三星、東芝競擴產(chǎn)NAND Flash報價恐跌三成
全球NANDFlash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續(xù)大于需求,預(yù)估NANDFlash今年底報價將較去年跌掉三成,且跌勢恐將一直延續(xù)至2018年。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/261690.htm市調(diào)機構(gòu)IHSiSuppli最新報告預(yù)測,NANDFlash今年底報價將跌至0.49美元每GB,遠低于去年的0.71美元,預(yù)估2018年將進一步跌至0.14美元,其間年復(fù)合成長率為負的28%。
NANDFlash產(chǎn)出過多是導(dǎo)致價格崩跌的主因,若以1GB等量單位計算,IHSiSuppl估計,2018年NANDFlash產(chǎn)出將自2013年的355億單位成長成長5.7倍至2,036億單位,預(yù)料將掀起價格戰(zhàn)。
據(jù)南韓聯(lián)合通訊社(Yonhap)報導(dǎo),三星斥資70億美元在大陸西安設(shè)置的V-NANDFlash廠已在5月開始投產(chǎn),至于在后追趕的東芝(Toshiba)最近也宣布了60億美元V-NANDFlash的擴廠計劃。
以NANDflash市占率來看,三星以37.4%居全球之首,東芝、美光與海力士(SKHynix)依序分別為31.9%、20.1%與10.6%。
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