電源測試之-MOSFET開關(guān)軌跡線的示波器重現(xiàn)方法

同樣的方法，可以觀察到MOSFET的關(guān)斷軌跡線。關(guān)斷前，漏極電流正處于峰值電流出(此時，MOSFET的狀態(tài)正處于開關(guān)軌跡線的C點)。關(guān)斷過程中，漏極電流下降的同時，漏源極電壓上升，從圖5.b上看，表現(xiàn)為關(guān)斷軌跡線位置很高。MOSFET是硬關(guān)斷，關(guān)斷損耗很大。并且，變壓器原邊漏感中的能量對 MOSFET造成很大的電壓沖擊。

利用開關(guān)軌跡線減小開關(guān)損耗

由以上分析可知，開關(guān)軌跡線可以直觀地反映MOSFET地開關(guān)損耗。我們總是希望MOSFET的開關(guān)損耗盡可能減小，為此，我們常常在MOSFET周圍添加一些輔助電路，開關(guān)軌跡線可以幫助我們評估改善的效果。

以圖示的回掃電路為例，為了改善MOSFET的關(guān)斷軌跡，在變壓器原邊繞組兩端并聯(lián)RC緩沖支路(如圖6)，限制MOSFET關(guān)斷時漏極電壓的上升速度。

圖6中所示，R=1kΩ，C=200pF，圖7a~d為加入RC電路后的開關(guān)軌跡線。與之前的開關(guān)軌跡線相比，加入RC電路后，MOSFET的關(guān)斷軌跡更靠近坐標軸了(圖7.d)。這是因為在MOSFET關(guān)斷瞬間，由于電容電壓不能突變，依然保持輸入電壓，使得MOSFET上電壓保持為零。隨著電容C的放電，MOSFET的電壓才逐漸升高。這樣，就限制了MOSFET漏源極電壓的上升速度，關(guān)斷損耗得到減小，不過關(guān)斷損耗的減小是以開通損耗的增加為代價的。這是由于MOSFET關(guān)斷期間，電容C上電壓為零，MOSFET開通瞬間，電容C通過電阻R和MOSFET充電引起的。從圖7.c開通軌跡線上可以看出，MOSFET的開通軌跡線向“上”移動了，也就是說，漏源極電壓還沒下降到零時就有漏極電流流過了。

應(yīng)該權(quán)衡考慮開通損耗和關(guān)斷損耗，選擇適當?shù)腞C值。利用開關(guān)軌跡線可以方便地找到這個平衡點，以確?？倱p耗降至最低。