軟基板封裝技術(shù)等(如圖4)同時(shí)具備一定的使用性能要求。

　　在對(duì)新型材料的不斷研制下，超導(dǎo)電和超導(dǎo)熱材料相繼問世，為L(zhǎng)ED封裝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)，如石墨烯。，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體發(fā)明了以石墨烯作為導(dǎo)熱層的倒裝結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管，利用石墨烯優(yōu)越的導(dǎo)電性能，使得部分熱量可以經(jīng)由石墨烯導(dǎo)熱層傳遞到襯底上，增加了器件的導(dǎo)熱通道，提高了散熱效果[17]。

　　針對(duì)目前LED芯片采用低壓直流驅(qū)動(dòng)，需要在電源驅(qū)動(dòng)器中進(jìn)行降壓整流處理，引起能量損耗和可靠性問題。人們分別提出采用高壓的LED芯片和交流的LED芯片進(jìn)行改善。2008年9月，臺(tái)灣工研院以芯片式交流電發(fā)光二極管照明技術(shù)(OnChipAlternatingCurrentLEDLightingTechnology)獲得美國(guó)R&D100Awards肯定。ACLED(AlternatingCurrentLED)具有低能耗、高效率、使用方便等優(yōu)異性能，同時(shí)也顛覆了傳統(tǒng)LED的應(yīng)用。

　　三維封裝技術(shù)，對(duì)于LED封裝而言是一種全新的概念，它對(duì)設(shè)計(jì)思路和理念、材料特性以及封裝技術(shù)本身提出更多創(chuàng)新性的要求。三維打印技術(shù)從出現(xiàn)到今天，有了長(zhǎng)足的提高，使LED三維封裝技術(shù)成為一種可能，但目前存在許多需要克服的難題，如材料的復(fù)合制備、材料間熱應(yīng)力平衡控制、生產(chǎn)效率等。因而可以說基于三維打印技術(shù)的LED封裝技術(shù)仍是較為遙遠(yuǎn)的設(shè)想。

　　從長(zhǎng)遠(yuǎn)來看，LED封裝技術(shù)需要加快針對(duì)三維封裝的封裝材料、封裝結(jié)構(gòu)以及多功能系統(tǒng)化集成的探究，按照集成電路的封裝概念，提高LED封裝的微型化，采用無鍵合金線的封裝方法，實(shí)現(xiàn)高光效光源模組器件的散熱能力，解決LED應(yīng)用中光、熱、電三者的矛盾，最終實(shí)現(xiàn)智能系統(tǒng)化的LED封裝技術(shù)，滿足日益復(fù)雜的LED應(yīng)用要求。

　　結(jié)語

　　隨著LED功率化、高效化、低成本、高可靠性的不斷發(fā)展，對(duì)封裝技術(shù)的要求將越來越苛刻，尤其是封裝材料和封裝工藝。封裝技術(shù)比較復(fù)雜，需要綜合考慮光學(xué)、熱學(xué)、電學(xué)、結(jié)構(gòu)等方面的因素，同時(shí)低熱阻、穩(wěn)定好的封裝材料和新穎優(yōu)異的封裝結(jié)構(gòu)仍是LED封裝技術(shù)的關(guān)鍵。在新的封裝材料與新的封裝結(jié)構(gòu)完美的結(jié)合下，舒適、美觀和智能化的LED照明產(chǎn)品將不斷涌現(xiàn)。