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中芯國(guó)際自主搞定38nm NAND閃存

作者: 時(shí)間:2014-09-15 來(lái)源:慧聰電子網(wǎng) 收藏

  (SMIC)今天宣布,完全自主研發(fā)的NAND閃存工藝已經(jīng)準(zhǔn)備就緒,憑此成為國(guó)內(nèi)唯一一家可為客戶生產(chǎn)NAND產(chǎn)品的代工廠。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/262898.htm

  閃存主要面向嵌入式產(chǎn)品、移動(dòng)計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)(IOT)、電視及機(jī)頂盒等應(yīng)用領(lǐng)域,也可用于串行外設(shè)接口SPINAND。

  在此之前,已經(jīng)連續(xù)開發(fā)出了130nm、65nm等工藝的特殊NOR閃存平臺(tái),后續(xù)還會(huì)繼續(xù)研發(fā)2x/1xnmNAND、3DNAND等先進(jìn)工藝。

  雖然中芯國(guó)際的技術(shù)和當(dāng)前國(guó)際主流的20/19nmNAND閃存差了一大截,東芝、美光等的16/15nmNAND也都開始量產(chǎn)了,但這畢竟是中芯國(guó)際的“第一次”,實(shí)現(xiàn)了巨大的飛躍,打破了國(guó)際壟斷,后續(xù)也值得期待。



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