采用高性能SRAM提高DSP密集型應(yīng)用的性能
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下表對比QDR-IV SRAM與DDR3 SDRAM存儲器技術(shù)的主要性能參數(shù)。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/247534.htm
表1說明了在相同頻率運(yùn)行時(shí)，QDR-IV可以提供超過DDR3 SDRAM兩倍的帶寬。此外，QDR-IV SRAM的雙獨(dú)立端口在獲取輸入信號的同時(shí)生成輸出信號，易于滿足DSP的實(shí)時(shí)處理功能對數(shù)據(jù)的需求。因此可以減輕向存儲器傳輸數(shù)據(jù)以及從其提取數(shù)據(jù)時(shí)的瓶頸問題。
SAR雷達(dá)透視
負(fù)責(zé)以高分辨率觀察地表的SAR雷達(dá)需要進(jìn)行轉(zhuǎn)置存儲器存取，其中對距離方向和方位方向進(jìn)行轉(zhuǎn)置，以便進(jìn)行重建處理。距離與方位壓縮處理之間的高效FFT與IFFT(DSP)運(yùn)行可以實(shí)現(xiàn)此目的。QDR SRAM的架構(gòu)優(yōu)勢能夠通過實(shí)現(xiàn)快速、一致的存儲器存取時(shí)間而提高SAR雷達(dá)的性能。圖5說明了SAR圖像重建相關(guān)的轉(zhuǎn)置問題：
采用傳統(tǒng)SDRAM存儲器時(shí)，寫入SAR圖像數(shù)據(jù)(如圖所示)會造成不連續(xù)的地址空間，從而導(dǎo)致處理器性能降低(此情況下估計(jì)大約降低5倍)。由于QDR-IV的獨(dú)立讀取與寫入端口支持并行運(yùn)算和隨機(jī)存儲器存取，因此可以降低對處理能力的影響。
QDR SRAM為基于DSP的應(yīng)用中片外數(shù)據(jù)存儲提供了對傳統(tǒng)SDRAM的高性能替代方案。通過級聯(lián)多個(gè)器件能夠消除QDR SRAM的密度限制。由于能夠?qū)崿F(xiàn)速度更快的存儲器存取而提高DSP性能，這種方法成為需要更高隨機(jī)存取吞吐量的應(yīng)用的理想選擇。
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