Vishay榮獲《電子產(chǎn)品世界》2013年度電源產(chǎn)品獎
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,該公司的Si8851EDB TrenchFET® P溝道Gen III功率MOSFET榮獲《電子產(chǎn)品世界》雜志的2013年度電源產(chǎn)品獎。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/247875.htm《電子產(chǎn)品世界》年度電源產(chǎn)品獎評選已經(jīng)舉行了11年,面向全球的電源供應(yīng)商征集參選產(chǎn)品。五個門類的最佳產(chǎn)品獎和最佳應(yīng)用獎的獲獎產(chǎn)品是通過在線投票,以及《電子產(chǎn)品世界》的編輯、專家和工程師的嚴格評審選出的。Vishay的Si8851EDB能夠在便攜式計算設(shè)備中顯著提高效率和節(jié)省大量空間,被授予“功率元器件”類之最佳應(yīng)用獎。
Vishay Siliconix Si8851EDB是業(yè)內(nèi)首個采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封裝尺寸的-20V MOSFET,具有極低的導(dǎo)通電阻,在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動下的導(dǎo)通電阻分別低至8.0mΩ和11.0mΩ。與最接近的2mm x 2mm x 0.8mm器件相比,Si8851EDB的高度低50%,在4.5V柵極驅(qū)動下的導(dǎo)通電阻幾乎只有前者的一半,單位封裝尺寸的導(dǎo)通電阻低37%。Si8851EDB的導(dǎo)通電阻接近3.3mm x 3.3mm x 0.8mm MOSFET的導(dǎo)通電阻,外形尺寸則小56%,單位封裝尺寸的導(dǎo)通電阻低30%以上。
Si8851EDB的高度只有0.4mm,適用于平板電腦、智能手機和筆記本電腦的電源管理應(yīng)用中的負載和電池開關(guān)。器件的低導(dǎo)通電阻使設(shè)計者能夠在電路里實現(xiàn)更低的壓降,從而更有效地使用電能,延長電池使用時間,同時其小尺寸占位可節(jié)省寶貴的PCB空間。
2013年度電源產(chǎn)品獎在深圳舉行的《電子產(chǎn)品世界》“綠色電源與電源管理技術(shù)研討會”上向獲獎企業(yè)頒發(fā)。
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