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IBM針對RF芯片代工升級制程技術(shù)

作者: 時間:2014-06-16 來源:網(wǎng)絡 收藏

在市場再度傳言 將出售其芯片部門的同時,該公司正在加速量產(chǎn)新一代絕緣上覆矽(silicon-on-insulator,)與矽鍺(silicon germanium,)制程,以擴大在射頻(RF)芯片代工市場的占有率;該類芯片傳統(tǒng)上大多是采用更稀有的砷化鎵(gallium arsenide,GaAs)制程。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/259413.htm

的兩種新制程都在該公司只提供晶圓代工的美國佛州Burlington晶圓廠運作,該座8寸晶圓廠以往曾生產(chǎn)高階伺服器處理器以及相關(guān)芯 片,不過那些芯片的生產(chǎn)已經(jīng)移往位于紐約州East Fishkill的 12寸晶圓廠。Burlington晶圓廠為廣泛的客戶提供 CMOS、等多種制程,但現(xiàn)在打算將制程種類減少,集中資源在生產(chǎn)制程等技術(shù)上;該種制程目前也是IBM晶圓代工業(yè)務中 成長最快的。

不過IBM并未透露該晶圓廠的產(chǎn)能規(guī)模以及營收,僅表示該公司自四年前開始生產(chǎn)SOI制程迄今,該類芯片已經(jīng)累計出貨達70億顆──光是去年出貨量就達30億顆;那些芯片主要是供應手機與無線通訊基地臺應用。

接受EETimes美國版編輯訪問的IBM代表都不愿針對芯片部門出售傳言發(fā)表意見,這些專家都是該公司類比制造部門的資深人才,只談技術(shù)。IBM專 門生產(chǎn)的最新SOI制程代號為 7SW,以制造RF交換器為主,還有一些功率放大器;無論是蜂巢式通訊或是Wi-Fi設備,為因應對多重頻段的支援,對這類元件需求越來越高。

在IBM任職25年、五年前開始負責RF SOI業(yè)務的RF前端技術(shù)開發(fā)經(jīng)理Mark Jaffe表示:「較新一代的智慧型手機內(nèi)含8~12顆RF交換器,RF前端的構(gòu)造非常復雜,主要原因是我們現(xiàn)在有采用載波聚合(carrier aggregation)的 Advanced LTE 技術(shù),支援很多載波路徑以及頻段。

IBM為RF芯片量身打造的SOI

7SW是一種1.3微米/1.8微米混合制程,號稱能提升RF交換器性能30%,同時將芯片面積尺寸縮小30%。我們重新打造了交換器電晶體,將焦 點集中在決定漏電的導通電阻(resistance-on)與關(guān)斷電容(capacitance-off);Jaffe表示:其次我們提升了交換器電 晶體的擊穿電壓(breakdown voltage),通常你得堆疊電晶體以承受高電壓需求,但現(xiàn)在你可以建立一個短一點的堆疊以縮減芯片面積。

此外IBM也改善了電晶體的線性度,將三次諧波失真(the third harmonic distortion)降低了8dB。事實上7SW制程幕后的核心團隊大概只有10個人、工作了18個月;該團隊約是從 2006年開始研發(fā)RF芯片專用的SOI制程。而為了建立第二供應來源,IBM已將位于法國的一座舊晶圓廠獨立為新公司Altis。

在IBM任職14年、負責向無線領(lǐng)域客戶行銷晶圓代工業(yè)務的Sara Mellinger表示,過去包括Skyworks等市場領(lǐng)導級RF芯片供應商,是采用砷化鎵制程制造RF前端芯片,但現(xiàn)在該類芯片已經(jīng)大幅轉(zhuǎn)向采用或SOI制程。

目前在SOI制程RF芯片代工領(lǐng)域,Tower Jazz是IBM最大的競爭對手,此外CMOS制程晶圓代工大廠GlobalFoundries 與臺積電(TSMC)也準備切入SOI制程搶相關(guān)商機。目前IBM的7SW制程已經(jīng)在品質(zhì)驗證階段,并為關(guān)鍵客戶提供芯片樣品,預計 2015年正式量產(chǎn)。

IBM的SiGe制程邁向90奈米節(jié)點

至于IBM代號9HP的SiGe BiCMOS則是90奈米節(jié)點,能支援360 GHz最高振蕩頻率(Fmax)、300+ GHz截止頻率(Ft),因應60~80GHz運作頻率的各種芯片所需閾值。而采用90奈米制程節(jié)點,則能實現(xiàn)接近SOI、媲美砷化鎵制程之更緊密、低功 耗的設計,可生產(chǎn)包括60GHz的Wi-Fi芯片、蜂巢式骨干網(wǎng)路芯片組、高階測試設備用芯片、光學收發(fā)器,以及規(guī)模雖小、成長快速的車用雷達芯片,還有 航太軍事應用雷達芯片。

這將會是被大幅應用的技術(shù);自1980年代就投入開發(fā)SiGe技術(shù)(當時應用于生產(chǎn)IBM伺服器處理器芯片)的IBM院士David Harame表示,目前大多數(shù)SiGe技術(shù)都是采用0.18或0.13微米制程節(jié)點,IBM是最近才領(lǐng)先宣布進入90奈米節(jié)點。

9HP制程是IBM的一個十人小組花了四年時間開發(fā),目前已提供數(shù)家關(guān)鍵客戶試用,預計8月能通過品質(zhì)驗證。如同SOI制程,IBM也將提供9HP制 程的開發(fā)套件,此外該公司也提供客制化的介電質(zhì)附加模組(dielectric add-on modules)以及毫米波工具組。Harame強調(diào):這并非是產(chǎn)業(yè)界常見的服務,你在其他先進CMOS晶圓廠或12寸晶圓廠就找不到這些東西。

該團隊也表示,SiGe制程市場正呈現(xiàn)成長態(tài)勢,因為目前蜂巢式骨干網(wǎng)路正邁向采用60GHz連結(jié)技術(shù),此外車用雷達也預計將被產(chǎn)業(yè)界大幅采用。



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