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利用芯片上時(shí)脈實(shí)現(xiàn)高性能全速測(cè)試

作者: 時(shí)間:2007-09-06 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

全速測(cè)試在大量新功能的協(xié)助下有了很大的改進(jìn),包括在測(cè)試模式期間使用芯片上產(chǎn)生的功能時(shí)脈。目前許多設(shè)計(jì)都工作在非常高的頻率,并包含許多時(shí)脈。芯片上鎖相環(huán)(PLL)是一種制作內(nèi)部時(shí)脈的常見方法。通常伴隨PLL的還有乘法器、除法器以及其它時(shí)脈控制電路。不需要過多的附加邏輯,就能充分發(fā)揮用于測(cè)試的這些功能時(shí)脈的優(yōu)勢(shì)。

大多數(shù)公司都會(huì)在設(shè)計(jì)進(jìn)入布局階段之前使用靜態(tài)分析(STA)檢查功能。作為STA過程的一部份,設(shè)計(jì)師可規(guī)定設(shè)計(jì)約束和時(shí)序例外。本文所述STA過程的輸出是新思設(shè)計(jì)約束(SDC)文件,該文件包括了STA過程中其它工具需要的時(shí)序信息。

只要能正確地利用芯片上時(shí)脈,就能實(shí)現(xiàn)更高性能且更精密的的全速測(cè)試結(jié)果,但在實(shí)際過程中,必須注意到工具的選擇、不同特征尺寸元所具有的固有特性及其可能帶來的影響等,可能必須采取不同的相應(yīng)措施來應(yīng)對(duì)不同情況。由于目前芯片的幾何尺寸正不斷微縮小,缺陷與時(shí)序的關(guān)系將越來越密切,因此,在130nm以下的制程中,不應(yīng)該完全依賴連續(xù)故障。本文將就以上觀點(diǎn)進(jìn)行分析,并為設(shè)計(jì)師提供制作高品質(zhì)全速測(cè)試的一些建議。

建議的方法

使用芯片上用于測(cè)試目的的功能時(shí)脈獲得比外部時(shí)脈更高精密度的結(jié)果。確保自動(dòng)測(cè)試產(chǎn)生(ATPG)工具能夠利用芯片上時(shí)脈和時(shí)脈邏輯實(shí)現(xiàn)全速測(cè)試圖案。

如果組件的制造特征尺寸在130nm以下,應(yīng)在測(cè)試儀器中增加轉(zhuǎn)換故障測(cè)試圖案。該可透過查找每個(gè)內(nèi)部上的緩慢上升或緩慢下降變化檢查出時(shí)序缺陷。

在測(cè)試關(guān)鍵路徑或整體組件時(shí)序表征檢查時(shí)使用路徑延遲故障模型。一些公司也使用路徑延遲故障模型進(jìn)行速度分級(jí)。

使用靜態(tài)時(shí)序分析定義和規(guī)定時(shí)脈與時(shí)序的關(guān)系,使設(shè)立和保持時(shí)間能被檢查。路徑的寬松時(shí)間也可以計(jì)算,有助于發(fā)現(xiàn)最關(guān)鍵的路徑。這些路徑再送到ATPG工具制作路徑延遲圖案。此外,時(shí)序例外路徑也有規(guī)定。

使用能夠在圖案產(chǎn)生期間自動(dòng)處理時(shí)序例外的ATPG工具。

圖:采用傳統(tǒng)方法來處理時(shí)序例外路徑的五個(gè)設(shè)計(jì)范例,與在SDC檔案中進(jìn)行讀取,且僅需增加X軸的新方法比較。

不建議的方法

如果組件上已經(jīng)有這些功能時(shí)脈,就不應(yīng)該為了支持高速時(shí)脈而在復(fù)雜的自動(dòng)測(cè)試設(shè)備上花費(fèi)太多的時(shí)間。一些接腳的I/O焊盤無論如何都無法處理很快的外部時(shí)脈速度。

采用130nm以下制程制造的設(shè)計(jì)不應(yīng)該依賴連續(xù)故障模型。許多相關(guān)論文指出,隨著幾何尺寸的縮小,缺陷與時(shí)序的關(guān)系將越來越密切。許多問題與在組件上制作小于制造用微影波長(zhǎng)的特征尺寸和外形有關(guān)。

不解決故障和多周期路徑就制作全速測(cè)試圖案。如果這些問題不解決,ATPG工具制作的測(cè)試圖案期望值將是組件無法實(shí)現(xiàn)的,極易導(dǎo)致測(cè)試圖案的仿真失配,并可能使好的組件無法通過測(cè)試。

在ATPG過程中只約束X軸的時(shí)序例外路徑端點(diǎn)。這種傳統(tǒng)方法將降低測(cè)試覆蓋率,并導(dǎo)致測(cè)試圖案儀上有更多的X點(diǎn)。它會(huì)屏蔽掉適用于其它全速測(cè)試路徑的觀察點(diǎn),使芯片的某些部份無法被測(cè)試到。



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