雙核DSP片TMS320VC5421并行引導(dǎo)方案
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１引言
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/257224.htm ?。裕停樱常玻埃郑茫担矗玻堡煟?、２（以下簡(jiǎn)稱ＶＣ５４２１）是ＴＩ公司推出的一款雙核定點(diǎn)ＤＳＰ芯片，它擁有兩個(gè)ＤＳＰ子系統(tǒng)，每個(gè)子系統(tǒng)都有一個(gè)ＤＳＰ核，并且均有獨(dú)立的數(shù)據(jù)和程序存儲(chǔ)空間，可以進(jìn)行兩核之間的通信，并且兩個(gè)子系統(tǒng)共享一套片外總線。
此外，每個(gè)子系統(tǒng)各自擁有２ｋ １６ｂｉｔ字的片內(nèi)ＲＯＭ，并存儲(chǔ)有Ｂｏｏｔｌｏａｄｅｒ程序。當(dāng)ＤＳＰ芯片上電或復(fù)位時(shí)，兩個(gè)ＤＳＰ核可分別啟動(dòng)自身獨(dú)立的Ｂｏｏｔｌｏａｄｅｒ程序，以實(shí)現(xiàn)用戶程序的上電自舉。
雙核ＤＳＰ自啟動(dòng)和單核ＤＳＰ自啟動(dòng)的實(shí)現(xiàn)方法有較大的差別，這一點(diǎn)在ＤＳＰ系統(tǒng)設(shè)計(jì)中需要特別注意。本文對(duì)雙核ＤＳＰ芯片ＶＣ５４２１的引導(dǎo)模式進(jìn)行了深入的分析和研究，給出了使用１６位并行引導(dǎo)模式進(jìn)行雙核ＤＳＰ引導(dǎo)的實(shí)現(xiàn)方案。
２ ＴＭＳ３２０ＶＣ５４２１的Ｂｏｏｔ模式
?。郑茫担矗玻笨商峁保段?a class="contentlabel" href="http://m.butianyuan.cn/news/listbylabel/label/并行引導(dǎo)">并行引導(dǎo)、８位并行引導(dǎo)和串行ＥＥＰＲＯＭ引導(dǎo)等三種Ｂｏｏｔ模式來實(shí)現(xiàn)用戶程序的上電自舉。
其中１６位并行引導(dǎo)模式是通過片外存儲(chǔ)器接口（ＥＭＩＦ）以ＤＭＡ方式將代碼從１６－ｂｉｔ字寬的片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器搬移到片內(nèi)程序存儲(chǔ)空間；
８位并行引導(dǎo)模式則是通過片外存儲(chǔ)器接口（ＥＭＩＦ）以ＤＭＡ方式將代碼從８－ｂｉｔ字寬的片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器搬移到片內(nèi)的程序存儲(chǔ)空間；
而串行ＥＥＰＲＯＭ引導(dǎo)模式主要是通過多通道緩沖串口２（ＭｃＢＳＰ ２）從主設(shè)備中搬移代碼并實(shí)現(xiàn)上電自舉。
和５４系列中其它芯片不同的是，ＶＣ５４２１片內(nèi)ＲＯＭ中的Ｂｏｏｔｌｏａｄｅｒ程序并不支持ＨＰＩ、并行Ｉ／Ｏ和標(biāo)準(zhǔn)串口模式的自啟動(dòng)方式。在其所支持的三種ｂｏｏｔ模式中，１６位并行引導(dǎo)模式是最常用的。本文對(duì)這種模式進(jìn)行了深入分析，給出了使用該模式進(jìn)行雙核ＤＳＰ程序引導(dǎo)的方案，并通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了該方案的正確性。
２．１ 并行引導(dǎo)模式的選擇
?。郑茫担矗玻钡膬蓚€(gè)ＤＳＰ核在ＤＳＰ芯片上電或復(fù)位時(shí)，到底以哪種模式實(shí)現(xiàn)上電自舉，主要由兩個(gè)核的公共引腳ＸＩＯ和各自的ＧＰＩＯ０／ＲＯＭＥＮ、ＧＰＩＯ１引腳決定。當(dāng)ＸＩＯ為０（低電平）時(shí)，將不從ＲＯＭ引導(dǎo)，也就是說，將不使用ＶＣ５４２１片內(nèi)ＲＯＭ中的Ｂｏｏｔｌｏａｄｅｒ程序?qū)崿F(xiàn)上電引導(dǎo)，而是用ＨＰＩ模式實(shí)現(xiàn)上電自舉；當(dāng)ＸＩＯ為１（高電平），ＧＰＩＯ０／ＲＯＭＥＮ為０時(shí)，將使用片外存儲(chǔ)器中用戶自己編寫的Ｂｏｏｔｌｏａｄｅｒ程序?qū)崿F(xiàn)上電自舉；當(dāng)ＸＩＯ為１ ＧＰＩＯ／ＲＯＭＥＮ為１ ＧＰＩＯ１為０或１時(shí)，將分別使用并行或者串行引導(dǎo)模式實(shí)現(xiàn)上電自舉。因此，在實(shí)施相應(yīng)的上電自舉前，必須將引腳狀態(tài)設(shè)置正確，以保證Ｂｏｏｔｌｏａｄｅｒ程序按預(yù)定的模式執(zhí)行。Ｂｏｏｔｌｏａｄｅｒ模式的選擇流程見圖１。
當(dāng)Ｂｏｏｔｌｏａｄｅｒ程序檢測(cè)到并行引導(dǎo)模式時(shí)，程序?qū)⒁裕模停练绞綇钠鈹?shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)的００００ｈ單元取出模式選擇字（ＢＳＷ）來進(jìn)一步?jīng)Q定是８位還是１６位的并行引導(dǎo)模式。１０ＡＡｈ意味著選擇了１６位并行引導(dǎo)模式，而如果選擇８位并行引導(dǎo)模式，取出的兩個(gè)字節(jié)將是０８ｈ和ＡＡｈ。之后，程序?qū)凑眨拢铮铮舯磉M(jìn)行加載。圖２是并行引導(dǎo)模式的選擇流程。
?。玻?１６位并行引導(dǎo)模式的Ｂｏｏｔ表
Ｂｏｏｔｌｏａｄｅｒ程序要搬移的代碼必須組織成一定的格式，這就是Ｂｏｏｔ表。１６位并行引導(dǎo)模式的Ｂｏｏｔ表如表１所列。
表1 16位并行導(dǎo)模式Boot表
此外，需要注意的是，由于在多數(shù)程序中都有跳轉(zhuǎn)指令或循環(huán)指令，所以，Ｂｏｏｔ表中的程序入口地址必須和程序的ｃｍｄ文件中分配的地址保持一致，也就是說，當(dāng)在ＣＣＳ中進(jìn)行調(diào)試時(shí)，如果程序Ｌｏａｄ到５０００ｈ，Ｂｏｏｔ表中的程序入口地址就應(yīng)該是５０００ｈ。
２．３ Ｂｏｏｔ表的生成
?。拢铮铮舯砜捎桑瑁澹担埃案袷睫D(zhuǎn)換工具生成，也可以自己編寫一個(gè)文件格式轉(zhuǎn)換程序來把．ｏｕｔ文件轉(zhuǎn)換成所需的文件格式。本設(shè)計(jì)通過編寫一個(gè)Ｃ＋＋程序來將．ｏｕｔ文件轉(zhuǎn)換成．ｈｅｘ文件，然后再在文件的開始處增加相應(yīng)的標(biāo)志位和寄存器設(shè)置字，從而形成完整的Ｂｏｏｔ表。
３ ＶＣ５４２１片外總線沖突的解決方案
由于ＶＣ５４２１是雙核ＤＳＰ，每個(gè)核有各自的存儲(chǔ)空間和Ｂｏｏｔｌｏａｄｅｒ程序，但兩核共享一套片外總線和一個(gè)ＸＩＯ引腳。這樣，當(dāng)兩核的復(fù)位引腳Ａ＿ＲＳ和Ｂ＿ＲＳ同時(shí)收到復(fù)位低電平信號(hào)時(shí)，將同時(shí)申請(qǐng)片外總線的控制權(quán)。這就造成了申請(qǐng)片外總線的沖突。而且Ｂｏｏｔｌｏａｄｅｒ程序總是檢查該核有沒有片外總線的控制權(quán)，如果沒有，將循環(huán)檢查直到取得片外總線的控制權(quán)。為了避免這種情況的發(fā)生，應(yīng)該以合理的順序給兩個(gè)核上電。
由于ＶＣ５４２１中Ａ核帶有用來控制時(shí)鐘頻率的鎖相環(huán)電路，所以應(yīng)該先對(duì)Ａ核進(jìn)行復(fù)位，再啟動(dòng)Ａ核，然后利用Ａ核的用戶程序來控制Ｂ核的復(fù)位，以實(shí)現(xiàn)兩個(gè)核的啟動(dòng)。
根據(jù)系統(tǒng)需要，本設(shè)計(jì)使用Ａｌｔｅｒａ公司的ＣＰＬＤ芯片來產(chǎn)生各種控制信號(hào)。其電路連接示意圖如圖３所示。Ａ核的復(fù)位信號(hào)Ａ＿ＲＳ由ＣＰＬＤ芯片直接給出，并在系統(tǒng)上電或復(fù)位的同時(shí)對(duì)Ａ核進(jìn)行復(fù)位。而Ｂ核的復(fù)位信號(hào)Ｂ＿ＲＳ則通過ＣＰＬＤ映射到ＤＳＰ的Ｉ／Ｏ空間００００ｈ地址單元的第６位：Ｂ核復(fù)位控制位（在系統(tǒng)復(fù)位后值為０）如圖４所示。在Ａ核啟動(dòng)后，通過用戶程序?qū)懀拢撸遥游豢蔀椋潞颂峁?fù)位信號(hào)。
?。?ＶＣ５４２１的并行引導(dǎo)自啟動(dòng)操作
?。矗?用戶程序的搬移
兩個(gè)ＤＳＰ核要完成各自的功能，執(zhí)行的用戶程序是不盡相同的，而且Ａ核的用戶程序還要控制Ｂ核的復(fù)位，因此兩個(gè)ＤＳＰ核的Ｂｏｏｔ表內(nèi)容是不同的。由ＤＭＡ方式內(nèi)部存儲(chǔ)器圖可知，程序空間的第０頁(yè)和第１頁(yè)屬于Ａ核，第２頁(yè)和第３頁(yè)屬于Ｂ核。因此，需要注意的是，當(dāng)Ｂｏｏｔｌｏａｄｅｒ程序搬移用戶程序時(shí)，Ａ核的用戶程序要被搬移到內(nèi)部程序空間的第０頁(yè)上，而Ｂ核的用戶程序則要被搬移到第２頁(yè)上。于是Ｂ核Ｂｏｏｔ表中的程序入口ＸＰＣ和目的ＸＰＣ應(yīng)被設(shè)置成０００２ｈ。
?。矗?Ｂｏｏｔ表的放置
本系統(tǒng)用４Ｍｂｉｔ（２５６ｋ×１６）ＦＬＡＳＨ器件ＳＳＴ３９ＶＦ４００Ａ作為片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。頁(yè)選信號(hào)由ＤＳＰ通過ＣＰＬＤ給出，并且映射到ＤＳＰ中Ｉ／Ｏ空間的００００ｈ地址單元的低５位（系統(tǒng)復(fù)位后５位均為０，即第０頁(yè)）。如圖４所示。另外，此地址單元的第５位（ＣＦＧ位）是控制ＦＬＡＳＨ映射的配置位。當(dāng)ＣＦＧ為０時(shí)，ＦＬＡＳＨ被映射到ＤＭＡ片外數(shù)據(jù)空間的００００ｈ，此時(shí)，Ｂｏｏｔｌｏａｄｅｒ程序可以以ＤＭＡ方式從ＦＬＡＳＨ中搬移數(shù)據(jù)并進(jìn)行自啟動(dòng)；當(dāng)ＣＦＧ為１時(shí)，ＦＬＡＳＨ被映射到ＣＰＵ片外數(shù)據(jù)空間的８０００ｈ，在這種情況下，可以通過程序向ＦＬＡＳＨ中燒寫數(shù)據(jù)。因此，這一位在系統(tǒng)上電或復(fù)位后將被設(shè)置成０，以使Ａ核能夠順利啟動(dòng)。
由于兩個(gè)ＤＳＰ核的Ｂｏｏｔ表內(nèi)容不同，故應(yīng)視Ｂｏｏｔ表的大小，將兩個(gè)Ｂｏｏｔ表放到ＦＬＡＳＨ的不同頁(yè)上，以便對(duì)兩個(gè)核分別實(shí)行引導(dǎo)。本設(shè)計(jì)將Ａ核的Ｂｏｏｔ表放到第０頁(yè)，將Ｂ核的Ｂｏｏｔ表放到第１頁(yè)。
?。矗?外總線控制權(quán)的釋放
如圖５所示，在ＧＰＩＯ控制寄存器（地址３Ｃｈ）中，ＸＩＯ＿ＧＲＡＮＴ位為１代表相應(yīng)的ＤＳＰ核取得了片外總線的控制權(quán)；而在還沒有取得控制權(quán)（ＸＩＯ＿ＧＲＡＮＴ位為０）但在申請(qǐng)片外總線的控制權(quán)時(shí)，相應(yīng)的ＸＩＯ＿ＲＥＱ位應(yīng)置為１；ＣＯＲＥ＿ＳＥＬ位用于表示程序在哪個(gè)核上運(yùn)行，當(dāng)在ＣＰＵ Ａ上運(yùn)行時(shí)，讀Ａ核的ＧＰＩＯ控制寄存器的ＣＯＲＥ＿ＳＥＬ位將返回到“０”，而當(dāng)同一個(gè)程序在ＣＰＵ Ｂ上運(yùn)行時(shí)，讀Ｂ核的ＧＰＩＯ控制寄存器的ＣＯＲＥ＿ＳＥＬ位將返回到“１”。有關(guān)ＧＰＩＯ控制寄存器的其它相關(guān)位，設(shè)計(jì)時(shí)可查閱有關(guān)的參考文獻(xiàn)１。
４．４ ＦＬＡＳＨ的燒寫
筆者根據(jù)ＳＳＴ３９ＶＦ４００Ａ的資料編寫了一個(gè)ＤＳＰ程序，該程序可同時(shí)將Ａ核的Ｂｏｏｔ表燒寫到ＦＬＡＳＨ的第０頁(yè)，而將Ｂ核的Ｂｏｏｔ表燒寫到第１頁(yè)。
在系統(tǒng)上電或復(fù)位后，Ａ核首先運(yùn)行它的Ｂｏｏｔ-ｌｏａｄｅｒ程序（此時(shí)ＦＬＡＳＨ的第０頁(yè)映射到ＤＭＡ片外數(shù)據(jù)空間的００００ｈ地址單元），Ａ核啟動(dòng)后執(zhí)行用戶程序。用戶程序首先將頁(yè)選設(shè)置成第１頁(yè)，這樣，ＦＬＡＳＨ的第一頁(yè)將被映射到ＤＭＡ片外數(shù)據(jù)空間的００００ｈ；然后，Ａ核釋放片外總線控制權(quán)，并給Ｂ核發(fā)出復(fù)位信號(hào)，此時(shí)由于只有Ｂ核復(fù)位，且Ａ核已釋放片外總線的控制權(quán)，因此，Ｂ核將申請(qǐng)到片外總線控制權(quán)，同時(shí)執(zhí)行Ｂｏｏｔｌｏａｄｅｒ程序的啟動(dòng)以完成整個(gè)ＤＳＰ引導(dǎo)。完整的啟動(dòng)過程流程圖如圖６所示，下面是Ａ核的啟動(dòng)測(cè)試程序代碼：
*ｍｍｒｅｇｓ
*ｔｉｔｌｃ ″ｔｅｓｔＬＥＤＡ″
*ｇｌｏｂａｌ ｂｅｇｉｎ
*ｔｅｘｔ
．．．．．．．．．．．．．
ｂｅｇｉｎ ｓｔｍ ＃０ｘ０００,０ｘ００６１ ;設(shè)置頁(yè)選信號(hào)
ｐｏｒｔｗ ｏｘ００６１,００ｈ
ｃａｌｌ ｗａｉｔ
ａｎｄｍ ＃０ｘｆｆｃｆ,３ｃｈ ;釋放片外總線
ｃａｌｌ ｗａｉｔ ; 控制權(quán)
ｓｔｍ ＃０ｘ００４１０ｘ００６１ ;給Ｂ核復(fù)位信號(hào)
ｐｏｒｔｗ ０ｘ００６１,００ｈｃａｌｌ ｗａｉｔ
ｓｔｍ ＃０ｘ０００１,０ｘ００６１
ｐｏｒｔｗ ０ｘ００６１,００ｈ
ｆｌａｓｈ: ｒｓｂｓ １,ｘｆ ;發(fā)光二極管亮
ｃａｌｌ ｗａｉｔ
ｓｓｂｘ １,ｘｆ ;發(fā)光二極管滅
ｃａｌｌ ｗａｉｔ
ｂ ｆｌａｓｈ
;－－－－Ｓｕｂｒｏｕｔｉｎｅ ｔｏ ｗａｉｔ ｆｏｒ ｓｏｍｅ ｔｉｍｅ－－－－
ｗａｉｔ: ｓｔｍ ＃８０,ａｒ６
ｌｏｏｐ０: ｓｔｍ ＃３００００,ａｒ７－
ｌｏｏｐ１: ｎｏｐ
ｂａｎｚ ｌｏｏｐ１,＊ａｒ７－
ｂａｎｚ ｌｏｏｐ０,＊ａｒ６－
ｒｅｔ
?。?實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
本設(shè)計(jì)中，在ＤＳＰ的Ａ＿ＸＦ和Ｂ＿ＸＦ腳上連接兩個(gè)發(fā)光二極管，同時(shí)使被加載的用戶程序通過循環(huán)來設(shè)置／清除這兩個(gè)引腳以使兩個(gè)發(fā)光二極管以不同的頻率閃爍，以此來驗(yàn)證用戶程序是否成功加載。系統(tǒng)上電后，兩個(gè)發(fā)光二極管先后以不同的頻率開始閃爍，說明ＤＳＰ的Ａ核、Ｂ核均成功地實(shí)現(xiàn)了上電自舉。
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