我國成功實現(xiàn)8英寸IGBT芯片產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)
國內(nèi)首條、世界第二條的8英寸IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)專業(yè)芯片生產(chǎn)線在中國南車株洲電力機車研究所有限公司(以下簡稱南車株洲所)建成,中國首片8英寸IGBT芯片同時下線。這條生產(chǎn)線總投資15億元,首期將實現(xiàn)年產(chǎn)12萬片8英寸IGBT芯片,配套生產(chǎn)100萬只IGBT模塊,真正實現(xiàn)IGBT的國產(chǎn)化。它的投產(chǎn)將打破國外公司在高端IGBT芯片技術上的壟斷,對于保障國民經(jīng)濟安全、推動兩型社會建設具有重大戰(zhàn)略意義。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/249043.htm為實現(xiàn)我國在高端IGBT芯片產(chǎn)業(yè)化關鍵技術上的突破,國家科技重大專項“極大規(guī)模集成電路制造裝備與成套工藝專項”重點支持南車株洲所牽頭開展了攻關,湖南省科技廳將該項目列入“省承接國家科技重大專項成果轉化專項”和“省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)科技攻關與重大科技成果轉化項目”重點項目,對南車株洲所進行了連續(xù)支持。經(jīng)過多年的研發(fā),南車株洲所攻克了30多項重大難題,終于掌握了IGBT產(chǎn)品設計、芯片制造、模塊封裝測試、可靠性試驗、系統(tǒng)應用等成套技術,成功研制出從650伏到6500伏高功率密度IGBT芯片及模塊,形成了IGBT的完整產(chǎn)業(yè)鏈。其產(chǎn)業(yè)規(guī)模和技術實力都達到了國際領先水平,特別是在溝槽技術、高能離子注入、超薄片加工、激光退火與銅金屬化工藝等關鍵技術的運用方面都走在國際前列。
這條8英寸IGBT專業(yè)芯片線全面建成投產(chǎn)后,年產(chǎn)值預計可突破20億元。同時,按照全球IGBT技術發(fā)展趨勢,南車株洲所正在研發(fā)第五代、預研第六代IGBT技術,以持續(xù)確保我國在IGBT產(chǎn)業(yè)上的技術支撐與核心競爭力。
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