Vishay榮獲《電子產(chǎn)品世界》2013年度電源產(chǎn)品獎(jiǎng)

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，該公司的Si8851EDB TrenchFET® P溝道Gen III功率MOSFET榮獲《電子產(chǎn)品世界》雜志的2013年度電源產(chǎn)品獎(jiǎng)。

　　《電子產(chǎn)品世界》年度電源產(chǎn)品獎(jiǎng)評(píng)選已經(jīng)舉行了11年，面向全球的電源供應(yīng)商征集參選產(chǎn)品。五個(gè)門(mén)類的最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)和最佳應(yīng)用獎(jiǎng)的獲獎(jiǎng)產(chǎn)品是通過(guò)在線投票，以及《電子產(chǎn)品世界》的編輯、專家和工程師的嚴(yán)格評(píng)審選出的。Vishay的Si8851EDB能夠在便攜式計(jì)算設(shè)備中顯著提高效率和節(jié)省大量空間，被授予“功率元器件”類之最佳應(yīng)用獎(jiǎng)。

　　Vishay Siliconix Si8851EDB是業(yè)內(nèi)首個(gè)采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封裝尺寸的-20V MOSFET，具有極低的導(dǎo)通電阻，在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的導(dǎo)通電阻分別低至8.0mΩ和11.0mΩ。與最接近的2mm x 2mm x 0.8mm器件相比，Si8851EDB的高度低50%，在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的導(dǎo)通電阻幾乎只有前者的一半，單位封裝尺寸的導(dǎo)通電阻低37%。Si8851EDB的導(dǎo)通電阻接近3.3mm x 3.3mm x 0.8mm MOSFET的導(dǎo)通電阻，外形尺寸則小56%，單位封裝尺寸的導(dǎo)通電阻低30%以上。

　　Si8851EDB的高度只有0.4mm，適用于平板電腦、智能手機(jī)和筆記本電腦的電源管理應(yīng)用中的負(fù)載和電池開(kāi)關(guān)。器件的低導(dǎo)通電阻使設(shè)計(jì)者能夠在電路里實(shí)現(xiàn)更低的壓降，從而更有效地使用電能，延長(zhǎng)電池使用時(shí)間，同時(shí)其小尺寸占位可節(jié)省寶貴的PCB空間。

　　2013年度電源產(chǎn)品獎(jiǎng)在深圳舉行的《電子產(chǎn)品世界》“綠色電源與電源管理技術(shù)研討會(huì)”上向獲獎(jiǎng)企業(yè)頒發(fā)。